一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法技术

本发明专利技术属于传感器技术领域，涉及一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法。本发明专利技术通过水热法在SiC纳米线表面原位生长ZnO纳米颗粒，且ZnO/SiC纳米异质结的ZnO纳米颗粒团聚程度可控；本发明专利技术采用ZnO纳米颗粒生长时间为300

【技术实现步骤摘要】
一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法


[0001]本专利技术属于传感器
，涉及一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]传感器技术是衡量现代化进程的关键技术之一，随着硅、微机械加工技术、超大集成电路技术和材料制备与特性研究工作的进展，使得传感器的重要性更加凸显。在众多传感器中，气体传感器就是一种可以将目视不到的气体种类及浓度转换和输出成可视化信号的传感装置。随着国家重大科技专项的提出与发展，对耐高温高压、轻量化、小体积及耐辐射气敏传感器的要求越来越高。
[0003]众所周知，应用最广泛的半导体气体传感器是以硅为基底的场发射式传感器，而由于Si材料的半导体禁带宽度较窄，其在高温高功率条件下的自加热和漏电流现象，导致其最高工作温度仅为250℃，不能满足高温条件的使用要求。研究者发现金属氧化物半导体吸附气体后体电阻会发生变化，具有气体检测的潜力。1962年，Taguchi首次研制出基于SnO2材料的气体传感器，随后不同晶型及形貌的金属氧化物气体传感器相继问世。目前，已报到的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器，其特征在于，所述气敏传感器包括带有金电极的陶瓷管、加热丝、插片及负载于陶瓷管上的功能单元，所述功能单元为ZnO/SiC纳米异质结。2.根据权利要求1所述的高温乙醇气敏传感器，其特征在于，所述ZnO/SiC纳米异质结包括SiC单晶纳米线以及生长在SiC单晶纳米线表面的ZnO纳米颗粒。3.根据权利要求2所述的高温乙醇气敏传感器，其特征在于，所述SiC单晶纳米线为未掺杂SiC纳米线、N掺杂SiC纳米线、P掺杂SiC纳米线中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的高温乙醇气敏传感器，其特征在于，所述SiC单晶纳米线直径为100
‑
600nm，长度为10
‑
60μm。5.一种如权利要求1所述ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、制备ZnO/SiC纳米异质结：将SiC单晶纳米线分散于NaOH溶液中，然后离心清洗获得羟基化的SiC单晶纳米线；将羟基化SiC单晶纳米线放入水热反应系统，以六水硝酸锌、水和三乙醇胺作为生长ZnO纳米颗粒的前驱体，在SiC纳米线表面生长ZnO，从而获得ZnO/SiC纳米异质结；S2、气敏传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：王霖，黄海丽，张冬冬，陈善亮，高凤梅，胡丰，杨为佑，
申请(专利权)人：宁波工程学院，
类型：发明
国别省市：