【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括具有卤素储存体的制品的制品、系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年11月12日提交的标题为“包括多个卤素储存体的制品,以及包括其的系统和方法”的美国临时专利申请号63/113,047的优先权和利益,其全部内容通过引用纳入本文。
[0003]本公开涉及污染控制系统领域以及从气流中去除化合物和细颗粒物的方法。
技术介绍
[0004]燃煤发电厂、城市垃圾焚化炉和炼油厂产生大量烟气,其中包含大量不同种类和数量的环境污染物,如硫氧化物(SO2和SO3)、氮氧化物(NO、NO2)、汞(Hg)蒸气和颗粒物(PM)。在美国,仅燃烧煤炭每年就产生约2700万吨SO2和45吨Hg。因此,需要改进从工业烟气(例如燃煤电厂烟气)中除去硫氧化物、汞蒸气和细颗粒物的控制系统和方法。
技术实现思路
[0005]在一些实施方式中,提供了一种改进的耐久污染控制系统,该系统可以同时去除多种烟气污染物。这些污染物可以包括但不限于例如SO
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、Hg蒸汽和PM2.5(直径为2 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制品,其包括:吸附剂聚合物复合物(SPC);和多个卤素储存体,其中所述多个卤素储存体嵌入在所述SPC内,其中所述多个卤素储存体的每个卤素储存体包括:基于各个卤素储存体的平均重量,5重量%至95重量%的至少一种渗透控制材料,和基于各个卤素储存体的平均重量,5重量%至50重量%的至少一种卤素源。2.如权利要求1所述的制品,其中所述SPC包括聚合物材料。3.如权利要求2所述的制品,其中所述聚合物材料包括以下中的至少一种:聚氟乙烯丙烯(PFEP);聚全氟丙烯酸酯(PPFA);聚偏二氟乙烯(PVDF);四氟乙烯、六氟丙烯和偏二氟乙烯(THV)的三元共聚物;聚氯三氟乙烯(PCFE);聚(乙烯
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共
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四氟乙烯)(ETFE);超高分子量聚乙烯(UHMWPE);聚乙烯;聚对二甲苯(PPX);聚乳酸(PLLA);聚乙烯(PE);膨胀聚乙烯(ePE);聚四氟乙烯(PTFE);膨胀聚四氟乙烯(ePTFE);或其任意组合。4.如权利要求3所述的制品,其中所述聚合物材料包括PVDF。5.如权利要求4所述的制品,其中所述PVDF是PVDF均聚物。6.如权利要求4所述的制品,其中所述PVDF是PVDF共聚物。7.如权利要求6所述的制品,其中所述PVDF共聚物是PVDF和六氟丙烯(HFP)的共聚物。8.如权利要求3所述的制品,其中所述聚合物材料包括PTFE。9.如权利要求3所述的制品,其中所述聚合物材料包括ePTFE。10.如权利要求2
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9中任一项所述的制品,其中所述聚合物材料包括原纤维和节点,其中所述聚合物材料在拉伸后变得多孔,使得在原纤维和节点之间形成空隙。11.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括至少一种金属卤化物、卤化铵、元素卤素或其任意组合。12.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括至少氯化钠、氯化钾、溴化钠、溴化钾、碘化钠、碘化钾或其任意组合。13.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括至少一种卤化铵。14.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中,所述至少一种卤素源包括至少四甲基碘化铵、四丁基碘化铵、四乙基碘化铵、四丙基碘化铵、四甲基溴化铵、四乙基溴化铵、四丙基溴化铵、四丁基溴化铵、四丁基三碘化铵、四丁基三溴化铵、四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、四丙基氯化铵、四丁基氯化铵或其任意组合。15.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括至少一种元素卤素。16.如权利要求15所述的制品,其中所述元素卤素是元素碘(I2)、元素氯(Cl2)或元素溴(Br2)中的至少一种。17.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括四丁基碘化铵(TBAI)。18.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括碘化钾(KI)。19.如权利要求1
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10中任一项所述的制品,其中所述至少一种卤素源包括至少一种卤
化鏻。20.如权利要求19所述的制品,其中所述至少一种卤化鏻包括四丁基碘化鏻(TBPI)、乙基三苯基三碘化鏻(ETPPI3)、四丁基溴化鏻(TBPBr)、乙基三苯基溴化鏻(ETPPBr)、乙基三苯基碘化鏻(ETPPI)或其任意组合。在一些实施方式中,所述至少一种卤化鏻选自下组:四丁基碘化鏻(TBPI)、乙基三苯基三碘化鏻(ETPPI3)、四丁基溴化鏻(TBPBr)、乙基三苯基溴化鏻(ETPPBr)、乙基三苯基碘化鏻(ETPPI)或其任意组合。21.如权利要求20所述的制品,其中所述至少一种卤化鏻是ETPPI。22.如权利要求1
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21中任一项所述的制品,其中所述制品包括足量的所述多个卤素储存体,使得在烟气流流过所述制品的至少一个表面至少90天的时间段内的条件下,从所述制品中释放总卤素的速率为每天不超过所述制品中总卤素的2%;其中所述烟气流具有至少20℃的温度和至少95%的相对湿度,以及其中所述气流包含浓度至少为1ppm的至少一种SO
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化合物和浓度至少为1μg/m3烟气流的汞蒸气。23.如权利要求1
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22中任一项所述的制品,其中所述多个卤素储存体中的至少一个采取包封珠的形式,其中所述包封珠包括:芯;至少一种卤素源,其中所述至少一种卤素源至少存在于芯的表面上;和渗透控制材料,其中所述渗透控制材料包封所述芯。24.如权利要求23所述的制品,其中所述芯包括活...
【专利技术属性】
技术研发人员:F,
申请(专利权)人:WL戈尔及同仁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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