激光驱动电路的电源电路及激光治疗设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种激光驱动电路的电源电路及激光治疗设备，涉及电源电路技术领域，该电源电路包括：主升压模块和辅助升压模块；主升压模块包括主升压电源芯片、第一自举升压单元、第一MOS管组合、第一升压组件和第一电流检测单元；辅助升压模块包括辅助升压电源芯片、第二自举升压单元、第二MOS管组合、第二升压组件和第二电流检测单元；主升压电源芯片与辅助升压电源芯片电连接；第一自举升压单元和第二自举升压单元均包括电容，第一自举升压单元中电容的容量大于第二自举升压单元中电容的容量。本实用新型专利技术能够在采用双升压电源芯片叠加供电时，使电源电路在空载状态的待机电流更小，降低了电路功耗，避免空载发热严重而损坏电路元器件。损坏电路元器件。损坏电路元器件。

【技术实现步骤摘要】
激光驱动电路的电源电路及激光治疗设备


[0001]本技术涉及电源电路
，尤其是涉及一种激光驱动电路的电源电路及激光治疗设备。

技术介绍

[0002]激光驱动电路的电源电路用于为激光组件供电，现有的激光驱动电路的电源电路通常采用升压电源芯片对输入电源进行升压，但是，激光装置在输出功率较大的情况下，需要在较高的工作电压和较大的工作电流下工作，相应地，需要激光驱动电路的电源电路提供较高的供电电压，为了满足激光装置的大工作电流需求，可以设置两个升压电源芯片复合使用，但是两个升压电源芯片复合使用，容易存在空载待机电流较大，电源电路功耗较大导致发热严重的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种激光驱动电路的电源电路及激光治疗设备，能够在采用双升压电源芯片叠加供电时，使电源电路在空载状态的待机电流更小，降低了电路功耗，避免空载发热严重而损坏电路元器件。
[0004]为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
[0005]第一方面，本技术实施例提供了一种激光驱动电路的电源电路，包括：主升压模块和辅助升压模块；所述主升压模块包括主升压电源芯片、第一自举升压单元、第一MOS管组合、第一升压组件和第一电流检测单元；所述辅助升压模块包括辅助升压电源芯片、第二自举升压单元、第二MOS管组合、第二升压组件和第二电流检测单元；所述主升压电源芯片与所述辅助升压电源芯片电连接；所述第一MOS管组合包括第一端、第二端和控制端，所述第一MOS管组合的控制端与所述主升压电源芯片的输出端连接，所述第一自举升压单元连接于所述主升压电源芯片和所述第一MOS管组合的第一端之间，所述第一MOS管组合的第二端与电源输出端电连接，所述第一升压组件的一端与所述第一MOS管组合的第一端及所述第一自举升压单元连接，所述第一升压组件的另一端与所述第一电流检测单元的一端连接，所述第一电流检测单元的另一端与电源输入端连接；所述第二MOS管组合包括第一端、第二端和控制端，所述第二MOS管组合的控制端与所述辅助升压电源芯片的输出端连接，所述第二自举升压单元连接于所述辅助升压电源芯片和所述第二MOS管组合的第一端之间，所述第二MOS管组合的第二端与所述电源输出端电连接，所述第二升压组件的一端与所述第二MOS管组合的第一端及所述第二自举升压单元连接，所述第二升压组件的另一端与所述第二电流检测单元的一端连接，所述第二电流检测单元的另一端与所述电源输入端连接；所述第一自举升压单元和所述第二自举升压单元均包括电容，所述第一自举升压单元中电容的容量大于所述第二自举升压单元中电容的容量。
[0006]进一步，所述电源电路还包括：输入滤波模块和输出滤波模块；所述输入滤波模块的一端与所述电源输入端连接，所述输入滤波模块的另一端与所述第一电流检测单元及所
述第二电流检测单元连接；所述输出滤波模块的一端与所述电源输出端连接，所述输出滤波模块的另一端与所述第一MOS管组合的第二端及所述第二MOS管组合的第二端连接。
