一种光伏发电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种光伏发电装置，由多个单晶硅片组成，多个面积较小的单晶硅片分别焊接于多个面积较大的金属板的上部，多个焊接有单晶硅片的金属板通过绝缘板顺序连接固定，前后两块金属板之间绝缘，前一块单晶硅片的栅网面与后一块金属板通过导线连接。它是单晶硅片表面温度低于７０℃、电流提高到１００至３００倍，电价低的光伏发电装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能发电装置，尤其是一种高倍电流输出的光伏发电装置。
技术介绍
目前，光伏发电已是比较成熟的技术，但是，现有技术的光伏发电消耗的硅材料太多，聚焦发电表面温度远远高于7(TC，电流提升的倍数不太高，发电效率 不高，实现规模发电将使用大量单晶硅片。由于目前单晶硅片的价格很高，「大]此 造成光伏发电装置的价格也很高，按使用寿命等因素折合的电价相对较高，所以 普及率较低，目前基本上靠国家补贴维持。因此，设计一种单晶硅片表面温度低 于7(TC、电流提高到100至300倍的光伏发电装置，是目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种单晶硅片表面温度低于7(TC、电流提 高到100至300倍的光伏发电装置。本专利技术解决其技术问题的技术方案是一种光伏发电装置，由多个单晶硅片组成，多个面积较小的单晶硅片分别焊 接于多个面积较大的金属板的上部，多个焊接有单晶硅片的金属板通过绝缘板顺 序连接固定，前后两块金属板之间绝缘，前一块单晶硅片的栅网面与后一块金属 板通过导线连接。本专利技术解决其技术问题的技术方案还可以是本专利技术所述的绝缘板在金属板的下部将前后两块金属板连接固定。本专利技术所述的金属板为方形金属板，所述的单晶硅片为方形单晶硅片，单晶 硅片焊接在金属板上部的中心部位。本专利技术金属板的面积是单晶硅片的面积的300-500倍。本专利技术的有益效果是与现有技术相比，单晶硅片表面温度低于7(TC、电流提高到100至300倍， 电价低。附图说明图1是木专利技术的结构示意图(剖视图)。 图2是图1的俯视图。 具体实施例方式如图所示， 一种光伏发电装置，由多个单晶硅片2组成，多个面积较小的单 晶硅片2分别焊接于多个面积较大的金属板1的上部，多个辉接有単晶硅片2的20 说明书第2/2页金属板1通过绝缘板4顺序连接固定，前后两块金属板之间绝缘，前一块单晶硅 片的栅网面与后一块金属板通过导线3连接。所述的绝缘板4在金属板的下部将前后两块金属板连接固定。所述的金属板1为方形金属板，所述的单晶硅片2为 方形单品硅片，单晶硅片2焊接在金属板1上部的中心部位。金属板1的面积是 单晶硅片2的面积的300-500倍。权利要求1、一种光伏发电装置，由多个单晶硅片(2)组成，其特征在于多个面积较小的单晶硅片(2)分别焊接于多个面积较大的金属板(1)的上部，多个焊接有单晶硅片(2)的金属板(1)通过绝缘板(4)顺序连接固定，前后两块金属板之间绝缘，前一块单晶硅片的栅网面与后一块金属板通过导线(3)连接。2、 根据权利要求1所述的一种光伏发电装置，其特征在于所述的绝缘板(4)在金属板的下部将前后两块金属板连接固定。3、 根据权利要求1或2所述的一种光伏发电装置，其特征在于所述的金属板(1)为方形金属板，所述的单晶硅片(2)为方形单晶硅片，单晶硅片(2) 焊接在金属板(1)上部的中心部位。4、 根据权利要求3所述的一种光伏发电装置，其特征在于金属板(1)的 面积是单晶硅片(2)的面积的300-500倍。全文摘要本专利技术公开一种光伏发电装置，由多个单晶硅片组成，多个面积较小的单晶硅片分别焊接于多个面积较大的金属板的上部，多个焊接有单晶硅片的金属板通过绝缘板顺序连接固定，前后两块金属板之间绝缘，前一块单晶硅片的栅网面与后一块金属板通过导线连接。它是单晶硅片表面温度低于70℃、电流提高到100至300倍，电价低的光伏发电装置。文档编号H02N6/00GK101599720SQ20091007496公开日2009年12月9日 申请日期2009年7月21日 优先权日2009年7月21日专利技术者粱方民 申请人:粱方民本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光伏发电装置，由多个单晶硅片（２）组成，其特征在于：多个面积较小的单晶硅片（２）分别焊接于多个面积较大的金属板（１）的上部，多个焊接有单晶硅片（２）的金属板（１）通过绝缘板（４）顺序连接固定，前后两块金属板之间绝缘，前一块单晶硅片的栅网面与后一块金属板通过导线（３）连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：粱方民，
申请(专利权)人：粱方民，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]