化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案的形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法技术

提供能得到曝光灵敏度优异的抗蚀剂的、化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法。下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案的形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法


[0001]本专利技术涉及化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案的形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，半导体元件、液晶显示元件的制造中，随着光刻技术的进步而迅速推进了半导体(图案)、像素的微细化。为了像素的微细化，通常进行曝光光源的短波长化。具体而言，以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线，而现在使用KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等远紫外线进行曝光的方法成为量产中心，进而推进了超紫外线(EUV：Extreme Ultraviolet)光刻(13.5nm)的导入。另外，为了微细图案的形成，也使用电子束(EB：Electron Beam)。
[0003]迄今的通常的抗蚀材料为能形成非晶膜的高分子系抗蚀材料。例如，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯、具有酸解离性基团的聚羟基苯乙烯或聚甲基丙烯酸烷基酯等的高分子系抗蚀剂组合物(例如参照非专利文献1)。以往，对通过将这些抗蚀剂组合物的溶液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化合物，其由下述式(1)表示，式(1)中，R
A
为氢原子、甲基或三氟甲基，R
X
为OR
B
或氢原子，R
B
为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基。2.根据权利要求1所述的化合物，其中，R
A
为氢原子或甲基。3.根据权利要求1或权利要求2所述的化合物，其中，R
B
为碳数1～4的烷基。4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的化合物，其中，P为羟基、酯基、缩醛基、碳酸酯基或羧基烷氧基。5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的化合物，其中，P为酯基、缩醛基或碳酸酯基。6.一种组合物，其中，相对于权利要求1～权利要求5中任一项所述的化合物全部，含有1质量ppm以上且10质量％以下的下述式(1A)所示的化合物，
式(1A)、式(1A1)和式(1A2)中，R
A
、R
X
、R
B
和P与式(1)中的定义相同，R
sub
表示式(1A1)或式(1A2)，＊为与相邻的结构单元键合的键合部位。7.一种组合物，其含有：权利要求1～权利要求5中任一项所述的化合物、以及相对于全部该化合物为1质量ppm以上且10质量％以下的下述式(1B)所示的化合物，
式(1B)、式(1B1)或式(1B2)中，R
A
、R
X
、R
B
和P与式(1)中的定义相同，n2为0以上且4以下的整数，R
sub2
表示式(1B1)或式(1B2)，＊为与相邻的结构单元键合的键合部位。8.一种组合物，其中，相对于权利要求1～权利要求5中任一项所述的化合物全部，含有1质量ppm以上且10质量％以下的下述式(1C)所示的化合物，
式(1C)中，R
A
、R
X
、R
B
和P与式(1)中的定义相同，其中，R
B
和P均不包含I。9.一种组合物，其包含权利要求1～权利要求5中任一项所述的化合物，其中，包含K在内的杂质的含量在按元素换算时相对于全部所述化合物为1质量ppm以下。10.根据权利要求9所述的组合物，其中，过氧化物的含量相对于全部所述化合物为10质量ppm以下。11.根据权利要求9或权利要求10所述的组合物，其中，包含选自由Mn、Al、Si和Li组成的组中的1种以上元素的杂质的含量在按元素换算时相对于全部所述化合物为1质量ppm以下。12.根据权利要求9～权利要求11中任一项所述的组合物，其中，含磷的化合物的含量相对于全部所述化合物为10质量ppm以下。13.根据权利要求9～权利要求12中任一项所述的组合物，其中，马来酸的含量相对于全部所述化合物为10质量ppm以下。14.一种包含下述式(1
‑
A)所示的结构单元的聚合物，其包含源自权利要求1～权利要求5中任一项所述的化合物的结构单元，式(1
‑
A)中，R
A
、R
X
、R
B
和P与式(1)中的定义相同，＊为与相邻的结构单元键合的键合部位。15.根据权利要求14所述的聚合物，其还包含下述式(C0)、下述式(C1)或下述式(C2)所
示的结构单元，式(C0)中，X各自独立地为I、F、Cl、Br、或具有选自I、F、Cl和Br组成的组中的1个以上且5个以下取代基的碳数1～30的有机基团，L1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，所述L1的醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基任选具有取代基，Y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，所述Y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基和磷酸基任选具有取代基，R
