电介质陶瓷组合物制造技术

本发明专利技术提供一种具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，A位点包含Ba，M位点包含Ti，电介质陶瓷组合物含有第四A副成分，第四A副成分含有Fe和Mn，以金属元素换算计，Mn相对于Fe和Mn的合计的摩尔比为0.18～0.65。为0.18～0.65。为0.18～0.65。

【技术实现步骤摘要】
电介质陶瓷组合物
[0001]本专利技术以2022年2月14日申请的日本专利申请号2022
‑
020707为基础主张优先权，通过参照其全部公开内容而引入本说明书中。


[0002]本专利技术涉及一种电介质陶瓷组合物。

技术介绍

[0003]例如，在日本特开昭63
‑
102105号公报中，为了实现高介电常数，公开了一种含有氧化铌、氧化钴和氧化锰的电介质陶瓷组合物。
[0004]然而，在日本特开昭63
‑
102105号公报所公开的电介质陶瓷组合物中，存在交流击穿电场低这样的技术问题。

技术实现思路

[0005]专利技术想要解决的技术问题
[0006]本专利技术是鉴于这样的实际状况而完成的专利技术，其目的在于，提供一种能够维持高绝缘电阻并提高交流击穿电场的电介质陶瓷组合物。
[0007]用于解决技术问题的手段
[0008]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物是具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，
[0009]A位点包含Ba，
[0010]M位点包含Ti，
[0011]上述电介质陶瓷组合物含有第四A副成分，
[0012]上述第四A副成分含有Fe和Mn，
[0013]以金属元素换算计，Mn相对于Fe和Mn的合计的摩尔比为0.18～0.65。
[0014]利用本专利技术，能够提供一种维持高绝缘电阻并提高交流击穿电场的电介质陶瓷组合物。
[0015]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0～10摩尔份的第二副成分，上述第二副成分优选为选自Nb、Mo、Ta、W、Sn和Bi中的至少1种。
[0016]由此，电介质陶瓷组合物的相对介电常数提高。
[0017]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0.01～2摩尔份的第三副成分，上述第三副成分优选为选自Sm、Nd和La中的至少1种。
[0018]由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性良好。其中，静电容量的温度特性良好是指静电容量变化率(TC)的绝对值小。
[0019]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物可以含有第四B副成分，上述第四B副成分可以
含有选自Co、Zn、Ni和Cr中的至少1种。
[0020]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素合计含有0.02～2.2摩尔份的上述第四A副成分和上述第四B副成分。
[0021]由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性良好。
[0022]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0.08摩尔份以上的第六副成分，上述第六副成分优选为选自Si、Al和B中的至少1种。
[0023]由此，电介质陶瓷组合物的交流击穿电场进一步提高。
[0024]在本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中，以金属元素换算计，Ba、Ca和Sr的合计相对于Ti和Zr的合计的摩尔比优选为0.98～1.02。
[0025]由此，能够进一步提高电介质陶瓷组合物的相对介电常数、绝缘电阻和交流击穿电场，从而降低介质损耗。
[0026]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0～3摩尔份的第五A副成分，上述第五A副成分优选为选自Ba、Ca和Sr中的至少1种，优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0～2.5摩尔份的第五B副成分，上述第五B副成分优选为选自Ti和Zr中的至少1种。
[0027]由此，能够进一步提高电介质陶瓷组合物的相对介电常数、绝缘电阻和交流击穿电场，降低介质损耗。另外，这意味着，即使主成分原料的A位点的元素相对于M位点的元素的摩尔比(A/M)发生变化，只要通过添加第五A副成分和/或第五B副成分，将电介质陶瓷组合物自身的以金属元素换算计的Ba、Ca和Sr的合计相对于Ti和Zr的合计的摩尔比{(Ba+Ca+Sr)/(Ti+Zr)}控制在优选的范围内，也能够提高相对介电常数、绝缘电阻和交流击穿电场，从而降低介质损耗。即，根据主成分原料的A/M比，优选的第五A副成分和第五B副成分的添加量的范围会有变化，但电介质陶瓷组合物自身的优选的{(Ba+Ca+Sr)/(Ti+Zr)}的范围不会改变。
[0028]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有小于0.3摩尔份的第一副成分，上述第一副成分优选为Mg。
[0029]由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性良好。
[0030]本专利技术所涉及的电子部件具有由上述的电介质陶瓷组合物得到的电介质陶瓷组合物所构成的电介质层。
[0031]作为本专利技术所涉及的电子部件，没有特别限定，可以例示单板型陶瓷电容器或叠层陶瓷电容器。
附图说明
[0032]图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的正视图。
[0033]图2是本专利技术的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的侧面截面图。
[0034]符号说明：
[0035]2……
陶瓷电容器；4
……
保护树脂；6、8
……
引线端子；10
……
电介质层；12、14
……
端子电极。
具体实施方式
[0036]陶瓷电容器2
[0037]将作为本实施方式所涉及的电子部件的一个例子的陶瓷电容器2示于图1和图2。如图1和图2所示，本实施方式所涉及的陶瓷电容器2是具有电介质层10、形成于与电介质层10的相对的表面的一对端子电极12、14和与该端子电极12、14分别连接的引线端子6、8的构成，这些被保护树脂4包覆。
[0038]陶瓷电容器2的形状根据目的或用途适当确定即可，优选为电介质层10为圆板形状的单板型的电容器。另外，其尺寸只要根据目的或用途适当确定即可，直径优选为3～20mm，更优选为5～20mm，进一步优选为5～15mm。
[0039]端子电极12、14由导电材料构成。作为端子电极12、14所使用的导电材料，例如可以列举Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In
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Ga合金等。
[0040]电介质层10的厚度没有特别限定，根据用途等适当确定即可，优选为0.1～3mm，更优选为0.3～2mm。通过使电介质层10的厚度成为这样的范围，从而能够适用于中高压用途。
[0041]提高本实施方式，电容器能够小型化。
[0042]电介质层10由本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物构成。在A表示A位点的元素、M表示M位点的元素、O表示氧元素的情况下，本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒。
[0043]其中，“电介质陶瓷组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质陶瓷组合物，其中，该电介质陶瓷组合物具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒，A位点包含Ba，M位点包含Ti，所述电介质陶瓷组合物含有第四A副成分，所述第四A副成分含有Fe和Mn，以金属元素换算计，Mn相对于Fe和Mn的合计的摩尔比为0.18～0.65。2.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，以金属元素换算计，所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素含有0～10摩尔份的第二副成分，所述第二副成分为选自Nb、Mo、Ta、W、Sn和Bi中的至少1种。3.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，以金属元素换算计，所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素含有0.01～2摩尔份的第三副成分，所述第三副成分为选自Sm、Nd和La中的至少1种。4.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，所述电介质陶瓷组合物含有第四B副成分，所述第四B副成分含有选自Co、Zn、Ni和Cr中的至少1种。5.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，以金属元素换算计，所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素合计含有0.02～2.2摩尔份的所述第四A副成分和第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木真一，武藤和也，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：