一种能改善TIC暗块的触控显示结构制造技术

本发明专利技术提供一种能改善TIC暗块的触控显示结构，包括有显示区、IC芯片键合区以及配线，扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区，第一走线区位于IC芯片键合区内；第一走线区包括有第一M1线、第一M2线和第一M3线；第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠，第一M2线的第二端与第一M3线在垂直方向上交叠，且第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线的宽度，上述设置，使第一M3能够包覆第一M2材料，可防止第一M2材料边缘光阻覆盖性不佳，药液渗入侧向蚀刻第一M3材料，造成M3走线断路的问题，而且，第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠的设置，使得第一M3线可以做到单层跨接，从而增加制程裕度，有效的改善TIC暗块。效的改善TIC暗块。效的改善TIC暗块。

【技术实现步骤摘要】
一种能改善TIC暗块的触控显示结构


[0001]本专利技术涉及显示屏
，尤其涉及一种能改善TIC暗块的触控显示结构。

技术介绍

[0002]近年来，触控屏显示市场目前已进入产品多元化，从小尺寸的手机到中大尺寸的NB、平板、车载甚至到IT产品。
[0003]触控技术主要分外挂式(Outcell)与内嵌式(Incell)两种，以手机、平板以及NB产品来说，为因应因成本、重量、厚度上考虑，内嵌式(Incell)产品逐渐取代外挂式(Outcell)产品。图1是内嵌式产品的结构示意图，图2是图1中A
‑
A处剖视图，其触控显示结构包括有M1层、GI层、M2层、PV层、OC层和CH层。
[0004]但是，目前内嵌式(Incell)产品有逐渐往窄边框趋势，故于Fanout区域，由如图1和图2所示的触控显示结构，修改为如图3、图4和图5所示的触控显示结构，从图3中可以看出，该改进是在除ICBonding(IC芯片键合)区之外的区域涂布一侧OC层(平坦化层)，并且在图1的基础上，增设了M3层和VA层，如图4所示。
[0005]但由于ICBonding区，无OC层，导致M3爬M1和M2处，会有M3爬坡断线问题，如图5和图6所示，故于显示画面时，面内显示区会产生暗方块问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种能改善TIC暗块的触控显示结构，能够避免M3断线，达到改善TIC暗块的目的。
[0007]本专利技术是这样实现的：
[0008]一种能改善TIC暗块的触控显示结构，包括有显示区、IC芯片键合区以及用于连接显示区和IC芯片键合区的配线，所述触控显示结构还包括有扇出区，所述扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区，所述第一走线区位于IC芯片键合区内，所述第二走线区位于扇出区内；
[0009]所述第一走线区包括有第一M1线、第一M2线和第一M3线，所述第一M1线设置在第一M2线的下方，且所述第一M1线和第一M2线之间设置有第一GI层，所述第一M2线设置在第一M3线的下方，且所述第一M2线和第一M3线之间设置有第一PV层；
[0010]所述第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠，所述第一M2线的第一端与第一M1线在垂直方向上交叠，所述第一M2线的第二端与第一M3线在垂直方向上交叠，且所述第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线的宽度。
[0011]进一步地，所述第一M2线的第一端的宽度小于第一M1线的宽度。
[0012]进一步地，所述第二走线区包括有第二M1线、第二M2线和第二M3线，所述第二M1线顶部设置有第二GI层，所述第二M2线设置在第二GI层顶部，所述第二GI层顶部设置有能覆盖第二M2线的第二PV层，所述第二PV层顶部设置有OC层，所述第二M3线设置在OC层顶部，所述OC层顶部设置有能够覆盖第二M3线的VA层，所述VA层顶部设置有CH层。
[0013]进一步地，所述第二M1线的宽度大于第二M2线的宽度，所述第二M2线的宽度大于第二M3线的宽度。
[0014]本专利技术的优点在于：第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线的宽度，使得第一M3能够包覆第一M2材料，可防止第一M2材料边缘光阻覆盖性不佳，药液渗入侧向蚀刻第一M3材料，造成M3走线断路的问题，而且，第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠的设置，使得第一M3线可以做到单层跨接，从而增加制程裕度。通过上述设置，避免现有技术中M1和M2与M3间无OC层，而导致M3因爬M1和M2断线问题，从而达到有效的改善TIC暗块的目的，有效达到节省人力、资源、成本。
