具有多层干涉膜的电子设备涂覆物制造技术

本公开涉及具有多层干涉膜的电子设备涂覆物。电子设备可设置有导电结构，诸如导电外壳结构。可见光反射涂覆物可形成于该导电结构上。该涂覆物可以具有粘附和过渡层，以及在该粘附和过渡层上的多层薄膜干涉过滤器。该多层薄膜干涉过滤器可以具有最上面的SiCrN层、最下面的TiN层，以及与一组SiH层交错的一组SiN层。该涂覆物可以呈现橙色、黄色或红色，即使当下面的导电结构具有三维形状时，该颜色在不同视角下，也具有相对均匀的视觉响应。也具有相对均匀的视觉响应。也具有相对均匀的视觉响应。

【技术实现步骤摘要】
具有多层干涉膜的电子设备涂覆物
[0001]本申请要求2023年1月19日提交的美国专利申请第18/156,905号和2022年2月1日提交的美国临时专利申请第63/305,533号的优先权，这些专利申请据此全文以引用方式并入本文。


[0002]本公开整体涉及用于电子设备结构的涂覆物，并且更具体地，涉及用于导电电子设备结构的可见光反射涂覆物。

技术介绍

[0003]诸如蜂窝电话、计算机、手表和其他设备的电子设备包含导电结构，诸如导电外壳结构。该导电结构设置有涂覆物，该涂覆物反射特定波长的光，使得导电部件呈现出期望的可见颜色。
[0004]提供诸如具有期望的色彩亮度的涂覆物之类的涂覆物可能具有挑战性。此外，如果不小心，则涂覆物可在不同的操作环境和导电结构几何形状下呈现出令人不满意的光学性能。

