一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，涉及到半导体功率模块技术领域，包括壳体，壳体的底部安装有铜基板，铜基板上安装有陶瓷基板，陶瓷基板上安装有线路板，线路板上安装有多个功率半导体器件，壳体内设有绝缘油，壳体上设有弹性盖，弹性盖上设有复位槽弹性变形基体，复位槽弹性变形基体上设有保护结构，保护结构包括耐磨层，耐磨层安装在复位槽弹性变形基体的底部，耐磨层的底部安装有抗静电层，抗静电层的底部安装有抗高温层。本实用新型专利技术，通过复位槽弹性变形基体的设置，当绝缘油热胀后会驱使复位槽弹性变形基体变形鼓起来增加壳体内部的容积，以此来适应绝缘油热胀后增大的体积，避免造成壳体破裂。裂。裂。

【技术实现步骤摘要】
一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块


[0001]本技术涉及半导体功率模块
，尤其涉及一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块。

技术介绍

[0002]半导体功率模块就是按一定功能、模式的组合体，半导体功率模块是大功率电子电力器件按一定的功能组合再灌封成一体，半导体功率模块可根据封装的元器件的不同实现不同功能，其由功率半导体器件、线路板、陶瓷基板、铜基板和壳体组合而成，功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mos)、绝缘栅双极晶体管(igbt)以及功率集成电路(pic)为主，这些器件或集成电路能在很高的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。
[0003]半导体功率模块的内部多采用绝缘油进行阻断与散热，当温度升高后绝缘油会进行热涨，达到一定程度会导致半导体功率模块的壳体破裂，造成损坏，同时绝缘油升温后难以快速降温，长时间使用会对内部的电子器件造成损坏，因此需要一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块来满足人们的需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，以解决上述
技术介绍
中提出的当温度升高后绝缘油会进行热涨，达到一定程度会导致半导体功率模块的壳体破裂，造成损坏的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，包括壳体，所述壳体的底部安装有铜基板，铜基板上安装有陶瓷基板，陶瓷基板上安装有线路板，线路板上安装有多个功率半导体器件，壳体内设有绝缘油，所述壳体上设有弹性盖，弹性盖上设有复位槽弹性变形基体，复位槽弹性变形基体上设有保护结构，所述保护结构包括耐磨层，所述耐磨层安装在复位槽弹性变形基体的底部，所述耐磨层的底部安装有抗静电层，所述抗静电层的底部安装有抗高温层，所述抗高温层的底部安装有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的底部与绝缘油相接触。
[0006]优选的，所述铜基板上设有恒温水箱，恒温水箱上安装有微型水泵，微型水泵上设有输水管，输水管的另一端安装有转接箱，转接箱上安装有两个冷凝管，两个冷凝管安装在恒温水箱上。
[0007]优选的，所述抗高温层包括天丝纤维层，所述天丝纤维层安装在抗静电层的底部，所述天丝纤维层的底部安装有冰丝纤维层，所述冰丝纤维层的底部安装有第一耐高温层，所述第一耐高温层的底部安装有第二耐高温层，所述第二耐高温层的底部安装在耐腐蚀层的顶侧。
[0008]优选的，所述耐腐蚀层包括聚乙烯层，所述聚乙烯层安装在第二耐高温层的底部，所述聚乙烯层的底部安装有聚对苯二甲酸乙二醇酯层，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层的底
部安装有乙烯醇缩丁醛层，所述乙烯醇缩丁醛层的底部安装有阻隔层，所述阻隔层的底部安装有粘合层，所述粘合层的底部与绝缘油相接触。
[0009]优选的，所述耐磨层的宽度范在十三微米至十七微米之间，所述抗静电层的宽度范围在三十微米至七十微米之间。
[0010]优选的，所述抗高温层的宽度范围在二十微米至三十微米之间，所述耐腐蚀层的宽度范围在七微米至十七微米之间。
[0011]优选的，所述输水管的材质为二氧化硅制成。
[0012]本技术的有益效果是：
[0013]本技术中，通过复位槽弹性变形基体的设置，当绝缘油热胀后会驱使复位槽弹性变形基体变形鼓起来增加壳体内部的容积，以此来适应绝缘油热胀后增大的体积，避免造成壳体破裂。
[0014]本技术中，通过微型水泵、冷凝管和输水管等结构的设置，微型水泵将恒温水箱内的水抽取到输水管内，再由输水管回水到转接箱内，水经过冷凝管进行冷却，继续回流到恒温水箱内进行恒温储存，继而循环使用对壳体内的绝缘油进行快速冷却，防止升温后长时间使用会对内部的电子器件造成损坏。
附图说明
[0015]图1为本技术提出的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块的结构示意图；