[0007]进一步，所述电源电路还包括：第一延时电路模块，所述电源输入端通过所述第一延时电路模块与所述主升压电源芯片的开启控制端及所述辅助升压电源芯片的开启控制端电连接。
[0008]进一步，所述电源电路还包括：第二延时电路模块，所述第二延时电路模块与所述主升压电源芯片的延时启动端及所述辅助升压电源芯片的延时启动端连接。
[0009]进一步，所述第一电流检测单元包括阻值相同的采样电阻R11和采样电阻R12，所述第二电流检测单元包括阻值相同的采样电阻R21和采样电阻R22；所述采样电阻R11的阻值小于所述采样电阻R21的阻值，且r21/r11≥1.5，其中r21和r11分别为采样电阻R21和采样电阻R11的阻值。
[0010]进一步，所述第一MOS管组合包括四个MOS管Q11～Q14，所述第二MOS管组合包括四个MOS管Q21～Q24，所述第一升压组件包括电感L11和电感L12，所述第二升压组件包括电感L21和电感L22；
[0011]所述MOS管Q11～Q14的栅极与所述主升压电源芯片的第一输出端～第四输出端一一对应电连接，所述主升压电源芯片用于触发所述MOS管Q11和MOS管Q12交替导通、所述MOS管Q13和所述MOS管Q14交替导通以及所述MOS管Q11和MOS管Q14同时导通，所述MOS管Q11和所述MOS管Q14的漏极与所述电源输出端连接，所述MOS管Q12和所述MOS管Q13的源极接地；
[0012]所述MOS管Q21～Q24的栅极与所述辅助升压电源芯片的第一输出端～第四输出端一一对应电连接，所述辅助升压电源芯片用于触发所述MOS管Q21和MOS管Q22交替导通、MOS管Q23和所述MOS管Q24交替导通以及所述MOS管Q21和MOS管Q24同时导通，所述MOS管Q21和所述MOS管Q24的漏极与所述电源输出端连接，所述MOS管Q22和所述MOS管Q23的源极接地；
[0013]所述电感L11的一端与所述MOS管Q11的源极、所述MOS管Q12的漏极及所述第一自举升压单元的一端连接，所述电感L11的另一端与所述采样电阻R11的一端连接，所述采样电阻R11的另一端与所述电源输入端连接，所述电感L12的一端与所述MOS管Q13的漏极、所述MOS管Q14的源极及所述第一自举升压单元的另一端连接；
[0014]所述电感L21的一端与所述MOS管Q21的源极、所述MOS管Q22的漏极及所述第二自举升压单元的一端连接，所述电感L21的另一端与所述采样电阻R21的一端连接，所述采样电阻R21的另一端与所述电源输入端连接，所述电感L22的一端与所述MOS管Q23的漏极、所述MOS管Q24的源极及所述第二自举升压单元的另一端连接。
[0015]进一步，所述第一自举升压单元包括：电容C11、电容C12、稳压二极管D11和稳压二极管D12，所述第二自举升压单元包括：电容C21、电容C22、稳压二极管D21和稳压二极管D22；
[0016]所述电容C11的一端与所述电感L11、所述MOS管Q11的源极、所述MOS管Q12的漏极及所述主升压电源芯片连接，所述电容C11的另一端与所述稳压二极管D11的负极及所述主升压电源芯片连接，所述稳压二极管D11的正极与所述稳压二极管D12的正极及所述主升压电源芯片连接，所述稳压二极管D12的负极与所述电容C12的一端及所述主升压电源芯片连接，所述电容C12的另一端与所述电感L12、所述MOS管Q13的漏极、所述MOS管Q14的源极及所述主升压电源芯片连接；
