一种解耦的主变虚端子校核方法技术

本发明专利技术公开了一种解耦的主变虚端子校核方法，包括：步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。方案采用较少的校核模板适配不同电压等级的接线组合，显著提高了主变虚端子的校核效率。核效率。核效率。

【技术实现步骤摘要】
一种解耦的主变虚端子校核方法


[0001]本专利技术涉及变电站运维调试
，具体的，涉及一种解耦的主变虚端子校核方法。

技术介绍

[0002]智能变电站SCD作为全站配置的重要文件，中间包括了各个IED之间的虚端子连接信息，包括采样回路虚端子、跳闸回路虚端子、合闸回路虚端子、联闭锁虚端子等。目前虚端子校核的策略主要集中在如何判断不同类型设备需要拉哪些虚端子，如何排查出错接、多接和漏接的情况。传统的继电保护等设备规范里面只定义了设备发送、接收具备哪些虚端子，并没有定义这些设备应该和哪些设关联哪些虚端子，因此通过规范无法做到排查虚端子错误的问题。
[0003]很多设备生产厂家通过制定标准虚端子校核模板的策略去校核现场实际SCD。在标准模板中制定不同电压等级、不同接线方式、不同设备类型的IED与关联IED的虚端子，通过校核现场SCD与标准虚端子模板是否一致来完成虚端子排查的目的。这种方法针对一个间隔只具备一种接线方式的情况，标准间隔模板具备通用性。但是对于主变间隔来说，主变高、中、低压侧对应的接线方式可能完全不一样，例如主变高压侧接线方式可能是：3/2接线方式、双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线；主变中压侧接线方式可能是：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线；主变低压侧接线方式可能是：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。因此如果为了满足测试需求，按照三卷变考虑，需要制定8*7*7种模板，才能满足变电站实际的主变接线方式需求，模板数量多，人工工作量大。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对传统主变虚端子校核方式需要生成的模板众多、适配复杂的问题，提出一种解耦的主变虚端子校核方法，将主变保护虚拟为三种电压等级的主变保护，根据不同电压等级的接线方式获取对应的主变保护校核模板，将获取的对应主变保护校核模板进行合并得到主变间隔虚端子校核模板，该方法只需要制定8+7+7种模板，即可以适配任一种排列组合的主变接线方式，模板数量减少，人工工作量降低，显著提高了主变虚端子的校核效率。
[0005]本专利技术实施例中提供的一种技术方案是，一种解耦的主变虚端子校核方法，包括如下步骤：步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；
步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。
[0006]作为优选，每个主变保护校核模板只包括本侧主变保护和关联IED之间的虚连接。
[0007]作为优选，所述高压侧主变保护校核模板包括：3/2接线方式、双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。
[0008]作为优选，所述中压侧主变保护校核模板包括：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。
[0009]作为优选，所述低压侧主变保护校核模板包括：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。
[0010]作为优选，步骤S3中，高压侧主变保护与高电压等级接线方式一致，中压侧主变保护与中电压等级接线方式一致，低压侧主变保护与低电压等级接线方式一致。
[0011]作为优选，步骤S4中，还包括判定不同电压等级的接线方式：同电压等级具备断路器保护，则对应电压等级接线方式为3/2接线；同电压等级具备备自投保护，则对应电压等级接线方式为内桥接线；同电压等级具备2个同类型母联保护或者2个同类型母联智能终端且具备2个同类型母分保护或者2个同类型母分智能终端，则接线方式为双母双分；同电压等级具备2个同类型母联保护或者2个同类型母联智能终端且具备1个同类型母分保护或者1个同类型母分智能终端，则接线方式为双母单分段；同电压等级具备1个同类型母联保护或者1个同类型母联智能终端且不具备母分保护或者母分智能终端，则接线方式为双母线；同电压等级具备0个同类型母联保护或者0个同类型母联智能终端且具备1个同类型母分保护或者1个同类型母分智能终端，则接线方式为单母分段；同电压等级具备0个同类型母联保护或者0个同类型母联智能终端且具备2个同类型母分保护或者2个同类型母分智能终端，则接线方式为单母三分段；同电压等级具备0个同类型母联保护或者0个同类型母联智能终端且具备0个同类型母分保护或者0个同类型母分智能终端，则接线方式为单母线。
[0012]本专利技术的有益效果：本专利技术一种解耦的主变虚端子校核方法，将主变保护虚拟为三种电压等级的主变保护，根据不同电压等级的接线方式获取对应的主变保护校核模板，将获取的对应主变保护校核模板进行合并得到主变间隔虚端子校核模板，该方法只需要制定8+7+7种模板，即可以适配任一种排列组合的主变接线方式，模板数量减少，人工工作量降低，显著提高了主变虚端子的校核效率。
[0013]上述
技术实现思路
仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0014]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本专利技术的其它
特征、目的和优点将会变得更明显。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。
[0015]图1为本专利技术的一种解耦的主变虚端子校核方法的流程图。
具体实施方式
[0016]为使本专利技术的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅是本专利技术的一种最佳实施例，仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]在更加详细地讨论示例性实施例之前，应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作(或步骤)可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤；所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。
[0018]实施例：如图1所示，一种解耦的主变虚端子校核方法包括以下步骤：步骤S1，分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。2.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：每个主变保护校核模板只包括本侧主变保护和关联IED之间的虚连接。3.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：所述高压侧主变保护校核模板包括：3/2接线方式、双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。4.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：所述中压侧主变保护校核模板包括：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。5.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：所述低压侧主变保护校核模板包括：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔凡坊，黄志清，何玉灵，裘愉涛，刘辉乐，王珠峰，杨剑友，胡佳佳，牛俊涛，陈培训，钟薇薇，
申请(专利权)人：华北电力大学保定温州电力建设有限公司武汉凯默电气有限公司，
类型：发明
国别省市：