光接收装置和距离测量设备制造方法及图纸

根据本公开的一个实施例的光接收装置包括堆叠式芯片结构，在该堆叠式芯片结构中堆叠像素芯片和电路芯片。在像素芯片中，设置用于根据光子的接收生成信号的光接收元件。在电路芯片中，构成用于读出在光接收元件中生成的信号的读出电路的电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置。板表面的方向设置。板表面的方向设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收装置和距离测量设备


[0001]本公开涉及光接收装置和距离测量设备。

技术介绍

[0002]存在使用根据光子的接收生成信号的元件作为光接收元件(光检测元件)的光接收装置(光检测装置)。例如，单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode；SPAD)元件被称为根据光子的接收生成信号的光接收元件。
[0003]关于使用SPAD元件作为光接收元件的光接收装置，存在像素的开口率降低的问题，因为每个像素需要读出电路，诸如淬灭电路、脉冲整形电路或计数器电路。为了解决这种问题，存在通过在诸如淬灭电路、脉冲整形电路或计数器电路的读出电路与每个像素的SPAD元件之间实现Cu
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Cu接合来实现像素的开口率的增大的技术(例如，参见专利文献1)。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国未经审查专利申请公开第2018/0308881号。

技术实现思路

[0007]顺便提及，在采用使用绝缘体上硅(SOI)晶圆将晶体管电路部堆叠在像素正上方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收装置，包括：堆叠式芯片结构，包括堆叠的像素芯片和电路芯片，其中，在所述像素芯片中，设置光接收元件，所述光接收元件根据光子的接收生成信号，并且在所述电路芯片中，包括在读出电路中的晶体管电路部相对于所述像素芯片与所述电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于所述电路芯片的基板表面的方向设置，所述读出电路读取由所述光接收元件生成的所述信号。2.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述光接收元件包括在盖革模式下操作的雪崩光电二极管。3.根据权利要求2所述的光接收装置，其中，所述光接收元件包括单光子雪崩二极管。4.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述读出电路包括多个晶体管电路部，并且所述多个晶体管电路部被设置为在所述电路芯片中彼此堆叠。5.根据权利要求4所述的光接收装置，其中，所述多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，所述脉冲整形电路对从所述光接收元件输出的脉冲信号进行整形，所述逻辑电路处理由所述脉冲整形电路整形的所述脉冲信号，并且所述脉冲整形电路和所述逻辑电路被设置为在所述电路芯片中彼此堆叠。6.根据权利要求5所述的光接收装置，其中，在所述像素芯片中，设置淬灭电路，所述淬灭电路抑制所述光接收元件的雪崩倍增，并且所述淬灭电路被设置为在所述像素芯片中相对于所述光接收元件堆叠。7.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，所述脉冲整形电路对从所述光接收元件输出的脉冲信号进行整形，所述逻辑电路处理由所述脉冲整形电路整形的所述脉冲信号，在所述像素芯片中，淬灭电路和所述脉冲整形电路被设置为相对于所述光接收元件堆叠，所述淬灭电路抑制所述光接收元件的雪崩倍增，并且在所述电路芯片中，设置所述逻辑电路。8.根据权利要求7所述的光接收装置，其中，在所述像素芯片中，所述光接收元件、所述淬灭电路和所述脉冲整形电路经由电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：小木纯，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：