【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波器以及多工器
[0001]本申请是申请日为2017年10月20日、申请号为201780068594.1、专利技术名称为“声表面波滤波器以及多工器”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及声表面波滤波器以及多工器。
技术介绍
[0003]作为通信终端用高频滤波器,以往,适当地使用声表面波滤波器。此时,特别是,在通带与阻带之间的频率间隔窄并要求先进的滤波器设计技术的频带中,通带与阻带的过渡区域陡峭的滤波器特性变得重要,因此要求提高弹性波谐振器的Q值。
[0004]在专利文献1的图1中,公开了一种声表面波滤波器,其中,通过使用由高声速支承基板、低声速膜、以及压电层的层叠体形成的压电基板,从而提高了Q值。根据上述结构,能够实现声表面波滤波器的低损耗性。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开第2012/086639号
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的课题
[0009]然而,在使用上述层叠体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器,具备:由钽酸锂构成的压电层,旋转Y切割角为θ
°
;支承基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁金刚石之中的任一种、或者以其为主成分的材料构成;氧化硅膜,配置在所述支承基板与所述压电层之间;以及IDT电极,形成在所述压电层上,将构成所述IDT电极的一对梳状电极的重复周期设为波长λ,其单位为μm,将所述一对梳状电极的膜厚设为T
IDT
,其单位为μm,将所述IDT电极的比重设为ρ,其单位为g/cm3,将所述一对梳状电极的电极占空比设为D,将所述压电层的厚度设为T
LT
,其单位为μm,将所述氧化硅膜的膜厚设为T
VL
,其单位为μm,将第1旋转Y切割角θ
B
规定为以下的式1,第1旋转Y切割角θ
B
的单位为
°
,[数学式1]此时,所述压电层的旋转Y切割角θ满足以下的式2的关系,旋转Y切割角θ的单位为
°
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。