A
与式(1)中的定义相同，A为碳数1～30的有机基团，Z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基或碳酸酯基，所述Z的烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基或碳酸酯基任选具有取代基，m为0以上的整数，n为1以上的整数，r为0以上的整数，式(C1)中，R
C11
为氢原子、甲基或三氟甲基，R
C12
为氢原子或碳数1～4的烷基，R
C13
为与R
C13
所键合的碳原子一起形成的碳数4～20的环烷基或杂环烷基，＊为与相邻的结构单元键合的键合部位，
而且，式(C2)中，R
C21
为氢原子、甲基或三氟甲基，R
C22
和R
C23
各自独立地为碳数1～4的烷基，R
C24
为碳数1～4的烷基或碳数5～20的环烷基，R
C22
、R
C23
和R
C24
之中的二者或三者任选形成与该R
C22
、R
C23
和R
C24
之中的二者或三者所键合的碳原子一起形成的碳数3～20的脂环结构，＊为与相邻的结构单元键合的键合部位。16.一种膜形成用组合物，其含有权利要求1～权利要求5中任一项所述的化合物、权利要求6～13中任一项所述的组合物、或者权利要求14或15所述的聚合物。17.根据权利要求16所述的膜形成用组合物，其还包含产酸剂、产碱剂或碱性化合物。18.一种抗蚀图案的形成方法，其包括：使用权利要求16或权利要求17的膜形成用组合物，在基板上将抗蚀膜成膜的工序；对所述抗蚀膜使图案曝光的工序；以及，对曝光后的所述抗蚀膜进行显影处理的工序。19.一种绝缘膜的形成方法，其包括：使用权利要求16或权利要求17的膜形成用组合物，在基板上将抗蚀膜成膜的工序；对所述抗蚀膜使图案曝光的工序；以及，在曝光后对所述抗蚀膜进行显影处理的工序。20.一种下述式(1)所示的含碘的乙烯基单体的制造方法，其中，式(1)中，R
A
为氢原子、甲基或三氟甲基，R
X
为OR
B
或氢原子，R
B
为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，所述制造方法包括：a)准备具有下述式(1
‑
1)所示通用结构的含碘的醇性底物的工序，
式(1
‑
1)中，R
A
为氢原子、甲基或三氟甲基，R
X
为OR
B
或氢原子，R
B
为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，R7～R
10
各自独立地为氢原子、羟基、甲氧基、卤素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者为羟基或甲氧基；以及，b)脱水工序，对所述含碘的醇性底物实施脱水处理。21.根据权利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基单体的制造方法，其还包括：c)准备具有下述式(1
‑
2)所示通用结构的含碘的酮性底物的工序，式(1
‑
2)中，R
X
为OR
B
或氢原子，R
B
为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，R7～R
10
各自独立地为氢原子、羟基、甲氧基、卤素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者为羟基或甲氧基；以及，d)还原工序，对所述含碘的酮性底物实施还原处理。22.根据权利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基单体的制造方法，其还包括：e)准备具有下述式(1
‑
3)所示通用结构的醇性底物的工序，
式(1
‑
3)中，R
A
为氢原子、甲基或三氟甲基，R
X
为OR
B
或氢原子，R
B
为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，R7～R
10
各自独立地为氢原子、羟基、甲氧基、卤素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者为羟基或甲氧基；以及，f)碘导入工序，向所述醇性底物导入碘原子。23.根据权利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基单体的制造方法，其还包括：g)准备具有下述式(1
‑
4)所示通用结构的酮性底物的工序，式(1
‑
4)中，R
X
为OR
B
或氢原子，R
B
为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基，R7～R
10
各自独立地为氢原子、羟基、甲氧基、卤素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者为羟基或甲氧基；以及，h)碘导入工序，向所述酮性底物导入碘原子。24.根据权利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基单体的制造方法，其还包括：i)准备具有下述式(1
‑
4)所示通用结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：大松祯，冈田悠，小熊威，松本正裕，新美结士，越后雅敏，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：