双波长少子寿命的检测装置制造方法及图纸

一种双波长少子寿命的检测装置，包括904nm的激光光源和1064nm的激光光源，904nm的激光光源和1064nm的激光光源均通过线缆与控制分析系统连接，904nm的激光光源和1064nm的激光光源通过“Y”型光纤与测试探头连接，测试探头通过线缆与控制分析系统连接，测试探头安装在机械手上。本实用新型专利技术能够获取更深的硅块的质量信息，受硅块表面状况影响的更小，从而测试的少子寿命信息更能准确反应硅块质量，满足更高的测试需求。足更高的测试需求。足更高的测试需求。

【技术实现步骤摘要】
双波长少子寿命的检测装置


[0001]本技术属于硅块少子寿命测量
，特别涉及一种双波长少子寿命的检测装置。

技术介绍

[0002]不同波长的激光光源在硅材料中的注入深度不同，所测量的少子寿命反馈的硅晶体的质量信息也不同。波长越长，激光在硅材料中注入越深，获得硅块内部信息更准确。传统微波光电导衰减法少子寿命测试仪WT
‑
2010采用的单激光光源，仅具备一种光源测试能力，而且激光波长为904nm，测试的有效少子寿命的数据上限较低，数据范围有限，无法满足更高的测试需求。

技术实现思路

[0003]鉴于
技术介绍
所存在的技术问题，本技术所提供的双波长少子寿命的检测装置，能够获取更深的硅块的质量信息，受硅块表面状况影响的更小，从而测试的少子寿命信息更能准确反应硅块质量，满足更高的测试需求。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采取了如下技术方案来实现：
[0005]一种双波长少子寿命的检测装置，包括904nm的激光光源和1064nm的激光光源， 904nm的激光光源和1064nm的激光光源均通过线缆与控制分析系统连接，904nm的激光光源和1064nm的激光光源通过“Y”型光纤与测试探头连接，测试探头通过线缆与控制分析系统连接，测试探头安装在机械手上。
[0006]优选的方案中，所述的机械手包括第一滑块，第一滑块与第一丝杆螺纹配合，第一丝杆由第一驱动电机驱动转动，第一驱动电机安装在第二滑块上，第二滑块与第二丝杆螺纹配合，第二丝杆由第二驱动电机驱动转动，第二驱动电机安装在底座内。
[0007]优选的方案中，所述的第一滑块与第一滑杆滑动配合，第一滑杆与第二滑块连接，第二滑块与第二滑杆滑动配合，第二滑杆与底座连接。
[0008]本专利可达到以下有益效果：
[0009]不同波长的激光光源在硅材料中的注入深度不同，所测量的少子寿命反馈的硅晶体的质量信息也不同。波长越长，激光在硅材料中注入越深，获得硅块内部信息更准确。传统微波光电导衰减法少子寿命测试仪WT
‑
2010采用的单激光光源，仅具备一种光源测试能力，而且激光波长为904nm，测试的有效少子寿命的数据上限较低，数据范围有限，无法满足更高的测试需求。本技术在原有单光源微波光电导衰减法测试硅块少子寿命的设备上，加装另一套波长更长的的激光光源，通过“Y”型光纤与测试探头相连，使设备具备两种波长激光光源的测试能力，光源切换方便无需拆卸装置，原激光用于常规生产检测，新增的长激光波长用于实验测试。
附图说明
[0010]下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明：
[0011]图1为本技术结构图；
[0012]图2为本技术波长1064nm的激光光源2作为测试光源和904激光光源1测试硅块少子图谱；
[0013]图3为本技术波长1064nm的激光光源2作为测试光源和904激光光源1测试硅块纵向少子分布图。
[0014]图中：904nm的激光光源1、1064nm的激光光源2、硅块3、测试探头4、第一滑块5、第一丝杆6、第二滑块7、控制分析系统8、第二丝杆9、底座10、第一滑杆11、第二滑杆12。
具体实施方式
[0015]实施例1：
[0016]优选的方案如图1
‑
3所示，一种双波长少子寿命的检测装置，包括904nm的激光光源和1064nm的激光光源，904nm的激光光源和1064nm的激光光源均通过线缆与控制分析系统8连接，904nm的激光光源和1064nm的激光光源通过“Y”型光纤与测试探头4连接，测试探头4通过线缆与控制分析系统8连接，测试探头4安装在机械手上。
[0017]本装置在原有单光源微波光电导衰减法少子寿命测试硅块设备WT
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2010上加装一套激光光源，激光光源波长为940nm
‑
1064nm，优选的激光光源波长为1064nm。1064nm波长的激光光源在硅中的注入深度为842μm，相比传统904nm波长的激光光源在硅中的注入深度33μm，能够获取更深的硅块的质量信息，受硅块表面状况影响的更小，从而测试的少子寿命信息更能准确反应硅块质量，满足更高的测试需求。下面以增加1064nm波长激光光源为例说明：
[0018]1）在原有单光源微波光电导衰减法测试硅块少子寿命的设备上，加装一另一套波长1064nm的激光光源2，通过“Y”型光纤3和904nm的激光光源1与测试探头4相连，控制分析系统8通过线缆分别与1064nm的激光光源2、904nm的激光光源1、测试探头4相连，使设备具备两种波长激光光源的测试能力。
[0019]2）控制分析系统8可以分别选择904nm的激光光源1和1064nm的激光光源2作为测试激光光源；
[0020]3）波长1064nm的激光光源2在硅中注入深度可达840μm，波长904nm的激光光源1在硅中注入深度可达30μm，904nm激光光源用于常规生产测试，064nm的激光光源用于实验测试。
[0021]4）使用波长1064nm的激光光源2作为测试光源相对波长904nm激光光源1有以下特点：激光注入深度达840μm，深度更深，能够获取更多硅块内部少子信息，反应硅块内部金属杂质、位错等质量信息，嫩够满足更高的测试需求；
[0022]5）波长1064nm的激光光源2作为测试光源和904激光光源1测试硅块少子图谱如图2所示；
[0023]6）波长1064nm的激光光源2作为测试光源和904激光光源1测试硅块纵向少子分布如图3所示；
[0024]本技术采用的机械手结构为：机械手包括第一滑块5，第一滑块5与第一丝杆6
螺纹配合，第一丝杆6由第一驱动电机驱动转动，第一驱动电机安装在第二滑块7上，第二滑块7与第二丝杆9螺纹配合，第二丝杆9由第二驱动电机驱动转动，第二驱动电机安装在底座10内。第一滑块5与第一滑杆11滑动配合，第一滑杆11与第二滑块7连接，第二滑块7与第二滑杆12滑动配合，第二滑杆12与底座10连接。如图1所示，第二丝杆9转动带动第二滑块7前后移动，第一丝杆6的转动带动第一滑块5左右移动。
[0025]上述的实施例仅为本技术的优选技术方案，而不应视为对于本技术的限制，本技术的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双波长少子寿命的检测装置，包括904nm的激光光源和1064nm的激光光源，其特征在于：904nm的激光光源和1064nm的激光光源均通过线缆与控制分析系统（8）连接，904nm的激光光源和1064nm的激光光源通过“Y”型光纤与测试探头（4）连接，测试探头（4）通过线缆与控制分析系统（8）连接，测试探头（4）安装在机械手上。2.根据权利要求1所述的双波长少子寿命的检测装置，其特征在于：机械手包括第一滑块（5），第一滑块（5）与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李易成，周晓康，陈发勤，李普，杜政，
申请(专利权)人：宜昌南玻硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：