[0016]图2为本技术提出的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块的壳体的内剖图；
[0017]图3为本技术提出的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块的保护结构的结构示意图；
[0018]图4为本技术提出的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块的抗高温层的结构示意图；
[0019]图5为本技术提出的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块的耐腐蚀层的结构示意图。
[0020]图中：1、壳体；2、弹性盖；3、铜基板；4、陶瓷基板；5、线路板；6、功率半导体器件；7、复位槽弹性变形基体；71、耐磨层；72、抗静电层；73、抗高温层；74、耐腐蚀层；731、天丝纤维层；732、冰丝纤维层；733、第一耐高温层；734、第二耐高温层；741、聚乙烯层；742、聚对苯二甲酸乙二醇酯层；743、乙烯醇缩丁醛层；744、阻隔层；745、粘合层；8、输水管；9、微型水泵；10、恒温水箱；11、冷凝管；12、转接箱。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0022]参照图1
‑
4，一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，包括壳体1，壳体1的底部安装有铜基板3，铜基板3上安装有陶瓷基板4，陶瓷基板4上安装有线路板5，线路板5
上安装有多个功率半导体器件6，壳体1内设有绝缘油，壳体1上设有弹性盖2，弹性盖2上设有复位槽弹性变形基体7，复位槽弹性变形基体7上设有保护结构，保护结构包括耐磨层71，耐磨层71安装在复位槽弹性变形基体7的底部，耐磨层71的底部安装有抗静电层72，抗静电层72的底部安装有抗高温层73，抗高温层73的底部安装有耐腐蚀层74，耐腐蚀层74的底部与绝缘油相接触，耐磨层71的宽度范在十三微米至十七微米之间，抗静电层72的宽度范围在三十微米至七十微米之间，耐磨层71能够防止复位槽弹性变形基体7在使用时被刮破或磨坏，抗静电层72能够让复位槽弹性变形基体7具有抗静电特性。
[0023]参照图4，本技术中，抗高温层73包括天丝纤维层731，天丝纤维层731安装在抗静电层72的底部，天丝纤维层731的底部安装有冰丝纤维层732，冰丝纤维层732的底部安装有第一耐高温层733，第一耐高温层733的底部安装有第二耐高温层734，第二耐高温层734的底部安装在耐腐蚀层74的顶侧，抗高温层73的宽度范围在二十微米至三十微米之间，对原有的复位槽弹性变形基体7进行改进，分别加入了天丝纤维层731、冰丝纤维层732、第一耐高温层733、第二耐高温层734，可加强对高温的预防，这样做可大大对复位槽弹性变形基体7进行防护。
[0024]参照图5，本技术中，耐腐蚀层74包括聚乙烯层741，聚乙烯层741安装在第二耐高温层734的底部，聚乙烯层741的底部安装有聚对苯二甲酸乙二醇酯层74本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，包括壳体(1)，所述壳体(1)的底部安装有铜基板(3)，铜基板(3)上安装有陶瓷基板(4)，陶瓷基板(4)上安装有线路板(5)，线路板(5)上安装有多个功率半导体器件(6)，壳体(1)内设有绝缘油，其特征在于：所述壳体(1)上设有弹性盖(2)，弹性盖(2)上设有复位槽弹性变形基体(7)，复位槽弹性变形基体(7)上设有保护结构，所述保护结构包括耐磨层(71)，所述耐磨层(71)安装在复位槽弹性变形基体(7)的底部，所述耐磨层(71)的底部安装有抗静电层(72)，所述抗静电层(72)的底部安装有抗高温层(73)，所述抗高温层(73)的底部安装有耐腐蚀层(74)，所述耐腐蚀层(74)的底部与绝缘油相接触。2.根据权利要求1所述的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，其特征在于：所述铜基板(3)上设有恒温水箱(10)，恒温水箱(10)上安装有微型水泵(9)，微型水泵(9)上设有输水管(8)，输水管(8)的另一端安装有转接箱(12)，转接箱(12)上安装有两个冷凝管(11)，两个冷凝管(11)安装在恒温水箱(10)上。3.根据权利要求1所述的一种基于绝缘油热膨胀的可降压半导体功率模块，其特征在于：所述抗高温层(73)包括天丝纤维层(731)，所述天丝纤维层(731)安装在抗静电层(72)的底部，所述天丝纤维层(731)的底部安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁南，陈军楠，
申请(专利权)人：惠州市广大碳基半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：