量测方法和相关联的设备技术

披露了一种量测方法。所述方法包括：测量与对量测信号的周围信号贡献相关的至少一个周围可观察参数，所述周围信号贡献包括不可归因于被测量的至少一个目标的对所述量测信号的贡献；以及根据所述周围信号可观察参数来确定校正。所述校正用于校正与使用测量辐射进行的对一个或更多个目标的测量相关的第一测量数据，所述测量辐射在所述一个或更多个目标中的一个或更多个上形成大于所述目标中的一个目标的测量光斑。目标的测量光斑。目标的测量光斑。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测方法和相关联的设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月8日递交的美国申请63/122,641的优先权，该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本专利技术涉及能够用于例如在通过光刻技术制造器件时执行量测的量测设备和方法。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(图案形成装置替代地称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单独的层上的电路图案。可以将此图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像到提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转移。一般而言，单个衬底将包含经连续地图案化的相邻目标部分的网络。
[0005]在光刻过程中，需要频繁地对所产生的结构进行测量，例如以用于过程控制及验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用于测量重叠(器件中的两个层的对准的准确度)的专用工具。近年来，已经开发出用于光刻领域中的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导到目标上并且测量散射辐射的一个或更多个特性——例如，依据波长而变化的在单一反射角下的强度；依据反射角而变化的在一种或更多种波长下的强度；或依据反射角而变化的偏振——以获得能够用于确定目标的感兴趣的特性的衍射“光谱”。
[0006]已知的散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中描述的类型的角度分辨散射仪。由此类散射仪使用的目标相对较大，例如40μm
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40μm；目标和测量束产生小于光栅的光斑(即，目标被不足地填充)。可以在国际专利申请案US20100328655A1和US2011069292A1中找到暗场成像测量的示例，所述国际专利申请案的文件以全文引用的方式并入本文中。已公布的专利公开案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已经描述了该技术的进一步开发。这些目标可以小于照射光斑(即，目标被过度地填充)，并且可以被晶片上的产品结构包围。可以使用复合光栅目标在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请案的内容也以引用的方式并入本文中。
[0007]填充过度的测量技术的结果是，可能在测量光斑内捕获其他结构，从而导致串扰(来自量测信号中的相邻结构的贡献)。该结果同样适用于填充过度的重叠/聚焦量测和填充过度的对准。
[0008]因而，将期望改善关于填充过度的目标的量测的准确度。

