低噪音间隙加热电路制造技术

本申请公开了一种低噪音间隙加热电路，包括：具有PPG引脚的MCU，电阻R3，电阻R7，电容C4，二极管D1，三极管Q1，三极管Q2，以及IGBT驱动和电磁加热模块，所述三极管Q1和三极管Q2均为NPN三极管；其中，所述PPG引脚与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的基极通过电阻R3连接第一电源正极；所述三极管Q1的基极通过电阻R7与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端与MCU共地；所述述三极管Q1的集电极连接第一电源正极，所述三极管Q1的射电极连接IGBT驱动和电磁加热模块，所述二极管D1的正极通过电容C4接地，所述二极管D1的负极与所述述三极管Q1的基极连接。本申请可以降低成本，改善电路寿命。改善电路寿命。改善电路寿命。

【技术实现步骤摘要】
低噪音间隙加热电路


[0001]本申请涉及电子技术，特别是一种低噪音间隙加热电路。

技术介绍

[0002]如公开号为CN210641095U所提及的一种低噪音快速间隙加热装置，其应用于电磁炉上。其改进目标是解决平均加热时快速功率切换所产生的噪声。该方案通过设置三极管和增加比较器来实现上述目的。
[0003]然而，专利技术人认为，上述专利需要使用比较器，其导致电路成本增加；同时，使用比较器的情况下会导致IGBT工作特性劣化，在开关时增加IGBT放大区的工作时间，这样会增加IGBT损耗，从而影响IGBT寿命。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提供一种低噪音间隙加热电路，可以节约电路成本，改善IBGT寿命。
[0005]一方面本申请实施例，提供了一种低噪音间隙加热电路，包括：
[0006]具有PPG引脚的MCU，电阻R3，电阻R7，电容C4，二极管D1，三极管Q1，三极管Q2，以及IGBT驱动和电磁加热模块，所述三极管Q1和三极管Q2均为NPN三极管；
[0007]其中，所述PPG引脚与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的基极通过电阻R3连接第一电源正极；所述三极管Q1的基极通过电阻R7与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端与MCU共地；所述述三极管Q1的集电极连接第一电源正极，所述三极管Q1的射电极连接IGBT驱动和电磁加热模块，所述二极管D1的正极通过电容C4接地，所述二极管D1的负极与所述述三极管Q1的基极连接。
[0008]在一些实施例中，还包括PNP型的三极管Q3，所述三极管Q3的基极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q3的发射极与所述三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q3的集电极接地。
[0009]在一些实施例中，还包括电阻R2和电阻R5，所述电阻R2，所述PPG引脚通过电阻R2连接第一电源正极，所述PPG引脚通过电阻R5连接三极管Q2的基极。
[0010]在一些实施例中，还包括电阻R1，所述电阻R1连接在第一电源正极和所述三极管Q1的集电极之间。
[0011]在一些实施例中，所述IGBT驱动和电磁加热模块包括功率管IGBT1和加热模块，所述述三极管Q1的发射机与所述功率管IGBT1的控制极连接，所述功率管IGBT1的受控端连接加热电路。
[0012]在一些实施例中，所述IGBT驱动和电磁加热模块还包括电阻R4和电阻R6,所述电阻R4连接在所述功率管IGBT1的控制端和所述三极管Q1的发射极之间，所述电阻R6连接在所述功率管IGBT1的控制端和地之间。
[0013]在一些实施例中，还包括电容C3，所述电容C3与所述电阻R6并联。
[0014]在一些实施例中，还包括稳压管Z1，所述稳压管Z1的正极与所述功率管IGBT1的控制端连接，所述稳压管Z1的负极接地。
[0015]在一些实施例中，所述加热模块包括电感L1，电容C1和电容C2，所述电感L1和电容C1并联，所述电感L1连接在第二电源正极和所述功率管IGBT1的控制端之间，所述电容C2连接在第二电源正极和地之间。
[0016]通过本申请实施例通过节省比较器的方式来降低成本，同时可以去除由于比较器所导致的IGBT控制器使用特性劣化，减少IGBT在开关时的损耗，延长IGBT寿命。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍。
[0018]图1是本申请实施例提供的一种电路图；
[0019]图2是本申请实施例提供的另外一种电路图；
[0020]图3是本申请实施例提供的使用比较器和不使用比较器时IGBT的上升沿特性图。
具体实施方式