附图说明
[0015]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的说明。
[0016]图1是传统内嵌式产品的结构示意图。
[0017]图2是图1中A
‑
A处剖视图。
[0018]图3是现有技术中基于图1的内嵌式产品作出改进后的结构示意图。
[0019]图4为图3中B
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B处局部剖视图。
[0020]图5为图3中C处局部放大图。
[0021]图6为图3中D
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D处局部剖视图。
[0022]图7是本专利技术针对ICBonding区内配线所做改进的结构示意图。
[0023]图8是图7中E
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E处剖视图。
[0024]图中标号说明：
[0025]1、显示区；2、IC芯片键合区；3、配线；4、扇出区；5、第一走线区；6、第二走线区；7、第一M1线；8、第一M2线；9、第一M3线；10、第一GI层；11、第一PV层；12、第二M1线；13、第二M2线；14、第二M3线；15、第二GI层；16、第二PV层；17、OC层；18、VA层；19、CH层。
具体实施方式
[0026]请参阅图3、图7和图8所示，本专利技术提供了一种能改善TIC暗块的触控显示结构，包括有显示区1、IC芯片键合区2以及用于连接显示区1和IC芯片键合区2的配线3，所述触控显示结构还包括有扇出区4，所述扇出区4将配线3分为第一走线区5和第二走线区6，所述第一走线区5位于IC芯片键合区2内，所述第二走线区6位于扇出区4内；
[0027]所述第一走线区5包括有第一M1线7、第一M2线8和第一M3线9，所述第一M1线7设置在第一M2线8的下方，且所述第一M1线7和第一M2线8之间设置有第一GI层10，所述第一M2线8设置在第一M3线9的下方，且所述第一M2线8和第一M3线9之间设置有第一PV层11；
[0028]所述第一M1线7和第一M3线9在垂直方向上无交叠，所述第一M2线8具有第一端和与第一端相对的第二端，所述第一M2线8的第一端与第一M1线7在垂直方向上交叠，所述第一M2线8的第二端与第一M3线9在垂直方向上交叠。为了防止M2材料边缘光阻覆盖性不佳，药液渗入侧向蚀刻M3材料，造成M3走线断路，将所述第一M2线8的第二端的宽度设置成小于第一M3线9的宽度，使得M3的材料能够包覆M2材料。
[0029]所述第一M2线8的第一端的宽度小于第一M1线7的宽度。
[0030]如图4所示，所述第二走线区6包括有第二M1线12、第二M2线13和第二M3线14，所述
第二M1线12顶部设置有第二GI层15，所述第二M2线13设置在第二GI层15顶部，所述第二GI层15顶部设置有能覆盖第二M2线13的第二PV层16，所述第二PV层16顶部设置有OC层17，所述第二M3线14设置在OC层17顶部，所述OC层17顶部设置有能够覆盖第二M3线14的VA层18，所述VA层18顶部设置有CH层19。
[0031]第一M1线7和第二M1线12是一根完整的接线，为表述方便将该配线位于IC芯片键合区2内的部分命名为第一M1线7，扇出区内的部分命名为第二M1线12。同样的，第一M2线8和第二M2线13也是一根完整的接线，为表述方便将该配线位于IC芯片键合区2内的部分命名为第一M2线8，扇出区内的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能改善TIC暗块的触控显示结构，包括有显示区、IC芯片键合区以及用于连接显示区和IC芯片键合区的配线，所述触控显示结构还包括有扇出区，其特征在于：所述扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区，所述第一走线区位于IC芯片键合区内，所述第二走线区位于扇出区内；所述第一走线区包括有第一M1线、第一M2线和第一M3线，所述第一M1线设置在第一M2线的下方，且所述第一M1线和第一M2线之间设置有第一GI层，所述第一M2线设置在第一M3线的下方，且所述第一M2线和第一M3线之间设置有第一PV层；所述第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠，所述第一M2线的第一端与第一M1线在垂直方向上交叠，所述第一M2线的第二端与第一M3线在垂直方向上交叠，且所述第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮丽莹，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：