一种低功耗宽带低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗宽带低噪声放大器，包括偏置电路、输入级放大器、输出级缓冲放大器；所述偏置电路由电流镜组成；所述输入级放大器由电流复用结构、电流分流和跨导增强结构、并联电阻负反馈结构组成；所述输出级缓冲放大电路由共源缓冲结构、电流复用和噪声抵消结构组成。本发明专利技术创新型的提出两路电流复用和两路噪声抵消，并采用及间电容抵消。通过上述方式，能够提升电路各路电流的使用效率，在不增加额外的电流情况下，有效提高电路增益和噪声等性能，另一方面的，优化反馈支路，提高增益平坦度，拓展带宽。拓展带宽。拓展带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗宽带低噪声放大器


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，具体是涉及一种低功耗宽带低噪声放大器。

技术介绍

[0002]随着高速率无线通信技术、物联网传感网络和雷达通信等应用的快速发展，使得无线通信设备的便携化、低功耗、低成本和高性能成为研究热点。高集成度的射频收发芯片的应用大幅度提升了移动通信设备的性能。射频接收机前端关键模块作为通信系统中高功耗的模块之一，降低其功耗是实现整个通信系统低功耗的关键。为了应对高速率无线通信技术、物联网传感网络和雷达通信、全球定位系统、WIFI、卫星链路等应用的快速发展，要求射频接收前端芯片具有宽带宽、低功耗和低噪声等特点。
[0003]低噪声放大器作为射频接收机第一级的有源模块，其电路性能往往能影响到整个系统的好坏。低噪声放大器将输入信号放大，在放大射频有用信号的同时也能有效降低其噪声系数和提高线性性能，从而使得进一步得信号处理对噪声不再敏感。其性能的关键性能是将无失真的放大信号送到信号处理单元，同时不增加额外的噪声。此外，低功耗对于低噪声放大器也是一个重要指标，低功耗主要表现在低电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗宽带低噪声放大器，其特征在于包括偏置电路(100)、输入级放大电路(200)和输出级缓冲放大器(300)；所述偏置电路(100)包括第一晶体管(101)和第二晶体管(102)组成的电流产生结构，以及由第一电阻(103)和第二电阻(104)组成的电流缓冲结构；所述的输入级放大电路(200)包括由第三晶体管(201)和第四晶体管(202)组成的共源共栅电流复用放大电路结构，在此基础上，增加第五晶体管(203)与第三晶体管(201)组成互补式共源放大结构，由第一电感(204)、第一电容(207)和第二电容(208)组成输入匹配网络，由第二电感(205)作为输入级放大电路(200)负载同时与第三电感(206)组成输出匹配网络，以及由第三电容(209)和第三电阻(210)组成电路并联负反馈结构；所述的输出级缓冲放大器(300)由电流源接法的共源放大结构的第六晶体管(301)和共漏缓冲第七晶体管(302)组成带放大的缓冲电路结构，由第四电感(303)组成的第六晶体管(301)和第七晶体管(302)间的匹配，由第四电容(304)组成的电容抵消反馈结构，以及由第五电容(305)组成的隔离直流信号结构。所述的第三晶体管(201)与第四晶体管(202)、第五晶体管(203)的直流电流复用；所述的第六晶体管(301)和第七晶体管(302)的直流电流复用；所述的输入级放大电路(200)中的第一电感(204)与第一电容(207)的连接端与第二电阻(104)的一端相连接，第三电感(206)的一端与第三电阻(210)的一端连接后与第七晶体管(302)的栅极相连接，第三晶体管(201)的栅极与第六晶体管(301)的栅极相连接；所述的输出级缓冲放大器(300)中的第四电容(304)的一端与第三晶体管(201)的漏极相连接；所述的偏置电路(100)为第三晶体管(201)和第六晶体管(301)的栅极提供偏置电压。2.根据权利要求1所述的低功耗宽带低噪声放大器，其特征在于：所述的偏置电路(100)中的第一晶体管(101)采用漏极和栅极相连接，同时与第二电阻(104)的另一端相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳宏卫，韦善于，韦家锐，罗育豪，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：