【技术实现步骤摘要】
薄膜电容工艺检测方法及电子设备
[0001]本专利技术涉及图像处理
，具体而言，涉及一种薄膜电容工艺检测方法及电子设备。
技术介绍
[0002]薄膜电容作为电子设备中大量使用的电子元件之一，薄膜电容在生产制造过程中，需要先制作内电极，然后，再利用多层片状内电极和电介质进行堆叠，或者利用长条状的内电极进行卷绕，以制造薄膜电容。薄膜电容中的内电极为一种薄膜片状或条状结构。生产的内电极需要进行缺陷检测，且在经过缺陷检测后，才能用于制作薄膜电容。由于薄膜电容的内电极为柔性材料，在高精度拍摄下，光学成像设备在对柔性物体进行观测时，柔性物体容易因外力或自身重量等原因发生变形，使得原本应该检测的位置发生偏差，影响检测结果的准确性；并且柔性物体的柔软度和弯曲度较高，相比于硬质物体更难以固定位置和形状，柔性物体常常存在多种缺陷；此外，柔性物体的表面通常有一定的光泽，会反射光线，增加了检测过程中的干扰和误差。目前，内电极的检测通常是人工目测，而工人长时间地进行重复目测，容易产生视觉疲劳而导致缺陷检测的准确性降低。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜电容工艺检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取采集基膜得到的待测图像及预先创建的与所述待测图像对应的模板图像，其中，所述基膜包括用于制作薄膜电容的呈阵列排布的多个内电极，所述模板图像中的每个内电极均满足表征外观正常的指定条件；基于所述模板图像中的预设图区，对所述待测图像进行分区定位，得到相匹配的多个图区组，其中，所述多个图区组中的每个图区组包括所述模板图像中的任一预设图区及所述待测图像中与所述任一预设图区对应的待测图区；针对所述每个图区组，对所述待测图区和所述任一预设图区相同位置的像素点的灰度值相减，得到所述待测图区的残差图区；根据预设分类策略，确定所述残差图区的检测结果，所述检测结果包括表征所述残差图区是否存在缺陷的结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取采集基膜得到的待测图像及预先创建的与所述待测图像对应的模板图像之前，所述方法还包括：获取与所述基膜对应的参考图像；对所述参考图像进行区域划分，得到多个预设图区；针对所述多个预设图区的每个预设图区，利用Sobel算子确定所述预设图区中权重最高的像素点以作为定位点；针对所述每个预设图区，将所述定位点预设范围内的图区作为所述预设图区的定位核，并记录所述定位核在所述参考图像中的第一位置坐标及所述每个预设图区的第二位置坐标，得到所述每个预设图区的所述定位核，并形成所述模板图像。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述模板图像中的预设图区，对所述待测图像进行分区定位，得到相匹配的多个图区组，包括：在所述待测图像中，生成与每个所述定位核的第一位置坐标相同的第三位置坐标，以及与所述每个预设图区的第二位置坐标相同的第四位置坐标；利用相似度匹配算法，确定所述模板图像中每个第一位置坐标的图区与所述待测图像中相应的第三位置坐标的图区的位置偏差；根据每个第三位置坐标的位置偏差，修正所述待测图像中与相应预设图区对应的第四位置坐标，得到相匹配的所述多个图区组，其中，在所述待测图像中每个修正后的第四位置坐标的图区与相应预设图区相匹配，并作为一个图区组。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据预设分类策略，确定所述残差图区的检测结果，包括：对所述残差图区进行Blob分析，得到缺陷区域；基于所述缺陷区域的形状、面积和灰度值，确定所述检测结果。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，基于所述缺陷区域的形状、面积和灰度值，确定所述检测结果，包括：基于预先建立的形状、面积和灰度值与缺陷类别的关系表，查表确定是否存在与所述缺陷区域的形状、面积和灰度值对应的缺陷类别；当所述关系表中存在与所述缺陷区域的形状、面积和灰度值对应的缺陷类别时，将查找到的缺陷类别作为所述检测结果；
当所述关...
【专利技术属性】
技术研发人员：张元，陈皓天，杨再学，陈斌，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学重庆研究院，
类型：发明
国别省市：
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