一种半导体溅镀制程优化控制方法、装置及介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及溅镀制程技术领域，特别涉及一种半导体溅镀制程优化控制方法、装置及介质。它提供了优化控制控制溅镀制程各变量思路，通过分析各溅镀时变量信息与成膜后片电阻信息的变化关系，找到优化各溅镀时变量信息的优化方式，达到提高溅镀质量的目的。本发明专利技术采用高斯二进制粒子群优化GPSO算法，引入高斯变异算子并优化概率映射函数，使得粒子更易跳出局部最优解，结合支持向量回归SVR模型从而实现非线性映射关系下的特征选择，同时实现高精度的片电阻值的软测量。片电阻值的软测量。片电阻值的软测量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体溅镀制程优化控制方法、装置及介质


[0001]本专利技术涉及溅镀制程
，特别涉及一种半导体溅镀制程优化控制方法、装置及介质。

技术介绍

[0002]随着现代工业的飞速发展，软测量成为了实现TFT
‑
LCD生产过程中在线估计关键变量的重要手段之一。TFT
‑
LCD的主要制程可分为前段制程、中段制程、后段制程三个部分。前段数组制程主要为制作数组电路基板，通过一系列工艺形成所需的TFT基板。等离子体溅射作为前段制程中成膜制程的重要方法，其主要原理为利用高能粒子轰击溅镀靶材从而射出溅镀靶材原子的过程，从而形成制程所需的薄膜。
[0003]溅渡制程的操作示意图如图3所示。在TFT
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LCD制造过程中，溅射过程分为镀铝Al和镀钼Mo两部分，需要在真空室中进行。在实际工业环境生产制造中，每个操作步骤都可能发生偏移或是漂移的现象，片电阻Sheet Resistance,RS为TFT
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LCD前段制程中用来衡量成膜质量的重要参数，在成膜的制程后才可以测量。面板RS测试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，包括：样本信息获取步骤和控制优化步骤；所述样本信息获取步骤，多次获取溅镀过程中的可控变量信息以及溅镀结束后成膜片电阻信息，生成包括变量信息和片电阻信息的样本数据；所述控制优化步骤，加工或训练样本数据，以片电阻为目标，优化溅镀过程中的所述可控变量信息。2.如权利要求1所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述可控变量为溅镀过程中可调节的参数，可控变量信息包括可通过自调节引起成膜片电阻变化的变量。3.如权利要求1或2所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述可控变量包括：镀铝制程镀钼制程中的溅镀靶材电压信息、功率信息以及残余气体信息。4.如权利要求3所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述溅镀靶材电压信息的获取方式为：在溅镀靶材的下表面向上植入若干接地电压探针，与连接阳极的磁控组件形成电流通道，电流依次经由磁控组件、磁控组件上方放置的背板、背板上方放置的溅镀靶材；所述功率信息的获取方式为：在溅镀靶材的下表面向上植入若干接地功率探针；所述残余气体信息的获取方式为：在溅镀装置内设置浓度传感器中，分别采集镀铝制程和镀钼制程结束时H2O、N2、O2、Ar的残余浓度。5.如权利要求4所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述功率探针和所述电压探针数量相同，在所述溅镀靶材的长度方向交替排列；所述其中一根功率探针和其中一根电压探针分别位于溅镀靶材的两侧边缘。6.如权利要求5所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述溅镀靶材电压信息和所述功率信息的计算方式为：将每根功率探针或电压探针在镀铝制程中，数据点于两个镀金属膜部分线下面积做积分，积分值为所述溅镀靶材电压信息或所述功率信息。7.如权利要求1所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述样本信息获取步骤中，采用GPSO
‑
SVR粒子群算法加工或训练样本数据；所述GPSO
‑
SVR粒子群算法计算适应度函数值时，采用支持向量回归模型加速标记全局最佳位置；和/或所述粒子群算法利用变异概率函数和动态σ(k)对全局最佳位置进行更新，避免陷入局部最优。8.如权利要求7所述的半导体溅镀制程控制方法，其特征在于，所述GPSO
‑
SVR粒子群算法的具体步骤如下：1)对样本数据进行清洗和预处理，将处理后的数据按照预设比例划分为训练集和测试集；2)设置迭代次数k＝0；最大迭代次数k
max
；粒子数K
s
；学习系数c1、c2；最大速度v
max
；权重系数w
max
、w
min
；缩放系数λ；区间x；变异次数n；变量矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘天红，闫茹，田佳强，方笑晗，樊渊，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：