本实用新型专利技术公开了一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构，包括与点火头并联的开关锁功能电路，当开关锁功能电路导通时，点火头被短路；密码锁功能电路，密码锁功能电路可向开关锁功能电路输入密码信号，开关锁功能电路可根据密码信号中是否包含导通条件而导通或关断。当干扰条件达到一定程度时，密码锁功能电路就会接收到异常信号，接下来密码锁功能电路反馈至开关锁功能电路的信号会导致开关锁功能电路的导通，从而使点火头处于短路状态，即引火能量不经过点火头，所以不会触发雷管起爆。管起爆。管起爆。
【技术实现步骤摘要】
一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构
[0001]本技术属于电子雷管的
，具体涉及一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构。
技术介绍
[0002]现代爆破技术正在向着精细化、科学化和数字化的方向发展，高精度电子雷管作为新一代爆破器材的开发应用，既是爆破技术进步的需要，又能促进爆破理论的发展。电子雷管，又称数码电子雷管、数码雷管或工业数码电子雷管，即采用电子控制模块对起爆过程进行控制的电雷管。
[0003]在应用现场，电子雷管的施工布置过程中，经常会出现工况复杂及施工人员业务能力不高的情形时，因而会使电子雷管处于不同程度的干扰条件下，当上述干扰条件上升到一定的程度，就有可能使电子雷管的工作逻辑发生紊乱，即使电子雷管的输出状态和输入状态发生逻辑背离的状况，甚至造成电子雷管点火头的误触发，进入发火起爆雷管的状态。
[0004]综上所述，现有电子雷管在有干扰的条件下，引发内部控制逻辑紊乱出错时，有可能导致电子雷管误触发起爆。
技术实现思路
[0005]针对上述问题，本技术提出一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构，其能够避免在干扰下所引起的触发起爆情况的发生。
[0006]为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构，包括引火头(F),所述引火头(F)被接入引火发火功能电路，其特征在于，还包括：
[0007]开关锁功能电路，所述开关锁功能电路包括第一开关管(Q1)，所述第一开关管(Q1)与所述引火头(F)并联；
[0008]密码功能电路，所述密码功能电路的输出端与所述开关锁功能电路的控制端相接；
[0009]所述密码功能电路包括第一密码功能电路和第二密码功能电路；
[0010]所述第一密码功能电路至少包括第二开关管(Q2)和第三开关管(Q3)；
[0011]所述第二开关管(Q2)和所述第三开关管(Q3)中的一个为PNP型三极管，另一个为NPN型三极管，
[0012]或，
[0013]所述第二开关管(Q2)和所述第三开关管(Q3)中的一个为N沟道MOS管，另一个为P沟道MOS管，
[0014]PNP型三极管的基极接电子雷管芯片的输出端、发射极接开关锁功能电路的控制端、集电极接地，
[0015]NPN型三极管的基极接电子雷管芯片的输出端、集电极接开关锁功能电路的控制端、发射极接地，
[0016]N沟道MOS管的栅极接电子雷管芯片的输出端、漏极接开关锁功能电路的控制端、源极接地，
[0017]P沟道MOS管的栅极接电子雷管芯片的输出端、源极接开关锁功能电路的控制端、漏极接地；
[0018]所述第二密码功能电路包括第八开关管(Q8)和第九开关管(Q9)，所述第八开关管(Q8)和第九开关管(Q9)同为PNP型三级管或同为P沟道MOS管，
[0019]同为PNP型三级管时，其中一个PNP型三极管的基极接电源电压监控电路的输出信号、发射极接所述开关锁功能电路的控制端、集电极接地，其中另一个PNP型三极管的基极接电源电流监控电路的输出信号、发射极接所述开关锁功能电路的控制端、集电极接地，
[0020]同为P沟道MOS管时，其中一个P沟道MOS管的栅极接电源电压监控电路的输出信号、源极接所述开关锁功能电路的控制端、漏极接地；
[0021]其中另一个P沟道MOS管的栅极接电源电流监控电路的输出信号、源极接所述开关锁功能电路的控制端、漏极接地。
[0022]优选的：
[0023]所述第一密码功能电路还包括第四开关管(Q4)、第五开关管(Q5)、第六开关管(Q6)和第七开关管(Q7)；
[0024]所述第四开关管(Q4)和第六开关管(Q6)为PNP型三极管或P沟道MOS管；
[0025]所述第五开关管(Q5)和第七开关管(Q7)为NPN型三极管或N沟道MOS管。
[0026]优选的：
[0027]第二开关管(Q2)的控制端接二号驱动器(N2)的输出端，二号驱动器(N2)的输入端接电子雷管芯片的输出端(serial0)；
[0028]第三开关管(Q3)的控制端接三号驱动器(N3)的输出端，三号驱动器(N3)的输入端接电子雷管芯片的输出端(serial1)；
[0029]第四开关管(Q4)的控制端接四号驱动器(N4)的输出端，四号驱动器(N4)的输入端接电子雷管芯片的输出端(serial2)；
[0030]第五开关管(Q5)的控制端接五号驱动器(N5)的输出端，五号驱动器(N5)的输入端接电子雷管芯片的输出端(serial3)；