[0021]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本申请实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本申请的技术方案，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]参照图1，本申请实施例提供了一种低噪音间隙加热电路，包括：
[0023]具有PPG引脚的MCU，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5、电阻R7，电容C4，二极管D1，NPN型的三极管Q1，NPN型的三极管Q2，PNP型的三极管Q3，以及IGBT驱动和电磁加热模块；
[0024]其中，所述PPG引脚与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的基极通过电阻R3连接第一电源正极+18V；所述三极管Q1的基极通过电阻R7与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端与MCU共地；所述述三极管Q1的集电极连接第一电源正极+18V，所述三极管Q1的射电极连接IGBT驱动和电磁加热模块，所述二极管D1的正极通过电容C4接地，所述二极管D1的负极与所述述三极管Q1的基极连接。所述三极管Q3的基极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q3的发射极与所述三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q3的集电极接地GND。所述电阻R2，所述PPG引脚通过电阻R2连接第一电源正极，所述PPG引脚通过电阻R5连接三极管Q2的基极。所述电阻R1连接在第一电源正极+18V和所述三极管Q1的集电极之间。
[0025]可以理解的是MCU通过PPG引脚发送控制信号来控制后级电路进行工作。在该电路中电阻R2是PPG引脚的上拉电阻，电阻R5是三极管Q2的输入电阻，三极管Q2的基极受到PPG引脚的控制。PPG引脚通过输出高电平或者低电平可以控制三极管Q2的开合。而三极管Q2的导通与否影响三极管Q1和三极管Q3的基极电压，从而PPG引脚可以通过三极管Q2的导通来控制三极管Q1和三极管Q3的导通状态，进而控制IGBT驱动和电磁加热模块的工作。
[0026]参考图2，所述IGBT驱动和电磁加热模块包括功率管IGBT1和加热模块，所述述三
极管Q1的发射机与所述功率管IGBT1的控制极连接，所述功率管IGBT1的受控端连接加热电路。所述IGBT驱动和电磁加热模块还包括电阻R6,所述电阻R4连接在所述功率管IGBT1的控制端和所述三极管Q1的发射极之间，所述电阻R6连接在所述功率管IGBT1的控制端和地之间。IGBT驱动和电磁加热模块还包括电容C3和稳压管Z1，所述电容C3与所述电阻R6并联。所述稳压管Z1的正极与所述功率管IGBT1的控制端连接，所述稳压管Z1的负极接地，设置稳压管Z1可以使流经所述二极管Z1的阳极的电流通过所述二极管Z1流经所述电阻R6和所述功率管，保证工作状态的正常。所述加热模块包括电感L1，电容C1和电容C2，所述电感L1和电容C1并联，所述电感L1连接在第二电源正极和所述功率管IGBT1的控制端之间，所述电容C2连接在第二电源正极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪音间隙加热电路，其特征在于，包括：具有PPG引脚的MCU，电阻R3，电阻R7，电容C4，二极管D1，三极管Q1，三极管Q2，以及IGBT驱动和电磁加热模块，所述三极管Q1和三极管Q2均为NPN三极管；其中，所述PPG引脚与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的基极通过电阻R3连接第一电源正极；所述三极管Q1的基极通过电阻R7与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端与MCU共地；所述述三极管Q1的集电极连接第一电源正极，所述三极管Q1的射电极连接IGBT驱动和电磁加热模块，所述二极管D1的正极通过电容C4接地，所述二极管D1的负极与所述述三极管Q1的基极连接。2.根据权利要求1所述的低噪音间隙加热电路，其特征在于，还包括PNP型的三极管Q3，所述三极管Q3的基极与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q3的发射极与所述三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q3的集电极接地。3.根据权利要求1所述的低噪音间隙加热电路，其特征在于，还包括电阻R2和电阻R5，所述电阻R2，所述PPG引脚通过电阻R2连接第一电源正极，所述PPG引脚通过电阻R5连接三极管Q2的基极。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹根元，曾军，
申请(专利权)人：中山安亚思电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：