电介质陶瓷组合物和单板型电容器制造技术

本发明专利技术提供一种具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，其中，A位点包含Ba，M位点包含Ti，主成分颗粒的D50为960nm以下，主成分颗粒的D90为1460nm以下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
电介质陶瓷组合物和单板型电容器
[0001]本申请以2022年2月14日提出申请的日本专利申请号2022
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020711为基础主张优先权，通过参照其全部公开内容而引入本说明书中。


[0002]本专利技术涉及一种电介质陶瓷组合物和电子部件。

技术介绍

[0003]例如在日本特开昭51
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76599号公报中为了达到高介电常数，公开有包含氧化锰、氧化铌和氧化铋的电介质陶瓷组合物。在日本特开昭51
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76599号公报中记载有所获得的陶瓷的16KHz、800Vrms/mm、50℃下的损耗角良好。但是，在日本特开昭51
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76599号公报中未对静电容量的电压特性进行探讨。

技术实现思路

[0004]专利技术想要解决的技术问题
[0005]本专利技术是鉴于这样的状况而完成的，其目的在于，提供一种静电容量的电压特性良好的电介质陶瓷组合物。
[0006]用于解决技术问题的手段
[0007]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，其中，
[0008]A位点包含Ba，
[0009]M位点包含Ti，
[0010]上述主成分颗粒的D50为960nm以下，
[0011]上述主成分颗粒的D90为1460nm以下。
[0012]根据本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物，能够提供静电容量的电压特性良好的电介质陶瓷组合物。另外，“静电容量的电压特性良好”是指，规定的电压范围下的静电容量的变化率(电压静电容量变化率(VC))的绝对值小。
[0013]优选上述主成分颗粒的D50为330～960nm。
[0014]由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性变得良好。另外，“静电容量的温度特性良好”是指，规定的温度范围下的静电容量的变化率(温度静电容量变化率(TC))的绝对值小。
[0015]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0.01～4摩尔份的第二副成分，上述第二副成分优选为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr、Eu、Y、Gd、Tb、Ho、Er、Tm和Yb中的至少1种。
[0016]由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性变得良好。
[0017]在本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中，上述第二副成分也可以为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr和Eu中的至少1种。
[0018]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0.01～2摩尔份的上述第二副成分。
[0019]由此，电介质陶瓷组合物的静电容量的温度特性变得更加良好。
[0020]本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物优选以金属元素换算计相对于100摩尔份的上述M位点的元素含有0～10摩尔份的第一副成分，上述第一副成分优选为选自Nb、Ta、Mo、W、Sn、Bi和Mg中的至少1种。
[0021]通过以金属元素换算计含有0～10摩尔份的第一副成分，从而能够良好地维持电介质陶瓷组合物的相对介电常数。当第一副成分的包含量过多时存在电介质陶瓷组合物的相对介电常数降低的倾向。
[0022]在本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物中，上述第一副成分也可以为选自Nb、Ta、Mo、W、Sn和Bi中的至少1种。
[0023]本专利技术所涉及的电子部件具有利用由上述的电介质陶瓷组合物获得的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。
[0024]作为本专利技术所涉及的电子部件，没有特别限定，可例示单板型陶瓷电容器或层叠陶瓷电容器。
附图说明
[0025]图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的正视图。
[0026]图2是本专利技术的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的侧面截面图。
[0027]图3是构成图2所示的电介质层的电介质陶瓷组合物的截面的示意图。
[0028]附图标记的说明
[0029]2……
陶瓷电容器
[0030]4……
保护树脂
[0031]6、8
……
引线端子
[0032]10
……
电介质层
[0033]12、14
……
端子电极
[0034]20
……
主成分颗粒
具体实施方式
[0035]陶瓷电容器2
[0036]图1和图2中示出作为本实施方式所涉及的电子部件的一个例子的陶瓷电容器2。如图1和图2所示，本实施方式所涉及的陶瓷电容器2是具有电介质层10、形成于与电介质层10相对的表面的一对端子电极12、14和与该端子电极12、14分别连接的引线端子6、8的构成，这些被保护树脂4包覆。
[0037]陶瓷电容器2的形状根据目的或用途适当确定即可，优选为电介质层10为圆板形状的单板型的电容器。另外，其尺寸只要根据目的或用途适当确定即可，直径为3～20mm，优选为5～20mm，进一步优选为5～15mm。
[0038]端子电极12、14由导电材料构成。作为在端子电极12、14使用的导电材料，例如能够列举Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In
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Ga合金等。
[0039]电介质层10的厚度没有特别限定，根据用途等适当地决定即可，优选为0.1～3mm，更优选为0.3～2mm。通过将电介质层10的厚度设为这样的范围，能够适用于中高压用途中。
[0040]根据本实施方式，能够实现电容器的小型化。
[0041]电介质层10由图3所示的本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物构成。在A表示A位点的元素、M表示M位点的元素、O表示氧元素的情况下，本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒20。
[0042]其中，“电介质陶瓷组合物的主成分”是占电介质陶瓷组合物的90质量％以上的成分。即，本实施方式中的主成分颗粒20是包含这样的主成分的颗粒。因此，既可以在主成分颗粒20中固溶有一部分副成分，也可以是主成分颗粒20形成主成分与副成分的核壳结构。
[0043]作为A位点的元素包含Ba。A位点的元素除Ba以外还可以包含Ca和/或Sr。
[0044]作为M位点的元素包含Ti。M位点的元素除Ti以外还可以包含Zr。
[0045]本实施方式所涉及的主成分颗粒20的D50为960nm以下，优选为330～960nm，更优选为500～900nm。
[0046]此处，D50是从粒径小的颗粒开始数累计频率达到50％的颗粒的粒径。
[0047]本实施方式所涉及的主成分颗粒20的D90为1460nm以下，优选为1350nm以下。
[0048]此处，D90是从粒径小的颗粒开始数累计频率达到90％的颗粒的粒径。
[0049]这样，本实施方式所涉及的主成分颗粒20的粒径的偏差少。
[0050]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质陶瓷组合物，其中，该电介质陶瓷组合物具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒，A位点包含Ba，M位点包含Ti，所述主成分颗粒的D50为960nm以下，所述主成分颗粒的D90为1460nm以下。2.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，所述主成分颗粒的D50为330～960nm。3.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，以金属元素换算计，所述电介质陶瓷组合物中相对于100摩尔份的所述M位点的元素含有0.01～4摩尔份的第二副成分，所述第二副成分为选自Sm、Nd、La、Dy、Ce、Pr、Eu、Y、Gd、Tb、Ho、Er、Tm和Yb中的至少1种。4.如权利要求3所述的电介质陶瓷组合物，其中，所述第二副成分为选自Sm、Nd、La...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤和也，佐佐木真一，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：