双马来酰亚胺化合物、含有该化合物的组合物、聚苯并噁唑、及半导体元件制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种双马来酰亚胺化合物、含有该化合物的组合物、聚苯并噁唑、及半导体元件。本发明专利技术提供的双马来酰亚胺化合物，为下述式(1)所示，(式中各个符号的定义如说明书所记载)。各个符号的定义如说明书所记载)。

【技术实现步骤摘要】
双马来酰亚胺化合物、含有该化合物的组合物、聚苯并噁唑、及半导体元件


[0001]本专利技术为关于双马来酰亚胺化合物、使用该化合物的组合物、聚苯并噁唑及半导体元件。本专利技术的双马来酰亚胺化合物可应用于半导体元件用的保护膜、层间绝缘膜及重新布线层的绝缘膜等。

技术介绍

[0002]过去，于半导体元件的表面保护膜或层间绝缘膜等中，广泛地使用耐热性或机械特性等优异的聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂等(专利文献1)。于使用聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂作为表面保护膜或层间绝缘膜的情况下，已知有通过使用包含这些树脂的正型光阻剂的蚀刻方法而形成通孔等的方法。然而，此方法却有要求光阻的涂布或剥离等繁琐步骤的问题。因此，即有以作业步骤的合理化为目的而进行赋予感光性的耐热性材料的研究(专利文献2)。
[0003]耐热性及机械特性优异的聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂的薄膜通常是使这些前驱物的涂膜进行热脱水闭环而获得，此时通常需要于350℃左右的高温下进行烧成。然而，例如MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory；磁阻内存)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双马来酰亚胺化合物，为下述式(1)所示，(式(1)中，A1各自独立地为直接键、下述式(1
‑
1)、(1
‑
2)或(1
‑
3)所示的二价连结基、或式(1
‑
1)、(1
‑
2)以及(1
‑
3)以外的二价连结基，但存在多个A1的至少一者为式(1
‑
1)、式(1
‑
2)或式(1
‑
3)所示的二价连结基；A2表示自饱和脂肪族二羧酸化合物中去除两个羧基后而得的二价连结基、自芳香族二羧酸化合物中去除两个羧基后而得的二价连结基、或自饱和脂肪族二羧酸化合物中去除两个羧基后而得的二价连结基以及自芳香族二羧酸化合物中去除两个羧基后而得的二价连结基的外的二价连结基，存在多个A2的情况下，多个A2可互为相同或不同；但A2为単数个的情况，A2为自饱和脂肪族二羧酸化合物中去除两个羧基后而得的二价连结基，A2存在多个的情况，存在多个A2的至少一者为自饱和脂肪族二羧酸化合物中去除两个羧基后而得的二价连结基；Y表示二价连结基，多个Y可互为相同或不同；n为重复单元数的平均值，为1至100的范围的实数)(式(1
‑
1)、式(1
‑
2)及式(1
‑
3)中，环a表示苯环或环己烷环，X表示直接键或二价连结基，式(1)中存在多个X的情况下，多个X可互为相同或不同；Z表示与环a键结的一价取代基，式(1)中存在多个Z的情况下，多个Z可互为相同或不同；p、q及r为一价取代基Z的数量，p及q各自独立地表示0至3的整数，r表示0至2的整数，式(1)中存在多个p的情况下，多个p各自可互为相同或不同，存在多个q的情况下，多个q各自可互为相同或不同，存在多个r的情况下，多个r各自可互为相同或不同)。2.根据权利要求1所述的双马来酰亚胺化合物，其中，所有的A1为式(1
‑
1)、(1
‑
2)或(1<...

【专利技术属性】
技术研发人员：河本直树，高希莲，高本大平，
申请(专利权)人：日本化药株式会社，
类型：发明
国别省市：