一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，包括散热器，散热器侧壁具有多个安装面，每个安装面均配备有单组放电通路结构，单组放电通路结构包括依次串联的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、二极管V2，第一电阻R1和第二电阻R2对应串联组并联有第二电容C2。MOSFET开关采用四组并联设计，四组开关交替导通，设计上考虑模块的一致性和对称结构减小分布参数的影响，相互对称的两面MOSFET开关为一组，导通时序一致。这种设计减少单个开关管导通开启、关断损耗，保证产品运行稳定。保证产品运行稳定。保证产品运行稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构


[0001]本技术属于电路结构的
，特别是涉及一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构。

技术介绍

[0002]“自由电子激光装置”中一个重要组成部分叫束流分配系统，其位置位于直线加速器的末端与波荡器的入口之间，其作用是完成电子束流的任意模式分配到需要的波荡器中。束流分配系统的核心内容之一就是冲击磁铁脉冲电源。
[0003]冲击磁铁脉冲电源是基于LRC串并联二阶电路，其输出电流对负载放电，让负载产生磁力作用于电子束流，负载定义为冲击磁铁(Kicker)，可以等效为1.6uH的电感(包含引线电感)。由此可见，冲击磁铁脉冲电源的输出电流波形有特殊要求。
[0004]本技术涉及冲击磁铁脉冲电源的放电回路结构，通过采用同轴结构形式，解决散热问题，提供输出更理想的电流波形。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，通过采用同轴结构形式，解决散热问题，提供输出更理想的电流波形。
[0006]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，包括散热器，所述散热器为多面柱形，所述散热器侧壁具有多个安装面，每个安装面均配备有单组放电通路结构，单组放电通路结构安装于同一安装面，单组放电通路结构包括依次串联的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、二极管V2；
[0008]所述第一电阻R1和第二电阻R2对应串联组并联有第二电容C2；
[0009]第二电阻R2和第三电阻R3之间连接有第一接线引脚；
[0010]所述第一电容C1和二极管V2之间连接有第二接线引脚。
[0011]进一步地，多组放电通路结构对应的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、第二电容C2、二极管V2均位于同一平面，并环绕散热器圆周侧均匀设置。
[0012]进一步地，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、二极管V2均为贴靠式安装于对应的安装面。
[0013]进一步地，所述散热器外部套接有用于固定第一电容C1的第一环形片和第二环形片，第一电容C1为圆柱形，其对应的上下侧分别固定于第一环形片和第二环形片，所述第一环形片和第二环形片同时用于第一电容C1导电介质。
[0014]进一步地，所述散热器外部还套接有用于第一接线引脚连接的第三环形片，用于第二接线引脚连连接的第四环形片，所述第二电容C2安装于第三环形片，第三环形片同时用于第二电容C2的导电介质；
[0015]所述第二环形片和第四环形片之间支撑有多个支撑柱，所述支撑柱同时用于第二环形片和第四环形片之间的导电介质。
[0016]进一步地，所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、第二电容C2、二极管V2均通过刚性电导介质刚性固定。
[0017]本技术具有以下有益效果：
[0018]1、MOSFET开关采用四组并联设计，四组开关交替导通。设计上考虑模块的一致性和对称结构减小分布参数的影响，采用八面柱形结构设计，每一面安装一路MOSFET开关。相互对称的两面MOSFET开关为一组，导通时序一致。这种设计减少单个开关管导通开启、关断损耗，保证产品运行稳定。
[0019]2、放电回路采用同轴设计、结构紧凑，降低了分布电感对放电回路的影响。
[0020]3、八面柱形结构为水冷散热设计，采用1进1出于外部连接，安装简单，散热效率高。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍。
[0022]图1：本技术拆解后结构示意图。
[0023]图2：本技术拼装完整结构示意图。
[0024]附图中，各标号所代表的部件列表如下：散热器1，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、二极管V2、第二电容C2、第一接线引脚2、第二接线引脚3、第一环形片11、第二环形片12，第三环形片13、第四环形片14，支撑柱4。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0026]如图1
‑
2所示：一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，包括散热器1，散热器1为多面柱形，具体为八面柱形结构，散热器1侧壁具有多个安装面，对应为八个安装面，每个安装面均配备有单组放电通路结构，单组放电通路结构安装于同一安装面，单组放电通路结构包括依次串联的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、二极管V2；
[0027]第一电阻R1和第二电阻R2对应串联组并联有第二电容C2；
[0028]第二电阻R2和第三电阻R3之间连接有第一接线引脚2；
[0029]第一电容C1和二极管V2之间连接有第二接线引脚3。
[0030]在控制驱动电路作用下散热器对称面对应的两组放电通路结构同时导通放电，一共为八组放电通路结构，MOSFET开关采用四组并联设计，四组开关交替导通。设计上考虑模块的一致性和对称结构减小分布参数的影响，采用八面柱形结构设计，每一面安装一路MOSFET开关。相互对称的两面MOSFET开关为一组，导通时序一致。这种设计减少单个开关管导通开启、关断损耗，保证产品运行稳定。
[0031]放电回路采用同轴设计、结构紧凑，降低了分布电感对放电回路的影响。八面柱形结构为水冷散热设计，采用1进1出于外部连接，安装简单，散热效率高，散热器一侧中央为进水管，另一侧中央为出水管。
[0032]如图1所示：多组放电通路结构对应的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、第二电容C2、二极管V2均位于同一平面，并环绕散热器1圆周侧均匀设置。
[0033]第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、二极管V2均为贴靠式安装于对应的安装面。便于散热器带走热量。
[0034]散热器1外部套接有用于固定第一电容C1的第一环形片11和第二环形片12，第一电容C1为圆柱形，其对应的上下侧分别固定于第一环形片11和第二环形片12，第一环形片11和第二环形片12同时用于第一电容C1导电介质。
[0035]散热器1外部还套接有用于第一接线引脚2连接的第三环形片13，用于第二接线引脚3连连接的第四环形片14，第二电容C2安装于第三环形片13，第三环形片13同时用于第二电容C2的导电介质；
[0036]第二环形片12和第四环形片14之间支撑有多个支撑柱4，支撑柱4同时用于第二环形片12和第四环形片14之间的导电介质。
[0037]第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，其特征在于：包括散热器(1)，所述散热器(1)为多面柱形，所述散热器(1)侧壁具有多个安装面，每个安装面均配备有单组放电通路结构，单组放电通路结构安装于同一安装面，单组放电通路结构包括依次串联的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、二极管V2；所述第一电阻R1和第二电阻R2对应串联组并联有第二电容C2；第二电阻R2和第三电阻R3之间连接有第一接线引脚(2)；所述第一电容C1和二极管V2之间连接有第二接线引脚(3)。2.根据权利要求1所述一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，其特征在于：多组放电通路结构对应的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、第一电容C1、第二电容C2、二极管V2均位于同一平面，并环绕散热器(1)圆周侧均匀设置。3.根据权利要求2所述一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电回路结构，其特征在于：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、Mos管开关V1、二极管V2均为贴靠式安装于对应的安装面。4.根据权利要求2所述一种冲击磁铁脉冲电源同轴放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周军，江俊东，张浩，
申请(专利权)人：合肥雷科电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：