钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术提供钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，以及具有该钙钛矿量子点薄膜的发光二极管。钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括溶液法薄膜原位后处理步骤：在钙钛矿量子点溶液旋涂过程中快速滴加含有类卤素钝化剂的溶剂，提高所得钙钛矿量子点薄膜的荧光量子产率(PLQY)。发光二极管包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点薄膜、电子传输层、电极层。本发明专利技术通过溶液法对钙钛矿量子点薄膜进行后处理，提升了钙钛矿量子点发光层的荧光量子产率，从而提升相应的发光二极管器件外量子效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及发光显示领域，具体涉及钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]近年来，钙钛矿量子点以其优越的发光性能在显示领域受到了广泛关注，其合成简单易重复，且溶液荧光量子产率(PLQY)接近100％，过去几年间，其LED器件效率飞速发展，外量子效率(EQE)从低于1％迅速提升至20％以上，而其溶液易大面积加工的特性，更使其在未来显示照明领域展现出了巨大潜力。
[0003]钙钛矿量子点LED器件最重要的性能之一是外量子效率，提升发光层薄膜的PLQY是提升器件效率的关键性因素。将钙钛矿量子点溶液制备成薄膜的过程中，由于溶剂快速挥发使配体损失，产生了空位缺陷，所得到的钙钛矿量子点薄膜PLQY相比溶液时大幅降低，一般仅有50
‑
60％，限制了LED器件的外量子效率。
[0004]原位法制备钙钛矿薄膜是通过配置钙钛矿前驱液，在旋涂退火过程中溶剂挥发、钙钛矿结晶生成大尺寸晶粒的多晶薄膜，在旋涂过程中滴加反溶剂以优化调控结晶动力学，提升晶体质量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括：提供钙钛矿量子点溶液和基片；将所述钙钛矿量子点溶液在所述基片之上旋涂成膜，其中，旋涂过程中滴加含有类卤素钝化剂的溶剂。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿量子点为红色钙钛矿量子点、绿色钙钛矿量子点或者蓝色钙钛矿量子点，并且所述钙钛矿量子点的分子式为：APbX3，所述A选自烷基胺盐阳离子、烷基脒盐阳离子和铯离子，所述X为卤族元素。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述类卤素钝化剂为四氟硼酸铵盐。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂包括乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙腈、异丙醇、丙酮和二甘醇双甲醚中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述类卤素钝化剂在溶剂中的浓度为0.1
‑
5mg/mL。6.一种钙钛矿量子点薄膜，其特征在于，通过权利要求1至5中任一项所述的方法制备。7.一种发光二极管，其特征在于，包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电极层，其中所述钙钛矿量子点发光层为权利要求6所述的钙钛矿量子点薄膜。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，空穴传输层包括：聚(9
‑
乙烯咔唑)(PVK)、聚[(4,4
′‑
(N
‑
(4
‑
仲丁基苯基)二苯胺)](PolyTPD)、聚[9,9
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：高贇，戴兴良，叶志镇，何海平，
申请(专利权)人：温州锌芯钛晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：