[0031]第六开关管(Q6)的控制端接六号驱动器(N6)的输出端，六号驱动器(N6)的输入端接电子雷管芯片的输出端(serial4)；
[0032]第七开关管(Q7)的控制端接七号驱动器(N7)的输出端，七号驱动器(N7)的输入端接电子雷管芯片的输出端(serial5)。
[0033]优选的：
[0034]第八开关管(Q8)的控制端接八号驱动器(N8)的输出端，八号驱动器(N8)的输入端接电源电压监控电路的输出信号端(voltRange)；
[0035]第九开关管(Q9)的控制端接九号驱动器(N9)的输出端，九号驱动器(N9)的输入端接电源电流监控电路的输出信号端(currentRange)。
[0036]优选的：
[0037]所述开关锁功能电路还包括第一分压电阻(R2)和第二分压电阻(R1)；
[0038]所述第一分压电阻(R2)的一端接所述密码功能电路，另一端接第一开关管(Q1)的控制端；
[0039]所述第一开关管(Q1)的输入端接所述点火头的一端，所述第一开关管(Q1)的输出端接所述点火头的另一端；
[0040]所述第二分压电阻(R1)的一端接所述第一开关管(Q1)的输入端，另一端接所述第一开关管(Q1)的控制端。
[0041]优选的：
[0042]所述第一开关管(Q1)为PNP型三极管；
[0043]所述第一开关管(Q1)的控制端为PNP型三极管的基极；
[0044]所述第一开关管(Q1)的输入端为PNP型三极管的发射极；
[0045]所述第一开关管(Q1)的输出端为PNP型三极管的集电极。
[0046]优选的：
[0047]所述第一开关管(Q1)为P沟道MOS管；
[0048]所述第一开关管(Q1)的控制端为P沟道MOS管的栅极；
[0049]所述第一开关管(Q1)的输入端为P沟道MOS管的源极；
[0050]所述第一开关管(Q1)的输出端为P沟道MOS管的漏极。
[0051]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0052]由于本技术的一种电子雷管点火头状态安全控制方法，在点火头上并联有开关锁功能电路，该开关锁功能电路的导通与关断，取决于密码功能电本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构，包括引火头（F）,所述引火头（F）被接入引火发火功能电路，其特征在于，还包括：开关锁功能电路，所述开关锁功能电路包括第一开关管（Q1），所述第一开关管（Q1）与所述引火头（F）并联；密码功能电路，所述密码功能电路的输出端与所述开关锁功能电路的控制端相接；所述密码功能电路包括第一密码功能电路和第二密码功能电路；所述第一密码功能电路至少包括第二开关管（Q2）和第三开关管（Q3）；所述第二开关管（Q2）和所述第三开关管（Q3）中的一个为PNP型三极管，另一个为NPN型三极管，或，所述第二开关管（Q2）和所述第三开关管（Q3）中的一个为N沟道MOS管，另一个为P沟道MOS管，PNP型三极管的基极接电子雷管芯片的输出端、发射极接开关锁功能电路的控制端、集电极接地，NPN型三极管的基极接电子雷管芯片的输出端、集电极接开关锁功能电路的控制端、发射极接地，N沟道MOS管的栅极接电子雷管芯片的输出端、漏极接开关锁功能电路的控制端、源极接地，P沟道MOS管的栅极接电子雷管芯片的输出端、源极接开关锁功能电路的控制端、漏极接地；所述第二密码功能电路包括第八开关管（Q8）和第九开关管（Q9），所述第八开关管（Q8）和第九开关管（Q9）同为PNP型三级管或同为P沟道MOS管，同为PNP型三级管时，其中一个PNP型三极管的基极接电源电压监控电路的输出信号、发射极接所述开关锁功能电路的控制端、集电极接地，其中另一个PNP型三极管的基极接电源电流监控电路的输出信号、发射极接所述开关锁功能电路的控制端、集电极接地，同为P沟道MOS管时，其中一个P沟道MOS管的栅极接电源电压监控电路的输出信号、源极接所述开关锁功能电路的控制端、漏极接地；其中另一个P沟道MOS管的栅极接电源电流监控电路的输出信号、源极接所述开关锁功能电路的控制端、漏极接地。2.根据权利要求1所述的一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构，其特征在于：所述第一密码功能电路还包括第四开关管（Q4）、第五开关管（Q5）、第六开关管（Q6）和第七开关管（Q7）；所述第四开关管（Q4）和第六开关管（Q6）为PNP型三极管或P沟道MOS管；所述第五开关管（Q5）和第七开关管（Q7）为NPN型三极管或N沟道MOS管。3.根据权利要求2所述的一种用于电子雷管点火头状态安全的拓扑结构，其特征在于：第二开关管（Q2）的控制端接二号驱动器（N2）的输出端，二号驱动器（N...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗继峰，李道流，王超，石宇轩，王浩，
申请(专利权)人：上海鲲程电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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