【技术实现步骤摘要】
垂直型霍尔磁场感测元件
[0001]本专利技术涉及一种霍尔磁场感测元件，特别是垂直型霍尔磁场感测元件。
技术介绍
[0002]近年来，随着半导体制程的蓬勃发展，导致各种电子元件的微小化、集成化已不再是梦想。
[0003]一般而言，传统的霍尔感测元件主要是以劳仑兹力(Lorentz force)为主要的原理。其原理是当有一个外加电流沿水平轴施加时，会在垂直轴之间产生霍尔电压，其电压大小会随着霍尔感测元件的厚度、截面积、外加电流与磁场大小而改变。倘若要感测较小的磁场，可以借由提升外加电流、改变厚度或者改变载子浓度来实现。目前市售的霍尔感测元件大都以双极性接面型电晶体(Bipolar Junction Transistor，BJT)技术或磁性材料制成，其读出电路与信号处理电路无法结合，故需要个别制造，再行整合，如此将导致制造成本提高、产品体积增大等缺点。另一方面，由于霍尔感测元件的输出信号通常很小，所以需要低输入偏移电压及低杂讯特性。因此，如何有效减少体积且增加整合电路的方便性，便成为各家厂商急欲解决的问题之一。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直型霍尔磁场感测元件，以标准CMOS制程制作完成，其特征在于，该元件包含：半导体基板，该半导体基板上设置相互平行的两深层布植层以作为电流传导的载体层；多个浅层布植层，所述浅层布植层分别设置在不同的所述深层布植层的同一侧的上表面，并且每一所述浅层布植层分别以N型井区(N
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well)环绕，用以形成与所述深层布植层电性连接的多个导体接垫，以及允许电流经由所述导体接垫通过所述深层布植层中间相连的通道形成垂直型电流路径，并且根据所述深层布植层与所述浅层布植层间的制程深度的差异生成不同轴向的磁场感测平面；以及电流阻挡层，该电流阻挡层以保护环结构覆盖所述深层布植层作为阻挡电流的阻挡物。2.根据权利要求1所述的垂直型霍尔磁场感测元件，其特征在于，该元件还包含读出电路及供给该垂直型霍尔磁场感测元件的直流电源，该读出电路以差值放大器将该垂直型霍尔磁场感测元件的电压放大。3.根据权利要求1所述的垂直型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述深层布植层...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋国明，李浚廷，李孟伦，黄致融，
申请(专利权)人：睿克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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