射频消融测控系统及测控方法技术方案

本发明专利技术涉及一种射频消融测控系统及测控方法，涉及射频消融技术领域，用于较为准确地控制射频消融针的温度，避免消融区域边缘位置的温度过低和热场不均匀的现象。本发明专利技术的射频消融测控系统，在指定主针为控温元件以调整其工作参数后再次指定子针为控温元件以调整其工作参数，从而能够避免边缘位置的温度过低和热场不均匀而不能完全灭杀该处细胞活性的问题；或者射频消融仪直接指定子针为控温元件以调整其工作参数，也可解决边缘位置的温度过低和热场不均匀而不能完全灭杀该处细胞活性的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
射频消融测控系统及测控方法


[0001]本专利技术涉及射频消融
，特别地涉及一种射频消融测控系统及测控方法。

技术介绍

[0002]目前用于肿瘤微创治疗的射频消融技术应适应症广泛，安全可靠，频率范围一般在200—500KHz之间，射频能量通过射频线缆连接器和手术电极传送至手术电极经皮穿刺或腔镜引导下进入组织的部位并和体外连接的负极板构成回路，形成高频电场，在高频电场的作用下激化手术电极周围组织中的导电粒子和极化分子高速运转形成摩擦热，当组织温度达到60℃以上就会使组织中蛋白质凝固，失去活性不可逆转的坏死，从而达到治疗效果。
[0003]消融区域的电流一般以靠近电极的中心点最为密集，此区域也为温度的最高点，电极中心点径向方向上分别从两边(例如左右两边或上下两边)向外延伸时温度逐渐衰减，而如果边缘位置的温度过低则该部位的细胞仍具有活性，就会产生消融遗漏而导致术后复发，而此时如果进一步提高温度，则会导致中心区域的温度过高，而使该部位的组织产生结痂炭化等不利于手术顺利进行的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种射频消融测控系统及测控方法，用于较为准确地控制射频消融针的温度，避免消融区域边缘位置的温度过低和热场温度不均匀的现象。
[0005]根据本专利技术的第一个方面，本专利技术提供一种射频消融测控系统，包括射频消融仪和射频消融针，所述射频消融针包括主针和至少一个子针，所述子针可从所述主针的外周展开或缩回；
[0006]所述射频消融仪分别与所述主针和所述子针相连，以接收所述主针和所述子针反馈的信号；
[0007]其中，所述射频消融仪构造为指定所述主针为控温元件以调整所述射频消融仪的工作参数后，指定所述子针为控温元件以调整所述射频消融仪工作参数；或者
[0008]所述射频消融仪构造为仅指定所述子针为控温元件以调整所述射频消融仪的工作参数。
[0009]在一个实施方式中，所述射频消融仪构造为指定所述主针为控温元件，并根据所述主针当前时刻的温度T
主
(t
i
)与主针的目标温度T
s主
调整所述射频消融仪工作参数后，再指定所述子针为控温元件，并根据所述子针当前时刻的温度T
子
(t
i
)与子针的目标温度T
s子
再次调整所述射频消融仪的工作参数。
[0010]在一个实施方式中，所述射频消融仪构造为仅指定所述子针为控温元件，并根据所述子针当前时刻的温度T
子
(t
i
)与所述子针的目标温度T
s子
调整所述射频消融仪的工作参数。
[0011]在一个实施方式中，所述射频消融仪的工作参数包括当前时刻所述射频消融仪输
出至所述射频消融针的功率P(t
i
)，所述射频消融仪指定所述主针为控温元件时，当前时刻的功率P(t
i
)与所述主针的温度满足以下关系式：
[0012]P(t
i
)＝P(t
i
‑1)+ΔP；
[0013]ΔP＝K
p
[T
e
(t
i
)
‑
T
e
(t
i
‑1)]+K
j
T
e
(t
i
)+K
d
[T
e
(t
i
)
‑
2T
e
(t
i
‑1)+T
e
(t
i
‑2)]；
[0014]T
e
(t
i
)＝T
主
(t
i
)
‑
T
s主
；
[0015]T
e
(t
i
‑1)＝T
主
(t i
‑1)
‑
T
s主
；
[0016]T
e
(t
i
‑2)＝T
主
(t i
‑2)
‑
T
s主
；
[0017]其中，ΔP为需要调整的功率值；
[0018]t
i
为当前时刻所述主针的工作时间，i为大于等于2的自然数；
[0019]P(t
i
‑1)为第i
‑
1时刻所述射频消融仪输出至所述射频消融针的功率；
[0020]T
e
(t
i
‑1)为第i
‑
1时刻所述主针的温度；
[0021]T
