用于光刻胶层中场引导酸轮廓控制的设备制造技术

本文描述的实施方式涉及用于处理基板的设备和方法。更特定地，提供了一种具有可移动电极的处理腔室，可移动电极用于在填充有流体的处理容积内产生平行场。在一个实施方式中，处理腔室的长轴线垂直地定向，且基板支撑件与沿着处理腔室的长轴线延伸的多个可移动电极相对设置。在某些实施方式中，基板支撑件是电浮动的且能够在处理基板期间围绕处理腔室的短轴线旋转。短轴线旋转。短轴线旋转。

【技术实现步骤摘要】
用于光刻胶层中场引导酸轮廓控制的设备
[0001]本申请是申请日为2017年11月07日、申请号为201780080204.2、专利技术名称为“用于光刻胶层中场引导酸轮廓控制的设备”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备。更特定地，本文描述的实施方式涉及处理其上设置有光刻胶层的基板的设备。

技术介绍

[0003]集成电路已经发展成可在单个芯片上包括数百万个部件(例如，晶体管、电容器和电阻器)的复杂装置。光刻可用于在芯片上形成部件。通常光刻的处理涉及几个阶段。首先，在基板上形成光刻胶层。光刻胶层可通过(例如)旋涂而形成。化学放大光刻胶可包括抗蚀剂树脂(resist resin)和光酸产生剂。光酸产生剂在随后的曝光阶段中曝露于电磁辐射时会改变光刻胶在显影处理中的溶解度。电磁辐射可具有任何合适的波长，诸如极紫外区域中的波长。电磁辐射可来自任何合适的源，诸如例如193nm的ArF激光器、电子束、离子束或其他源。接着可在曝光前烘烤处理中移除过量的溶剂。
[0004]在曝光阶段，可使用光掩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备，包含：腔室主体，至少部分地界定处理容积；门，耦接到所述腔室主体；滑动密封件，耦接到所述腔室主体的侧壁；及多个电极，每个电极耦接到延伸穿过所述滑动密封件的轴，所述多个电极与所述门相对而设置在所述处理容积中。2.如权利要求1所述的设备，其中所述处理容积的长轴线垂直地定向，且所述处理容积的短轴线水平地定向。3.如权利要求1所述的设备，进一步包含：真空卡盘，耦接到所述门。4.如权利要求3所述的设备，进一步包含：背板，设置在所述真空卡盘和所述门之间。5.如权利要求1所述的设备，进一步包含：马达，耦接到所述轴。6.如权利要求1所述的设备，其中所述电极由一种或多种金属材料、含碳化硅材料、或含石墨材料制成。7.如权利要求1所述的设备，进一步包含：多个第一流体端口，形成在所述腔室主体中，其中所述多个第一流体端口与第一导管流体连通。8.如权利要求7所述的设备，进一步包含：多个第二流体端口，形成在所述腔室主体中，其中所述多个第二流体端口经由第二导管与流体出口流体连通。9.如权利要求8所述的设备，其中所述多个第二流体端口与所述多个第一流体端口相对而设置。10.如权利要求1所述的设备，其中所述滑动密封件是滑动真空密封件。11.如权利要求10所述的设备，其中所述滑动真空密封件包含多个弹性体垫圈。12.如权利要求5所述的设备，其中耦接到所述多个轴的所述马达能操作以在所述处理容积内移动所述电极。13.一种用于处理基板的设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢多维克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：