一种制备DLC薄膜的方法、由此制造的DLC膜容器及生产装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种改善内表面沉积膜层膜基结合强度及提高沉积膜层均匀性的工艺、装置和方法。装置特征是：设计出一套容器内壁ＤＬＣ膜制备及生产装置，包括高频与偏压复合电源，真空反应室，集磁装置等。在生产过程中，通过向所述的外端电极（３）施加高频，在所述中心管电极（７）与外端电极（３）之间产生电势差，由此激发气体产生等离子体，同时在所述外端电极（３）上施加直流负偏压，使正离子加速轰击容器内壁，增强了ＤＬＣ膜与基体的结合力。还有，由于容器内部等离子体分布不均匀，会造成成膜厚度不均匀。根据带电粒子在磁场中受电磁力作用，引入磁场改变等离子体分布，使得等离子体分布在磁场的作用下可控，得到高质量涂层。

【技术实现步骤摘要】

-本专利技术是关于一种低温制备类金刚石碳(DLC)薄膜的方法、由此制造的DLC容器及生产装置，尤其涉及一种覆有高附着性和轴向厚度均匀的DLC薄膜的塑料容器的制造方法及设备。
技术介绍
类金刚石薄膜具有优异的性质，主要表现在类金刚石薄膜具有良好的力学性质，硬度高，耐磨性好且摩擦系数低，良好的扩散阻挡层性质，耐腐蚀性好，导热性好及化学稳定性好等。因此类金刚石薄膜可应用于多种领域，被广泛应用于食品、化工及生物医用领域，塑料包装容器由于自身低的气体阻隔性能，限制了使用。本设计的目的，利用纳米金刚石膜高阻隔的性能，采用常温纳米金刚石膜技术在容器内层沉积 一层纳米金刚石膜，使该容器以作为新一代的包装容器，达到无毒、保鲜、安全、高阻隔、易运输、易回收的特点，创造新一代包装容器，为人类生活创造便利条件。已有的报道类金刚石薄膜可以通过溅射法镀于底材上溅射源一般分为含烃类气体及石墨两类。当采用含烃类气体作为溅射源时，产生的类金刚石薄膜中含有大量的氢杂质成份，造成类金刚石膜中的SP3键结合的碳原子成份偏少。当采用石墨为靶材进行溅射制得类金刚石薄膜时，由于石墨与钻石中碳原子的结合方式不同，为二维空间键合，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造覆有ＤＬＣ薄膜容器的装置，包括ＲＦ／ＤＣ复合电源，真空室，真空泵，气体供给装置，外端电极（３）与中心管电极（７），集磁装置等。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：
申请(专利权)人：张海涛，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]