光路整形过程中光功率控制方法及系统技术方案

技术编号:38520851 阅读:27 留言:0更新日期:2023-08-19 17:00
本发明专利技术涉及光通信技术领域,公开了一种光路整形过程中光功率控制方法及系统。该方法包括获取光照灯管距离待固化透镜的胶体的距离和照射角度;根据光照灯管的距离和照射角度设置若干梯度照射试验方案;根据梯度照射试验方案对待固化透镜进行固化试验,以获得各梯度照射试验方案的光变量;基于光变量确定目标梯度照射试验方案;基于预设步进距离对待固化透镜进行位移试验,以获得目标位移量,并将目标位移量作为预提量;根据目标梯度照射试验方案和预提量进行光路整形。本发明专利技术中通过梯度设置光照强度和时间以及在耦合前设置预提量,保证固化效果的同时降低胶水固化过程中产生的应力,提高光器件生产工艺的耦合精度。提高光器件生产工艺的耦合精度。提高光器件生产工艺的耦合精度。

【技术实现步骤摘要】
光路整形过程中光功率控制方法及系统


[0001]本专利技术涉及光通信
,尤其涉及一种光路整形过程中光功率控制方法及系统。

技术介绍

[0002]光器件是光模块的核心部件,光发射器实现电

光变换,也就是将输入一定码率的电信号经内部的驱动芯片处理后,驱动半导体激光器(LD)发射出相应速率的调制光信号。光接收器实现光

电变换,是将一定码率的光信号输入模块后由光探测二极管转换为电信号,经前置放大器后输出相应码率的电信号。光器件核心工艺是光路整形,即耦合工艺,核心参数是耦合光功率值和响应度。
[0003]光器件生产工艺中,耦合工序逐渐发展成为瓶颈工序,耦合的目的是将半导体激光器芯片(chip)发出的发散光经过透镜(lens)聚焦到9um的光纤中或者将光纤发出的发散光聚焦到20um左右的光电检测器芯片(PDchip)光敏面中。随着光器件朝着高带宽、高速率发展,对光功率或响应度精度要求越来越高,同时要求耦合容差越来越小,例如要求光轴平面方向耦合容差在1um以内,因此,制程过程中光功率或响应度的控制要求也越本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光路整形过程中光功率控制方法,其特征在于,所述光路整形过程中光功率控制方法,包括:获取光照灯管距离待固化透镜的胶体的距离和照射角度;根据所述光照灯管的距离和照射角度设置若干梯度照射试验方案;根据所述梯度照射试验方案对所述待固化透镜进行固化试验,以获得各所述梯度照射试验方案的光变量;基于所述光变量确定目标梯度照射试验方案;基于预设步进距离对所述待固化透镜进行位移试验,以获得目标位移量,并将所述目标位移量作为预提量;根据所述目标梯度照射试验方案和所述预提量进行光路整形。2.如权利要求1所述的光路整形过程中光功率控制方法,其特征在于,所述根据所述光照灯管的距离和照射角度设置若干梯度照射试验方案,包括:根据所述光照灯管的距离和照射角度确定所述光照灯管的光照强度阈值;基于所述光照强度阈值设置若干梯度照射试验方案,每一所述梯度照射试验方案包括梯度照射光强度和照射时间。3.如权利要求2所述的光路整形过程中光功率控制方法,其特征在于,所述基于所述光照强度阈值设置若干梯度照射试验方案之前,还包括:根据预设胶体固化需求确定预设胶体吸收总能量;相应地,所述基于所述光照强度阈值设置若干梯度照射试验方案,包括:基于所述光照强度阈值和所述预设胶体吸收总能量设置若干梯度照射试验方案,每一所述梯度照射试验方案包括梯度照射光强度和照射时间;根据所述梯度照射光强度和所述照射时间确定照射胶体吸收总能量;其中,所述照射胶体吸收总能量大于或等于所述预设胶体吸收总能量。4.如权利要求1所述的光路整形过程中光功率控制方法,其特征在于,所述根据所述梯度照射试验方案对所述待固化透镜进行固化试验,以获得各所述梯度照射试验方案的光变量,包括:将所述待固化透镜耦合至固化位置后进行点胶,获得固化前的第一功率值;根据所述梯度照射试验方案获取梯度照射光强度和照射时间;通过所述光照灯管基于所述梯度照射光强度和所述照射时间对胶体进行固化,以获得固化后的第二功率值;根据所述第一功率值和所述第二功率值确定各所述梯度照射试验方案的光变量。5.如权利要求1所述的光路整形过程中光功率控制方法,其特征在于,所述基于所述光变量确定目标梯度照射试验方案,包括:对所述光变量进行排序,以确定所述光变量中的最小光变量;将所述最小光变量对应的所述梯度照射试验方案作为目标梯度照射试验方案。6.如权利要求5所述的光路整形过程中光功率控制方法,其特征在于,所述基于预设步进距离对所述待固化透镜...

【专利技术属性】
技术研发人员:闻小波胡长飞王一鸣谭芮
申请(专利权)人:武汉华工正源光子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1