校正数据产生电路及相关方法技术

本申请公开一种校正数据产生电路及相关方法。该校正数据产生电路包括：第一延迟单元，具有第一延迟量；及第一扫描路径，包括：第一扫描正反器，包括：扫描数据输入端；频率输入端，用来接收频率信号；及输出端；及第二扫描正反器，包括：扫描数据输入端，耦接该第一扫描正反器的该输出端；频率输入端，用来接收该频率信号经过该第一延迟单元后形成的第一延迟频率信号；及输出端；其中当该校正数据产生电路操作时，该第一扫描正反器以及该第二扫描正反器被设定为扫描移位模式。被设定为扫描移位模式。被设定为扫描移位模式。

【技术实现步骤摘要】
校正数据产生电路及相关方法


[0001]本专利技术申请是关于校正方法，尤指一种校正数据产生电路及相关方法。

技术介绍

[0002]在设计数字电路时，会使用电子设计自动化工具来仿真真实芯片的运作，为了要贴近真实，一般会在模拟时导入晶圆厂提供或设计者自己归纳出的某些参数，以模拟出芯片变异(on
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chip variation,OCV)的特性。但上述经验值若过于保守，会造成芯片成本上升；反之，若过于放松，芯片则可能无法运作。因此，如何解决上述问题已成为本领域亟需解决的问题之一。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种校正数据产生电路包括：第一延迟单元，具有第一延迟量；及第一扫描路径，包含：第一扫描正反器，包含：扫描数据输入端；频率输入端，用来接收频率信号；及输出端；及该第二扫描正反器包括：扫描数据输入端，耦接该第一扫描正反器的该输出端；频率输入端，用来接收该频率信号经过该第一延迟单元后形成的第一延迟频率信号；及输出端；当该校正数据产生电路操作时，该第一扫描正反器以及该第二扫描正反器被设定为扫描移位模式。
[0004]本申请提供一种方法校正方法，包括：针对第一扫描路径进行扫描移位操作，以得到第一扫描移位结果，其中该第一扫描路径包括均被设定为扫描移位模式的第一扫描正反器以及第二扫描正反器，其中该第二扫描正反器的扫描数据输入端耦接该第一扫描正反器的输出端，该第一扫描正反器的该频率输入端接收频率信号，该第二扫描正反器的该频率输入端接收经过第一延迟单元后形成的第一延迟频率信号；将该第一扫描移位结果和该第一扫描路径的保持时间裕量进行比较，以得到第一比较结果，其中该第一扫描路径的保持时间裕量是依据预设时序增减因子来模拟产生；及依据该第一比较结果校正该预设时序增减因子。
[0005]通过本申请，可以校正由晶圆厂提供或设计者自己归纳出的参数，使模拟结果更加准确。
附图说明
[0006]在阅读了下文实施方式以及随图时，能够最佳地理解本专利技术公开的多种方案。应注意到，根据本领域的标准操作习惯，图中的各种特征并未依比例绘制。事实上，为了能够清楚地进行描述，可能会刻意地放大或缩小某些特征的尺寸。
[0007]图1为本申请的校正数据产生电路的实施例的示意图。
[0008]图2为本申请的校正数据产生电路的另一实施例的示意图。
[0009]图3为本申请的校正数据产生电路的延迟单元的实施例的示意图。
[0010]图4为本申请的校正数据产生电路的延迟单元的另一实施例的示意图。
[0011]符号说明：100、200：校正数据产生电路102：延迟单元SFF1、SFF2：扫描正反器SFF3、SFF4：扫描正反器Sin：输入信号Sout：输出信号CK：频率信号CKS：延迟频率信号D：数据输入端Q：输出端SI：扫描数据输入端clk：频率输入端SE：扫描使能端302、402：多任务器Sa：选择信号D：延迟基本单元
具体实施方式
[0012]在设计数字电路时，会使用仿真软件(例如电子设计自动化工具)来仿真真实芯片的运作，例如确认是否发生建立时间(setup time)违规和保持时间(hold time)违规。因为即使在同一频率树(clock tree)中，在真实芯片中频率信号到每一个正反器的时间仍有些微小的差异，即频率偏移(clock skew)。再者，数据路径的延迟时间在仿真环境和真实芯片中也有差异。由于每一颗芯片的频率偏移和数据路径延迟可能都不相同，所以在模拟时需要导入晶圆厂提供或设计者自己归纳出的预设时序增减因子(timing derate)，其中包括频率增减因子以及数据增减因子，以模拟出极端的情况。
[0013]由于预设时序增减因子不一定准确，特别是相较于成熟的制程来说，晶圆厂针对较新制程的预设时序增减因子通常会较为保守。本申请的目的在于针对保持时间违规，比较校正数据产生电路在仿真环境下得到的结果和真实芯片环境中得到的结果，并据以校正时序增减因子。
[0014]图1为本申请的校正数据产生电路的实施例的示意图。校正数据产生电路100包括延迟单元102以及由扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2构成的扫描路径。其中延迟单元102可以使经过的信号产生大小为延迟量DA的延迟，且延迟单元102可以例如，但不限于由频率缓冲器(clock buffer)实现。扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2各自包括数据输入端D、扫描数据输入端SI、频率输入端clk、输出端Q以及扫描使能端SE。扫描正反器SFF2的扫描数据输入端SI耦接扫描正反器SFF1的输出端Q，且扫描正反器SFF2的扫描数据输入端SI和扫描正反器SFF1的输出端Q之间没有其他功能性组合电路。
