用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置制造方法及图纸

光电子装置包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。衬底的第一区域从传导性覆层暴露，和与衬底的第一区域邻近的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。缘具有大于约20度的接触角。缘具有大于约20度的接触角。

【技术实现步骤摘要】
用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
[0001]本申请是申请日为2018年4月26日的PCT国际专利申请PCT/IB2018/052881进入中国国家阶段的中国专利申请号201880042206.7、专利技术名称为“用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置”的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2017年4月26日提交的美国临时申请62/490,564、2017年6月18日提交的美国临时申请62/521,499和2017年10月16日提交的美国临时申请62/573,028申请的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0004]下列一般地涉及用于在表面上沉积导电材料的方法。具体而言，方法涉及在表面上选择性沉积导电材料，以便形成装置的导电结构。

技术介绍

[0005]有机发光二极管(OLED)通常包括介于传导性薄膜电极之间的数层有机材料，其中有机层中的至少一层是电致发光层。当施加电压至电极时，分别由阳极和阴极注入空穴和电子。由电极注入的空穴和电子迁移通过有机层以到达电致发光层。当空穴和电子紧密靠近时，它们由于库仑力彼此吸引。空穴与电子然后可以结合以形成称为激子的结合态。激子可以通过其中释放光子的辐射复合过程衰变。可选地，激子可以通过其中不释放光子的非辐射复合过程衰变。注意，如本文使用的，内量子效率(IQE)将被理解为在装置中生成的通过辐射复合过程衰变的所有电子
‑
空穴对的比例。
[0006]辐射复合过程可以作为荧光或磷光过程发生，这取决于电子
‑
空穴对(即，激子)的自旋态。具体而言，由电子
‑
空穴对形成的激子可以被表征为具有自旋单态或自旋三重态。通常，单态激子的辐射衰变产生荧光，而三态激子的辐射衰变产生磷光。
[0007]最近，已经提出和研究了OLED的其它光发射机制，包括热激活延迟荧光(TADF)。简言之，TADF发射通过如下发生：在热能的帮助下经由反向系统间交叉跃迁过程将三态激子转变为单态激子，接着是单态激子的辐射衰变。
[0008]OLED装置的外量子效率(EQE)可以指的是提供至OLED装置的电荷载流子相对于由装置发射的光子数目的比率。例如，100％的EQE指示对于被注入装置的每个电子发射一个光子。如将领会的，装置的EQE通常大幅低于装置的IQE。EQE和IQE之间的差异通常可以归因于大量的因素，比如由装置的多个组件引起的光的吸收和反射。
[0009]OLED装置通常可以被分类为“底部
‑
发射”或“顶部
‑
发射”装置，这取决于光由装置发射的相对方向。在底部
‑
发射装置中，以朝向装置的基座衬底(base substrate)的方向发射由于辐射复合过程生成的光，而在顶部
‑
发射装置中，以远离基座衬底的方向发射光。因此，在底部
‑
发射装置中，在基座衬底近侧的电极通常被制作为光透射的(例如，基本上透明的或半透明的)，而在顶部
‑
发射装置中，在基座衬底远侧的电极通常被制作为光透射的，以便减少光的衰减。取决于具体的装置结构，阳极或阴极可以充当顶部
‑
发射和底部
‑
发射装
置中的透射电极(transmissive electrode)。
[0010]OLED装置还可以是双面发射装置，其被配置为相对于基底以两个方向发射光。例如，双面发射装置可以包括透射阳极和透射阴极，使得来自每个像素的光以两个方向发射。在另一实例中，双面发射显示装置可以包括被配置为以一个方向发射光的第一组像素，以及被配置为以另一方向发射光的第二组像素，使得来自每个像素的单个电极是透射的。
[0011]除了以上装置配置之外，还可以实现透明或半透明OLED装置，其中装置包括允许外部光透射通过设备的透明部分。例如，在透明OLED显示装置中，可以在每个相邻像素之间的非发射区域中提供透明部分。在另一个实例中，可以通过在半的发射区域之间提供多个透明区域来形成透明OLED照明板。透明或半透明OLED装置可以是底部发射装置、顶部发射装置或双面发射装置。
[0012]虽然可以选择阴极或阳极作为透射电极，但是典型的顶部发射装置包括光透射阴极。通常用于形成透射阴极的材料包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)和氧化锌(ZnO)，以及薄膜，诸如通过沉积银(Ag)、铝(Al)或各种金属合金(诸如镁银(Mg：Ag)合金和镱银(Yb：Ag)合金，其中组成范围按体积计约为1：9至约9：1)的薄层形成的薄膜。也可以使用包括两层或多层TCO和/或薄金属膜的多层阴极。
[0013]特别是在薄膜的情况下，高达约几十纳米的相对较薄层厚度有助于增强的透明性和有利的光学性质(如，降低的微腔效应)，用于OLED。然而，透射电极的厚度伴随其薄层电阻的增加而减小。具有高薄层电阻的电极通常不希望用于OLED中，因为在使用装置时其产生大的电流电阻(IR)降，这对OLED的性能和效率有害。IR降可以通过增加电源电平在某种程度上得到补偿；但是，当一个像素的电源电平增加时，提供给其他零件的电压也会增加以维持装置的正常运行，并因此是不利的。
[0014]为了降低用于顶部发射OLED装置的电源规格，已经提出了在装置上形成母线结构或辅助电极的解决方案。例如，可以通过沉积与OLED装置的透射电极电连通的传导性覆层来形成这种辅助电极。通过降低薄层电阻和透射电极的相关IR降，这种辅助电极可以允许电流更有效地传输到装置的各个区域。
