【技术实现步骤摘要】
半导体器件测温系统、传感器探头的制备方法和封装方法
[0001]本专利技术涉及光纤
,特别是涉及半导体器件测温系统、传感器探头的制备方法和封装方法。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展,基于半导体器件的控制装置不断涌现。这类控制装置通过在电路中增加半导体器件,利用半导体器件的物化特性实现控制。例如换流阀,作为交直流转换的核心设备,内部可以通过IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)器件实现。此类装置中,需要实时监控半导体器件的温度。
[0003]传统技术中,通过红外摄像机对半导体器件表面进行拍照,形成半导体器件的热成像图。
[0004]然而,采用该方法必须拆开半导体器件的封装,除去注入的硅胶,才能使红外摄像机完成拍摄。但在实际环境下半导体器件是封装完好的器件,红外光成像法不能满足实时监测的需求。
技术实现思路
[0005]基于此,有必要针对红外摄像机不能实时检测半导体器件温度的问题,提供一种半导体器件测温系统、传感器探头的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件测温系统,用于检测半导体器件的温度,其特征在于,所述系统包括:光源,用于发出光线;光谱仪,用于接收光谱信号;检测光纤,所述检测光纤的第一端设有反射镜;所述检测光纤至少部分熔接有传感器探头,所述传感器探头贴合所述半导体器件;以及萨格纳克环,通过输入光纤与所述光源连接,通过输出光纤与所述光谱仪连接;所述萨格纳克环还连接所述检测光纤的第二端;使得所述光源发出的光经过所述萨格纳克环后传输至所述检测光纤,经所述反射镜反射后经过所述萨格纳克环得到所述光谱信号。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述萨格纳克环包括:第一单模光纤;第二单模光纤;第一光纤耦合器,所述第一光纤耦合器的第一侧通过所述输入光纤与所述光源连接,所述第一光纤耦合器的第一侧还通过所述输出光纤与所述光谱仪连接,所述第一光纤耦合器的第二侧连接所述第一单模光纤的第一端和所述第二单模光纤的第一端;用于将所述光源发出的光分为两道相向传输的输入光并分别输入至所述第一单模光纤和所述第二单模光纤,还用于接收所述第一单模光纤和所述第二单模光纤的两道输出光并合为所述光谱信号传输至所述输出光纤;以及第二光纤耦合器,所述第二光纤耦合器的第一侧连接所述第一单模光纤的第二端和所述第二单模光纤的第二端,所述第二光纤耦合器的第二侧连接所述检测光纤的第二端;用于将两道所述输入光合并为一束并传输至所述检测光纤,还用于将所述反射镜反射的光分为两道输出光,并分别传输至所述第一单模光纤和所述第二单模光纤。3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半导体器件是绝缘栅双极型晶体管。4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述传感器探头与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡冉,马楠,黄湛华,厉冰,许志锋,
申请(专利权)人:深圳供电局有限公司,
类型:发明
国别省市:
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