[0015]扫描正反器SFF1的频率输入端clk接收频率信号CK。频率信号CK经过延迟单元102后形成延迟频率信号CKS，用来仿真出频率信号CK和延迟频率信号CKS之间的频率偏移。扫
描正反器SFF2的频率输入端clk接收延迟频率信号CKS。
[0016]设计者可以在设计芯片时，将校正数据产生电路100一并放置在芯片中，例如放置在芯片中任一空闲区域，即和其他一般功能电路分开设置。在此情况下，扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2的数据输入端D不耦接至其他一般功能电路，因此可以是耦接至固定电压，或是浮接。在某些实施例中，校正数据产生电路100也可以和其他一般功能电路合并设置，即借用其他一般功能电路中的扫描路径来作为校正数据产生电路100的扫描路径。
[0017]设计者可以在晶圆厂制作成芯片之前，利用仿真软件及晶圆厂提供或设计者自己归纳出的预设时序增减因子，来对校正数据产生电路100进行静态时序分析(static timing analysis,STA)以估计出保持时间裕量(slack)。应注意的是，上述的仿真是在扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2通过扫描使能端SE被设定在扫描移位模式下所进行，例如将扫描使能端SE耦接至逻辑1。并在扫描移位模式下，利用输入信号Sin来将默认值写入扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2中，并确认输出信号Sout的输出是否正确。如前所述，由于扫描正反器SFF2的扫描数据输入端SI和扫描正反器SFF1的输出端Q之间没有其他功能性组合电路，可以使校正环境较为单纯。
[0018]在该芯片制作完成后，会在测试机台上针对由扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2构成的扫描路径进行扫描移位操作，以得到扫描移位结果，即通过或失败。若仿真得到的校正数据产生电路100的保持时间裕量为正值(代表模拟结果是通过)，但实际在测试机台上的扫描移位结果为失败，则表示预设时序增减因子过于乐观，应对应地调整。
[0019]扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2可以是相同类型或不同类型。且在某些实施例中，扫描路径所包括的扫描正反器的数目可以超过2。如图2所示，校正数据产生电路200的扫描路径除扫描正反器SFF1和扫描正反器SFF2之外，还包括扫描正反器SFF3和扫描正反器SFF4。扫描正反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校正数据产生电路，其特征在于，所述校正数据产生电路包括：第一延迟单元，具有第一延迟量；及第一扫描路径，包括：第一扫描正反器，包括：扫描数据输入端；频率输入端，用来接收频率信号；及输出端；及第二扫描正反器，包括：扫描数据输入端，耦接所述第一扫描正反器的所述输出端；频率输入端，用来接收所述频率信号经过所述第一延迟单元后形成的第一延迟频率信号；及输出端；其中当所述校正数据产生电路操作时，所述第一扫描正反器以及所述第二扫描正反器被设定为扫描移位模式。2.如权利要求1所述的校正数据产生电路，其特征在于，所述校正数据产生电路还包括：第二扫描路径，包括：第三扫描正反器，包括：扫描数据输入端；频率输入端，用来接收所述频率信号；及输出端；第四扫描正反器，包括：扫描数据输入端，耦接所述第三扫描正反器的所述输出端；频率输入端，用来接收所述第一延迟频率信号；及输出端；其中当所述校正数据产生电路操作时，所述第三扫描正反器以及所述第四扫描正反器被设定为扫描移位模式。3.如权利要求2所述的校正数据产生电路，其特征在于，依据仿真软件得到所述第一扫描路径的保持时间裕量和所述第二扫描路径的保持时间裕量不相同。4.如权利要求3所述的校正数据产生电路，其特征在于，所述第一扫描路径的所述保持时间裕量大于0，所述第二扫描路径的所述保持时间裕量小于0。5.如权利要求所述1所述的校正数据产生电路，其特征在于，所述第一延迟单元为可调整的。6.如权利要求所述1所述的校正数据产生电路，其特征在于，所述校正数据产生电路还包括：第二延迟单元，具有不同于所述第一延迟量的第二延迟量；及第三扫描路径，包括：第五扫描正反器，包括：扫描数据输入端；
频率输入端，用来接收所述频率信号；及输出端；及第六扫描正反器，包括：扫描数据输入端，耦接所述第五扫描正反器的所述输出端；频率输入端，用来接收所述频率信号经过所述第二延迟单元后形成的第二延迟频率信号；及输出端；其中当所述校正数据产生电路操作时，所述第五扫描正反器以及所述第六扫描正反器被设定为扫...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊仪，陈莹晏，刘孝慈，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：