【技术实现步骤摘要】
一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料与制备方法
[0001]本专利技术属于相变存储
,涉及一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料与制备方法。
技术介绍
[0002]海量的信息存储对我国大数据信息时代的产业发展有着至关重要的意义,开发具有自主知识产权的高速、海量存储器件已迫在眉睫。然而,传统的存储器总是无法兼顾高读写速度、非挥发与海量存储的特性,客观上需要开发下一代非挥发性高速存储器。
[0003]与现有的商业化非挥发性存储器相比,相变存储器PCRAM被认为是最有潜力的下一代半导体存储技术之一。在PCRAM研发中,作为存储媒介的相变材料是PCRAM的核心,但目前已知的相变材料仍然存在各种问题亟待解决,使其数据稳定性相对较差、存储速率较慢、能耗较高、存储密度较低,这些问题阻碍了其进一步的产业。
[0004]因此,开发出可用于相变存储器件的新型相变存储材料具有十分重要的意义。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,同时具备可实用性,本专利技术还提供了该新型相变薄膜材料的制备方法。基于本专利技术提供的相变薄膜材料制备的存储器件依赖于两种相变材料的可逆的相变过程,能够提升材料的整体稳定性。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0007]本专利技术提供了一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,所述相变薄膜材料包括:至少一层Cr
x
Ge
y< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,所述相变薄膜材料包括:至少一层Cr
x
Ge
y
Te
z
,其中0<x<1,0<y<1,0<z<1;且y<z,x+y+z=1。2.根据权利要求1所述的一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,其特征在于,所述相变薄膜材料在升温过程中存在两次可逆相变,包括首先发生的晶态的Ge
y
Te
z
相的生成,以及在更高的温度下晶态的Cr2Ge2Te6相的生成。3.根据权利要求2所述的一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,其特征在于,所述相变薄膜材料中生成的Ge
y
Te
z
相中Ge:Te原子比偏离1:1,相变薄膜材料在更高温度下,晶态Ge
y
Te
z
与Cr2Ge2Te6能够可逆的转化为非晶相。4.根据权利要求2所述的一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,其特征在于,所述相变薄膜材料中晶态的Ge
y
Te
z
与Cr2Ge2Te6互不影响,能够稳定的共存;和/或所述相变薄膜材料在非晶相中Cr、Ge、Te原子共存,不存在可区分的非晶态Ge
y
Te
z
与Cr2Ge2Te6。5.根据权利要求2所述的一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料,其特征在于,所述相变薄膜材料中Ge
y
Te
z
相在非晶态具有高电阻和高电阻漂移特性、晶态具有低电阻和低电阻漂移特性;和/或所述相变薄膜材料中Cr2Ge2Te6相在非晶态具有低电阻和...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑龙,朱小芹,吴晓庆,薛建忠,裴明旭,
申请(专利权)人:江苏理工学院,
类型:发明
国别省市:
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