[0017]所述电容C21的一端与所述电感L21、所述MOS管Q21的源极、所述MOS管Q22的漏极及所述辅助升压电源芯片连接，所述电容C21的另一端与所述稳压二极管D21的负极及所述辅助升压电源芯片连接，所述稳压二极管D21的正极与所述稳压二极管D22的正极及所述辅助升压电源芯片连接，所述稳压二极管D22的负极与所述电容C22的一端及所述辅助升压电源芯片连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光驱动电路的电源电路，其特征在于，包括：主升压模块和辅助升压模块；所述主升压模块包括主升压电源芯片、第一自举升压单元、第一MOS管组合、第一升压组件和第一电流检测单元；所述辅助升压模块包括辅助升压电源芯片、第二自举升压单元、第二MOS管组合、第二升压组件和第二电流检测单元；所述主升压电源芯片与所述辅助升压电源芯片电连接；所述第一MOS管组合包括第一端、第二端和控制端，所述第一MOS管组合的控制端与所述主升压电源芯片的输出端连接，所述第一自举升压单元连接于所述主升压电源芯片和所述第一MOS管组合的第一端之间，所述第一MOS管组合的第二端与电源输出端电连接，所述第一升压组件的一端与所述第一MOS管组合的第一端及所述第一自举升压单元连接，所述第一升压组件的另一端与所述第一电流检测单元的一端连接，所述第一电流检测单元的另一端与电源输入端连接；所述第二MOS管组合包括第一端、第二端和控制端，所述第二MOS管组合的控制端与所述辅助升压电源芯片的输出端连接，所述第二自举升压单元连接于所述辅助升压电源芯片和所述第二MOS管组合的第一端之间，所述第二MOS管组合的第二端与所述电源输出端电连接，所述第二升压组件的一端与所述第二MOS管组合的第一端及所述第二自举升压单元连接，所述第二升压组件的另一端与所述第二电流检测单元的一端连接，所述第二电流检测单元的另一端与所述电源输入端连接；所述第一自举升压单元和所述第二自举升压单元均包括电容，所述第一自举升压单元中电容的容量大于所述第二自举升压单元中电容的容量。2.根据权利要求1所述的激光驱动电路的电源电路，其特征在于，还包括：输入滤波模块和输出滤波模块；所述输入滤波模块的一端与所述电源输入端连接，所述输入滤波模块的另一端与所述第一电流检测单元及所述第二电流检测单元连接；所述输出滤波模块的一端与所述电源输出端连接，所述输出滤波模块的另一端与所述第一MOS管组合的第二端及所述第二MOS管组合的第二端连接。3.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，还包括：第一延时电路模块，所述电源输入端通过所述第一延时电路模块与所述主升压电源芯片的开启控制端及所述辅助升压电源芯片的开启控制端电连接。4.根据权利要求3所述的激光驱动电路的电源电路，其特征在于，还包括：第二延时电路模块，所述第二延时电路模块与所述主升压电源芯片的延时启动端及所述辅助升压电源芯片的延时启动端连接。5.根据权利要求1所述的激光驱动电路的电源电路，其特征在于，所述第一电流检测单元包括阻值相同的采样电阻R11和采样电阻R12，所述第二电流检测单元包括阻值相同的采样电阻R21和采样电阻R22；所述采样电阻R11的阻值小于所述采样电阻R21的阻值，且r21/r11≥1.5，其中r21和r11分别为采样电阻R21和采样电阻R11的阻值。6.根据权利要求5所述的激光驱动电路的电源电路，其特征在于，所述第一MOS管组合包括四个MOS管Q11～Q14，所述第二MOS管组合包括四个MOS管Q21～Q24，所述第一升压组件包括电感L11和电感L12，所述第二升压组件包括电感L21和电感L22；所述MOS管Q11～Q14的栅极与所述主升压电源芯片的第一输出端～第四输出端一一对
应电连接，所述主升压电源芯片用于触发所述MOS管Q11和MOS管Q12交替导通、所述MOS管Q13和所述MOS管Q14交替导通以及所述MOS管Q11和MOS管Q14同时导通，所述MOS管Q11和所述MOS管Q14的漏极与所述电源输出端连接，所述MOS管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启友，黄剑威，吉恩才，戴逸翔，
申请(专利权)人：密尔医疗科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：