[0015]由于辅助电极通常提供在包括阳极、一个或多个有机层和阴极的OLED堆叠的顶部上，因此传统上使用具有掩模孔的阴影掩模来实现辅助电极的图案化，通过该掩模孔来选择性沉积传导性覆层，例如通过物理气相沉积(PVD)工艺。然而，由于掩模通常是金属掩模，因此它们具有在高温沉积过程中翘曲的趋势，从而使掩模孔变形并导致沉积图案的变形。此外，由于传导性覆层粘附到掩模上并掩盖了掩模的特征，因此掩模通常通过连续的沉积而退化。因此，应当使用费时且昂贵的工艺来清洁这种掩模，或者一旦认为该掩模不能有效地产生所需的图案就应当对其进行处理，从而使这种工艺成本高且复杂。因此，阴影掩模工艺对于大规模生产OLED装置可能在商业上不可行。此外，由于阴影效应和金属掩模的机械(如，拉伸)强度，通常会限制使用阴影掩模工艺可以产生的特征的长宽比，这是因为通常在阴影掩模沉积工艺期间拉伸大型金属掩模。
[0016]通过阴影掩模在表面上图案化传导性覆层的另一个挑战是使用单个掩模可以实现某些但不是全部的图案。由于掩模的每个部分受到物理支撑，因此在单个加工阶段中并非所有图案都是可能的。例如，在图案指定隔离特征的情况下，通常无法使用单掩模加工阶段来实现所需的图案。另外，用于产生重复结构(如，母线结构或辅助电极)的掩模遍布整个
装置表面，其包括在掩模上形成的大量穿孔或孔。然而，在掩模上形成大量的孔会损害掩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电子器件，包括：成核抑制涂层(NIC)，所述成核抑制涂层设置在所述器件的侧面朝向的第一部分中；和导电涂层，所述导电涂层包含沉积材料并且设置在所述器件的所述侧面朝向的第二部分中，其中所述第二部分基本上没有所述NIC；其中：所述第一部分基本上没有所述沉积材料的封闭涂层；并且所述NIC包含化合物，所述化合物包含以下中的至少一者：氟和含氟基团。2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述含氟基团是氟烷基基团。3.根据权利要求2所述的光电子器件，其中所述氟烷基基团选自以下中的至少一者：氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基和多氟乙基。4.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述含氟基团选自以下中的至少一者：氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。5.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述化合物包含核部分和与所述核部分键合的至少一个末端部分。6.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述核部分包含以下中的至少一者：杂环部分、金属原子、氮原子、氧原子、磷原子、环烃部分、取代的烷基、未取代的烷基、环炔基、烯基、炔基、芳基、芳基烷基、杂环部分、环醚部分、杂芳基、芴部分和甲硅烷基。7.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含替代其至少一个氢原子的至少一个取代基，并且所述至少一个取代基中的至少一个取代基包含以下中的至少一者：氟和含氟基团。8.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含联苯基部分。9.根据权利要求8所述的光电子器件，其中所述联苯基部分由选自以下中的至少一者的结构表示：(I
‑
a)、(I
‑
b)和(I
‑
c)：并且其中：R
a
和R
b
中的至少一者存在于所述结构中；所述R
a
和R
b
中的至少一者表示至少一个取代基，所述至少一个取代基独立地选自以下中的至少一者：氘、氟、烷基、C1‑
C4烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基和氟烷
基；R
a
，如果存在，表示选自以下的取代：单取代、二取代、三取代和四取代，并且R
b
，如果存在，表示选自以下的取代：单取代、二取代、三取代、四取代和五取代。10.根据权利要求9所述的光电子器件，其中所述至少一个取代基独立地选自以下中的至少一者：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。11.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含苯基部分。12.根据权利要求11所述的光电子器件，其中所述苯基部分由结构(I
‑
d)表示：并且其中：R
c
，如果存在，表示至少一个取代基，具有选自以下的取代：单取代、二取代、三取代、四取代和五取代，所述至少一个取代基选自以下中的至少一者：氘、氟、烷基、C1‑
C4烷基、环烷基、甲硅烷基和氟烷基。13.根据权利要求12所述的光电子器件，其中所述至少一个取代基选自以下中的至少一者：甲基、乙基、叔丁基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基和多氟乙基。14.根据权利要求12所述的光电子器件，其中所述化合物包含各自由结构(I
‑
d)表示的两个末端部分，所述末端部分中的每个末端部分被至少一个氟烷基基团取代，并且其中所述核部分是亚芳基部分。15.根据权利要求14所述的光电子器件，其中所述化合物包含第三末端部分，所述第三末端部分包含以下中的一者：烷基部分、芴部分、亚苯基部分和杂环部分。16.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含叔丁基苯基部分。17.根据权利要求16所述的光电子器件，其中所述叔丁基苯基部分由选自以下中的至少一者的结构表示：(I
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e)、(I
‑
f)和(I
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：YL，
申请(专利权)人：OTI照明公司，
类型：发明
国别省市：