高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材(10)的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材(20)，该第二基材(20)的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材(20)形成有功率放大电路(21)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a)，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，且与第一基材(10)接合，且经由电极(23)而与主面(80a)连接，第一基材(10)和第二基材(20)中的一方经由电极(24)而与主面(80a)连接，在俯视模块基板(80)的情况下，电极(23)的面积比电极(24)的面积大。(24)的面积大。(24)的面积大。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频模块以及通信装置
[0001]本专利技术涉及一种高频模块以及通信装置。
技术介绍
[0002]在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂化。
[0003]在专利文献1中公开了具备配置于封装基板上的功率放大器和控制器的高频模块。在专利文献1的高频模块中，通过将功率放大器与控制器层叠配置来实现了高频模块的小型化。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利申请公开第2017/0338847号说明书
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]然而，在专利文献1所公开的高频模块中，需要使功率放大器的发热经由模块基板(封装基板)来散热，但是有时难以确保充分的散热性。
[0009]因此，本专利技术提供一种提高了散热性的高频模块以及通信装置。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有功率放大电路，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，且与第一基材接合，且经由第一金属构件而与第一主面连接，第一基材和第二基材中的一方经由第二金属构件而与第一主面连接，在俯视模块基板的情况下，第一金属构件的面积比第二金属构件的面积大。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本专利技术，能够提供一种提高了散热性的高频模块以及通信装置。
附图说明
[0014]图1是实施方式所涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。
[0015]图2是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。
[0016]图3是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
[0017]图4是实施例所涉及的半导体IC的截面结构图。
[0018]图5是实施例所涉及的第二基材的截面结构图。
[0019]图6是实施例所涉及的功率放大电路的电路结构图。
[0020]图7是实施例所涉及的半导体IC的平面结构概要图。
[0021]图8A是变形例1所涉及的半导体IC的平面结构概要图。
[0022]图8B是变形例2所涉及的半导体IC的平面结构概要图。
[0023]图9是变形例3所涉及的功率放大电路的电路结构图。
[0024]图10是变形例3所涉及的半导体IC的平面结构概要图。
[0025]图11是变形例4所涉及的半导体IC的平面结构概要图。
具体实施方式
[0026]下面，详细地说明本专利技术的实施方式。此外，以下说明的实施方式均用于示出总括性或具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本专利技术。关于以下的实施例中的结构要素中的、独立权利要求中未记载的结构要素，设为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或大小之比未必严格。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。
[0027]另外，在下面，平行和垂直等表示要素间的关系性的用语、矩形状等表示要素的形状的用语、以及数值范围表示还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。
[0028]另外，在以下的实施方式中，“A配置于基板的第一主面”不仅表示A直接安装在第一主面上，还表示A配置于以基板隔开的第一主面侧的空间和第二主面侧的空间中的第一主面侧的空间。也就是说，包括A经由其它电路元件、电极等而安装在第一主面上。
[0029]另外，在以下的实施方式中，“A与B连接”不仅是指A与B接触，还能够定义为包括A与B经由导体电极、导体端子、布线或其它电路部件等而电连接。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间同A及B双方连接。
[0030]另外，在以下的实施方式中，“A与B接合”是指A与B机械性(物理性)地粘接的状态，特别是能够定义为包括A所具有的一面与B所具有的一面粘接。
[0031]在以下的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
[0032]另外，在本公开的模块结构中，“俯视”表示将物体从z轴正侧向xy平面正投影来观察。“部件配置于基板的主面”除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上以外，还包括部件不与主面接触地配置于主面的上方、以及以部件的一部分从主面侧埋入到基板内的方式配置。
[0033]另外，在下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，C配置于A与B之间”表示在俯视基板时将A内的任意的点与B内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过C的区域。另外，俯视基板表示将基板以及安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。
[0034]另外，在下面，“发送路径”是指由供高频发送信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”是指由供高频接收信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
[0035](实施方式)
[0036][1.高频模块1以及通信装置5的电路结构][0037]图1是实施方式所涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、以及基带信号处理电路(BBIC)4。
[0038]RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。
[0039]BBIC 4是使用比在高频模块1中传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如用作图像信号以显示图像，或者用作声音信号以经由扬声器进行通话。
[0040]另外，RFIC 3还具有基于使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关52、53及54的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3根据控制信号(未图示)来对高频模块1所具有的开关52～54的连接进行切换。具体地说，RFIC 3将用于控制开关52～54的数字控制信号输出到PA控制电路11。PA控制电路11根据从RFIC 3输入的数字控制信号，来向开关52～54输出数字控制信号，由此控制开关52～54的连接本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频模块，具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材，该第二基材的至少一部分由热导率比所述第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有功率放大电路，其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面，所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，且与所述第一基材接合，且经由第一金属构件而与所述第一主面连接，所述第一基材和所述第二基材中的一方经由第二金属构件而与所述第一主面连接，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件的面积比所述第二金属构件的面积大。2.一种高频模块，具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成；以及第二基材，该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成，在该第二基材形成有功率放大电路，其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面，所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，且与所述第一基材接合，且经由第一金属构件而与所述第一主面连接，所述第一基材和所述第二基材中的一方经由第二金属构件而与所述第一主面连接，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件的面积比所述第二金属构件的面积大。3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件具有长条形状。4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第二基材包含于所述第一基材，所述第一基材具有中央区域和位于该中央区域的外周的外周区域，所述第一金属构件在所述第二基材与所述外周区域重叠的区域被配置为所述第一金属构件的长条方向与所述第一基材的外边中的最接近所述第一金属构件的外边平行。5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其中，所述第一基材经由第三金属构件而与所述第一主面连接，在俯视所述模块基板的情况下，所述第三金属构件的面积比所述第二金属构件的面积大。6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件和所述第三金属构件具有长条形状。7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，在俯视所述模块基板的情况下，
所述第二基材包含于所述第一基材，所述第一基材具有中央区域和位于该中央区域的外周的外周区域，所述第一金属构件在所述第二基材与所述外...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹松佑二，深泽美纪子，吉见俊二，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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