一种激光器、制备方法及光模块技术

技术编号:38580276 阅读:26 留言:0更新日期:2023-08-26 23:25
本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块,包括:衬底;台面结构,设置在所述衬底的上方,两侧面为平面且剖面为梯形面;绝缘层,设置在所述台面结构的两侧面且位于所述衬底的上方;P波导层,设置在所述台面结构和所述绝缘层的上方;电极接触层,设置在所述P波导层上。本申请提供的激光器、制备方法及光模块,能够避免量子阱结构半导体激光器中台面结构下方形成比较大的底切,进而可有效减少出现继续外延填充时出现填充不满的问题,避免因为填充不满造成漏电等问题。造成漏电等问题。造成漏电等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器、制备方法及光模块


[0001]本申请涉及光通信
,尤其涉及一种激光器、制备方法及光模块。

技术介绍

[0002]随着物联网、大数据和云计算技术的飞速发展,信息交互所需要的数据通信量呈现出爆炸式增长,应运而生的光纤通信技术随之成为能够实现高速信息传输的首选技术。随着光纤通信的快速发展,单模和高速直调激光器成为未来光通信领域里的主流光器件,是长距离和大容量光纤通信的关键器件。
[0003]量子阱结构半导体激光器是一种常用于光纤通信的关键器件。而在量子阱结构半导体激光器制备过程中,需要通过刻蚀形成激光器台面结构,如通过湿法刻蚀。经湿法腐蚀的侧壁和表面洁净度高,利于接下去的外延生长;同时采用湿法腐蚀对于前序工艺,例如光刻的精度,掩膜质量的要求不高。然而,湿法刻蚀的所形成的结构有可能不稳定,如造成掩膜下的台面结构的下方形成比较大的底切,使在外延填充时出现填充不满此区域,进而出现漏电等性能缺陷。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种激光器、制备方法及光模块,用于避免量子阱结构半导体激光器中台面结构下方形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器,其特征在于,用于光模块,包括:衬底;台面结构,设置在所述衬底的上方,两侧面为平面且剖面为梯形面;绝缘层,设置在所述台面结构的两侧面且位于所述衬底的上方;P波导层,设置在所述台面结构和所述绝缘层的上方;电极接触层,设置在所述P波导层上。2.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述台面结构自下向上依次包括InP缓冲层、N限制层、InGaAsP量子阱有源层、下限制层、波导层和光栅层,所述InP缓冲层设置在所述衬底的上方,所述衬底为N型InP衬底。3.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述台面结构与所述衬底的底切为200

400nm。4.一种激光器制备方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底层上生长外延层,形成外延基片;在外延基片上形成掩膜层,通过干法刻蚀在外延基片上形成侧壁垂直结构;通过湿法刻蚀,在侧壁垂直结构上形成两侧面为平面且剖面为梯形面的台面结构;在台面结构的两侧面填充生长绝缘层;在绝缘层和台面结构的上方生长形成P波导层;在P波导层的上方生长形成电极接触层。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述台面结构与衬底层的底切为200

400nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔桢俊冷祥黄晓东
申请(专利权)人:青岛海信宽带多媒体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1