一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法技术

本发明专利技术提供一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，利用硅纳米线传感器的电流响应饱和值对标准溶液的电流响应值进行归一化处理，建立硅纳米线传感器对含有目标物溶液的响应标准曲线，利用测试获取所需要的待测样品和标定溶液的电流响应值，基于标定后的响应标准曲线确定对应的待测样品浓度，标定测试结果稳定，具有良好的重复性且标定测试过程方便。相比利用其他的标定手段，利用电流响应饱和值标定不用依赖昂贵的设备，标定过程简洁且标定成本低。此外，在标定过程中，不会对硅纳米线传感器的本身造成损害，不影响硅纳米线传感器的使用性能。器的使用性能。器的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法


[0001]本专利技术涉及传感器
，特别是涉及一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法。

技术介绍

[0002]硅纳米线是以硅为基本材料制备而成的，以硅纳米线作为敏感单元的传感器具有成本低、灵敏度高、电学和机械性能优异等优点，因此硅纳米线传感器自诞生以来一直备受众多研究者的关注。目前制备硅纳米线的技术多种多样，例如：金属辅助化学腐蚀工艺、化学气相沉积法、热气相沉积法以及自限制氧化工艺，其中，采用自限制氧化工艺自上而下制备的硅纳米线具有设备精度要求低、生产效率高以及具有良好的均一性等优点，而基于此制备的硅纳米线传感器无论是在成本，还是在灵敏度等方面都具有显著优势。
[0003]但是，采用自限制氧化工艺制备硅纳米线时，一方面由于制造过程中晶圆片内均一性差，造成晶圆不同位置的硅纳米线的尺寸存在差异，另一方面由于在对硅纳米线进行基团和探针的修饰时，不同的硅纳米线传感器的修饰效果存在差异，从而造成了硅纳米线传感器对于同一浓度的目标物溶液存在响应的差异。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，其特征在于，所述标定测试方法包括如下步骤：对硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试条件下已修饰的所述硅纳米线传感器在含有一定预设比例目标物的标准溶液中的电流响应值并依据所述电流响应值确定电流响应饱和值；基于所述电流响应饱和值对所述硅纳米线传感器的电流响应值进行归一化并对所述归一化的结果进行拟合从而确定目标物响应标准曲线；基于所述目标物响应标准曲线，确定待测样品的电流响应值所对应的待测样品浓度。2.根据权利要求1所述的标定测试方法，其特征在于，所述对硅纳米线传感器进行表面修饰的对象包括对羟基、氨基、醛基、羧基、核酸或蛋白中的任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的标定测试方法，其特征在于：所述预定测试条件包括测试用预设源漏电压、测试用预设光照强度、测试用预设环境温度、测试用预设环境湿度中的任意一种或多种。4.根据权利要求4所述的标定测试方法，其特征在于，所述测试用预设源漏电压的大小为0～5V，所述测试用预设光照强度的大小为0～100W/m2，所述测试用预设环境温度为0～30℃，所述测试用预设环境湿度为20％～100％。5.根据权利要求1所述的标定测试方法，其特征在于：确定所述电流响应饱和值的步骤包括：确定预定测试条件；测试获取所述硅纳米线传感器在基准溶液中的电流值I1；测试获取所述硅纳米线传感器在含有一定预设比例目标物的标准溶液中的电流值I2；计算所述硅纳米线传感器在所述标准溶液中的电流响应值，其中，计算公式为S(c)＝I2‑
I1，S(c)为所述硅纳米线传感器在所述标准溶液中的电流响应值；当...

【专利技术属性】
技术研发人员：李铁，陈栋钦，李亚钊，王翊，刘延祥，周宏，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：