e
(t
i
‑2)为第i
‑
2时刻所述主针的温度；
[0022]K
p
为温度调整的比例因子，其数值范围为0.4～1；
[0023]K
j
为积分时间，其数值范围为0.4～1；
[0024]K
d
为微分时间，其数值范围为0.5～1。
[0025]在一个实施方式中，所述射频消融仪的工作参数包括当前时刻所述射频消融仪输出至所述射频消融针的功率P(t
i
)，所述射频消融仪指定所述子针为控温元件时，当前时刻的功率P(t
i
)与所述子针的温度满足以下关系式：
[0026]P(t
i
)＝P(t
i
‑1)+ΔP；
[0027]ΔP＝K
p
[T
e
(t
i
)
‑
T
e
(t
i
‑1)]+K
j
T
e
(t
i
)+K
d
[T
e
(t
i
)
‑
2T
e
(t
i
‑1)+T
e
(t
i
‑2)]；
[0028]T
e
(t
i
)＝T
子
(t
i
)
‑
T
s子
；
[0029]T
e
(t
i
‑1)＝T
子
(t i
‑1)
‑
T
s子
；
[0030]T
e
(t
i
‑2)＝T
子
(t i
‑2)
‑
T
s子
；
[0031]其中，ΔP为需要调整的功率值；
[0032]t
i
为当前时刻所述子针的工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频消融测控系统，其特征在于，包括射频消融仪(200)和射频消融针(100)，所述射频消融针(100)包括主针(110)和至少一个子针(120)，所述子针(120)可从所述主针(110)的外周展开或缩回；所述射频消融仪(200)分别与所述主针(110)和所述子针(120)相连，以接收所述主针(110)和所述子针(120)反馈的信号；其中，所述射频消融仪(200)构造为指定所述主针(110)为控温元件以调整所述射频消融仪(200)的工作参数后，指定所述子针(120)为控温元件以调整所述射频消融仪(200)工作参数；或者所述射频消融仪(200)构造为仅指定所述子针(120)为控温元件以调整所述射频消融仪(200)的工作参数。2.根据权利要求1所述的射频消融测控系统，其特征在于，所述射频消融仪(200)构造为指定所述主针(110)为控温元件，并根据所述主针(110)当前时刻的温度T
主
(t
i
)与主针(110)的目标温度T
s主
调整所述射频消融仪(200)工作参数后，再指定所述子针(120)为控温元件，并根据所述子针(120)当前时刻的温度T
子
(t
i
)与子针的目标温度T
s子
再次调整所述射频消融仪(200)的工作参数。3.根据权利要求1所述的射频消融测控系统，其特征在于，所述射频消融仪(200)构造为仅指定所述子针(120)为控温元件，并根据所述子针(120)当前时刻的温度T
子
(t
i
)与所述子针(120)的目标温度T
s子
调整所述射频消融仪(200)的工作参数。4.根据权利要求2所述的射频消融测控系统，其特征在于，所述射频消融仪(200)的工作参数包括当前时刻所述射频消融仪(200)输出至所述射频消融针(100)的功率P(t
i
)，所述射频消融仪(200)指定所述主针(110)为控温元件时，当前时刻的功率P(t
i
)与所述主针(110)的温度满足以下关系式：P(t
i
)＝P(t
i
‑1)+ΔP；ΔP＝K
p
[T
e
(t
i
)
‑
T
e
(t
i
‑1)]+K
j
T
e
(t
i
)+K
d
[T
e
(t
i
)
‑
2T
e
(t
i
‑1)+T
e
(t
i
‑2)]；T
e
(t
i
)＝T
主
(t
i
)
‑
T
s主
；T
e
(t
i
‑1)＝T
主
(t
i
‑1)
‑
T
s主
；T
e
(t
i
‑2)＝T
主
(t
i
‑2)
‑
T
s主
；其中，ΔP为需要调整的功率值；t
i
为当前时刻所述主针(110)的工作时间，i为大于等于2的自然数；P(t
i
‑1)为第i
‑
1时刻所述射频消融仪(200)输出至所述射频消融针(100)的功率；T
e
(t
i
‑1)为第i
‑
1时刻所述主针(110)的温度；T
e
(t
i
‑2)为第i
‑
2时刻所述主针(110)的温度；K
p
为温度调整的比例因子，其数值范围为0.4～1；K
j
为积分时间，其数值范围为0.4～1；K<...

【专利技术属性】
技术研发人员：江荣华，罗富良，黄乾富，
申请(专利权)人：海杰亚北京医疗器械有限公司，
类型：发明
国别省市：