技术实现思路

[0009]在第一方面中，本专利技术提供一种量测方法，所述方法包括：测量与对量测信号的周围信号贡献相关的至少一个周围可观察参数，所述周围信号贡献包括不可归因于被测量的至少一个目标的对所述量测信号的贡献；根据所述周围信号可观察参数来确定校正；获得与使用测量辐射进行的对一个或更多个目标的测量相关的第一测量数据，所述测量辐射在所述一个或更多个目标中的一个或更多个上形成大于所述目标中的一个目标的测量光斑；以及将所述校正应用于所述第一测量数据。
[0010]在第二方面中，本专利技术提供一种量测设备，包括：用于所述衬底的支撑件，在所述衬底上具有所述目标中的至少一个目标和所述产品结构；光学系统，所述光学系统用于测量每个目标；处理器；以及计算机程序载体，所述计算机程序载体包括计算机程序，所述计算机程序能够操作以使得所述处理器能够控制所述量测设备以执行第一方面所述的方法。
[0011]本专利技术又进一步提供一种计算机程序产品以及相关联的量测设备、光刻系统及制造器件的方法，所述计算机程序产品包括用于使得处理器执行第一方面所述的方法的机器可读指令。
[0012]下文参考随附的附图来详细地描述本专利技术的其他特征和优点，以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。注意，本专利技术不限于本文中描述的具体实施例。本文中仅出于说明性目的而呈现此类实施例。基于本文中包含的教导，附加的实施例对于(多个)相关领域的技术人员而言将是显而易见的。
附图说明
[0013]现在将参考随附的示意性附图并仅以示例的方式来描述本专利技术的实施例。在附图中，对应的附图标记指示对应的部分，并且在附图中：
[0014]图1描绘光刻设备；
[0015]图2描绘其中可以使用根据本专利技术的检查设备的光刻单元或簇；
[0016]图3(a)至图3(b)示意性地说明经调适以执行角度分辨散射测量及暗场成像检查方法的检查设备；
[0017]图4是根据本专利技术的实施例的可调式对准传感器的示意图；
[0018]图5是根据本专利技术的实施例的可替代的可调式量测装置的示意图。
[0019]图6(a)至图6(c)包括：图6(a)——输入辐射的光瞳图像；图6(b)——说明图5的量测装置的操作原理的离轴照射束的光瞳图像；以及图6(c)——说明图5的量测装置的另一个操作原理的离轴照射束的光瞳图像；
[0020]图7示意性地说明受对测量目标执行的周围结构影响的填充过度的测量；以及
[0021]图8示意性地说明对不可见目标结构的测量，其中，不可见目标结构和基于所述不可见目标结构的量测的方法是根据本专利技术的实施例。
具体实施方式
[0022]在详细地描述本专利技术的实施例之前，呈现可以实施本专利技术的实施例的示例性环境是有指导性的。
[0023]图1示意性地描绘光刻设备LA。该设备包括：照射系统(照射器)IL，该照射系统被
配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，该图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且连接到被配置为根据某些参数来准确地定位图案形成装置的第一定位器PM；两个衬底台(例如，晶片台)WTa和WTb，该两个衬底台分别被构造成保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆晶片)W，并且分别连接到被配置为根据某些参数来准确地定位该衬底的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，该投影系统被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。参考框架RF连接各个部件，并且充当用于设定及测量图案形成装置和衬底的位置以及图案形成装置和衬底上的特征的位置的参照物。
[0024]照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如包括折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件，或其任何组合。
[0025]图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的定向、光刻设备的设计及诸如图案形成装置是否被保持于真空环境中的其他条件的方式来保持图案形成装置。图案形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种量测方法，包括：测量与对量测信号的周围信号贡献相关的至少一个周围可观察参数，所述周围信号贡献包括不可归因于被测量的至少一个目标的对所述量测信号的贡献；根据所述周围信号可观察参数来确定校正；获得与使用测量辐射进行的对一个或更多个目标的测量相关的第一测量数据，所述测量辐射在所述一个或更多个目标中的一个或更多个上形成大于所述目标中的一个目标的测量光斑；以及将所述校正应用于所述第一测量数据。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述周围信号贡献包括当测量所述目标时在所述测量光斑中捕获的可归因于周围结构的贡献。3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述至少一个周围信号可观察参数包括以下各项中的一项或更多项：对应于所述周围结构的信号强度或强度指标；对应于所述周围结构的干涉图案的振幅；对应于所述周围结构的对准位置和/或条纹位置；对应于所述周围结构的不对称性；对应于所述周围结构的强度不平衡性；对应于所述周围结构的条纹可见性；对应于所述周围结构的、针对不同颜色的对准位置之间的差异。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，测量至少一个周围可观察参数及确定校正的所述步骤在初始校准阶段中被执行；并且所述校准阶段还包括：在所述校准阶段中，将所述校正确定为至少一个周围可观察参数与所述周围信号贡献之间的至少一个校正关系。5.如权利要求4所述的方法，其中，所述确定至少一个校正关系包括：确定用于所述测量辐射的多个不同的标称叠层和/或照射条件中的每一个的校正关系。6.如权利要求4或5所述的方法，包括：获得校准测量数据，所述校准测量数据包括校准目标数据和对应的校准周围可观察参数数据。7.如权利要求4至6中任一项所述的方法，其中，所述第一测量数据包括：与所述一个或更多个目标相关的目标测量数据；以及与所述一个或更多个目标附近的周围结构相关的对应的周围可观察参数数据。8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第一测量数据的第一子集与一个或更...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：