技术实现思路

[0005]一种电子设备可包括导电结构诸如导电外壳结构。可见光反射涂覆物可形成于该导电结构上。该涂覆物可以具有粘附和过渡层，以及在该粘附和过渡层上的多层薄膜干涉过滤器。该多层薄膜干涉过滤器可以具有最上面的SiCrN层、最下面的TiN层，以及与一组SiH层交错的一组SiN层。该涂覆物可以呈现橙色、黄色或红色，即使当下面的导电结构具有三维形状时，该颜色在不同视角下，也具有相对均匀的视觉响应。
[0006]本公开的一个方面提供了一种装置。该装置可包括导电衬底。该装置可包括在导电衬底上且具有颜色的涂覆物。该涂覆物可包括粘附和过渡层。该涂覆物可包括在粘附和过渡层上的薄膜干涉过滤器，其中薄膜干涉过滤器包括形成薄膜干涉过滤器的最上层的SiCrN层、形成薄膜干涉过滤器的最下层的TiN层、一组SiH层，以及与该组SiH层交错的一组SiN层。
[0007]本公开的另一个方面提供了一种装置。该装置可包括导电衬底。该装置可包括在导电衬底上且具有颜色的涂覆物。该涂覆物可包括粘附和过渡层。该涂覆物可包括在粘附和过渡层上的TiN层。该涂覆物可包括第一SiH层和第二SiH层。该涂覆物可包括第一SiN层和第二SiN层，其中第一SiH层插入在第一SiN层与第二SiN层之间，并且其中第一SiN层插入在第一SiH层与TiN层之间。该涂覆物可包括SiCrN层，其中第二SiH层插入在SiCrN层与第二SiN层之间。
[0008]本公开的又一方面提供了一种电子设备。该电子设备可包括导电结构。该电子设备可包括在导电结构上且具有颜色的涂覆物。该涂覆物可包括粘附和过渡层。该涂覆物可包括在粘附和过渡层上的包含钛和氮的第一层。该涂覆物可包括第二层，该第二层包含硅
和氮。该涂覆物可包括第三层，该第三层包含硅和氢。该涂覆物可包括第四层，该第四层包含硅和氮。该涂覆物可包括第五层，该第五层包含硅和氢。该涂覆物可包括第六层，该第六层包含硅、铬和氮。
附图说明
[0009]图1是根据一些实施方案的可设置有导电结构和可见光反射涂覆物的类型的例示性电子设备的透视图。
[0010]图2是根据一些实施方案的具有可以设置有可见光反射涂覆物的导电结构的例示性电子设备的横截面侧视图。
[0011]图3是根据一些实施方案的具有多层干涉膜的例示性可见光反射涂覆物的横截面侧视图。
[0012]图4是根据一些实施方案的具有六层干涉膜的例示性可见光反射涂覆物的横截面侧视图，该干涉膜具有最上面的SiCrN层、交替的SiH层和SiN层，以及在下面的粘附和过渡层上的TiN层。
[0013]图5是根据一些实施方案的呈现出橙色色调且具有图4所示类型的三个例示性涂覆物的随波长而变化的反射率的曲线图。
[0014]图6是根据一些实施方案的a*b*颜色空间的曲线图，该曲线图示出了图4所示类型的例示性涂覆物如何在不同入射角下呈现出橙色色调。
[0015]图7是根据一些实施方案的呈现出红色或橙色色调且具有图4所示类型的四个另外例示性涂覆物的随波长而变化的反射率的曲线图。
[0016]图8包括根据一些实施方案的a*b*颜色空间的曲线图，该曲线图显示了图7所示的涂覆物如何在不同入射角下呈现出红色或橙色色调。
[0017]图9是根据一些实施方案的呈现出黄色色调且具有图4所示类型的四个另外例示性涂覆物的随波长而变化的反射率的曲线图。
[0018]图10是根据一些实施方案的a*b*颜色空间的曲线图，该曲线图示出了图9所示的涂覆物如何在不同入射角下呈现出黄色色调。
[0019]图11是根据一些实施方案的示出了穿过图4所示类型的例示性涂覆物的不同深度处的示例性组成(原子百分比)的曲线图。
具体实施方式
[0020]电子设备和其他物项可设置有导电结构。可在导电结构上形成涂覆物以反射特定波长的可见光，使得导电结构呈现出期望的颜色。可见光反射涂覆物可沉积在导电衬底上。该涂覆物可以包括衬底上的过渡和粘附层以及过渡和粘附层上的多层薄膜干涉过滤器。薄膜干涉过滤器可以是六层薄膜干涉过滤器，其具有最下面的TiN层、第一SiN层、第一SiH层、第二SiN层、第二SiH层和最上面的SiCrN层。粘附和过渡层可包含Cr、CrN或CrSiN。该涂覆物可以呈现出稳健的橙色、红色或黄色，当下面的导电结构具有三维形状时，该颜色在不同视角下，呈现出相对均匀的视觉响应。
[0021]在图1中，示出了可设置有导电结构和可见光反射涂覆物的这类例示性电子设备。图1的电子设备10可为诸如膝上型计算机的计算设备、包含嵌入式计算机的计算机监视器、
平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器、或其他手持式或便携式电子设备、诸如腕表设备(例如，带有腕带的手表)的较小设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户头部上的其他装备(例如，头戴式设备)，或其他可佩戴式或微型设备、电视机、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子装备被安装在信息亭或汽车中的系统)、无线基站、家庭娱乐系统、无线扬声器设备、无线接入点、实现这些设备中的两种或更多种的功能的装备，或者其他电子装备。在图1的例示性构型中，设备10是具有大致矩形横向轮廓的便携式设备，诸如蜂窝电话或平板电脑。如果需要，可将其他构型用于设备10。图1的示例仅仅是例示性的。
[0022]在图1的示例中，设备10包括显示器，诸如显示器14。显示器14可安装在外壳(诸如外壳12)中。有时可称为壳体或箱体的外壳12可由塑料、玻璃、陶瓷、纤维复合材料、金属(例如，不锈钢、铝等)、其他合适的材料或这些材料中的任意两种或更多种的组合形成。外壳12可以利用一体式构型形成，在一体式构型中，外壳12的一部分或全部被机加工或模制成单个结构，或者可以利用多个结构(例如，内部框架结构、形成外部外壳表面的一个或多个结构等)形成。外壳12可具有金属侧壁或者由其他材料形成的侧壁。可用于形成外壳12的金属材料的示例包括不锈钢、铝、银、金、钛、金属合金或任何其他所需的导电材料。
[0023]显示器14可在设备10的前侧(正面)上形成(例如，安装在其上)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：导电衬底；和涂覆物，所述涂覆物在所述导电衬底上并具有颜色，所述涂覆物包括：粘附和过渡层，和薄膜干涉过滤器，所述薄膜干涉过滤器在所述粘附和过渡层上，其中所述薄膜干涉过滤器包括形成所述薄膜干涉过滤器的最上层的SiCrN层、形成所述薄膜干涉过滤器的最下层的TiN层、一组SiH层、以及与所述一组SiH层交错的一组SiN层。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述SiCrN层的厚度在20nm和50nm之间。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述TiN层的厚度在30nm和80nm之间。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述一组SiN层包括在所述TiN层上的第一SiN层并且包括第二SiN层，并且其中所述一组SiH层包括插入在所述第一SiN层与所述第二SiN层之间的第一SiH层并且包括第二SiH层，所述第二SiH层插入在所述第二SiN层与所述SiCrN层之间。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第二SiH层的厚度在30nm和80nm之间，并且所述第二SiH层的厚度在30nm和70nm之间。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一SiN层的厚度在10nm和40nm之间。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二SiN层的厚度在10nm和120nm之间。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述SiCrN层的厚度在30nm和45nm之间，所述第二SiH层的厚度在40nm和60nm之间，所述第二SiN层的厚度在10nm和25nm之间，所述第一SiH层的厚度在50nm和65nm之间，所述第一SiN层的厚度在10nm和30nm之间，并且所述TiN层的厚度在30nm和50nm之间。9.根据权利要求8所述的装置，其中在L*a*b*颜色空间中，所述涂覆物在零度入射角下的L*值大于50，在所述L*a*b*颜色空间中，在所述入射角下的a*值大于20，并且在所述L*a*b*颜色空间中，a b*值大于40。10.根据权利要求8所述的装置，其中所述粘附和过渡层包括CrSiN过渡层，所述薄膜干涉过滤器设置在所述CrSiN过渡层上。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述SiCrN层中的Cr原子的原子百分比在5％和30％之间，所述SiCrN层中的Si原子的原子百分比在20％和50％之间，所述第一SiH层和第二SiH层中的Si原子的原子百分比大于90％...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：