一种纳米薄膜应变片、轮辐力传感器及其制备方法技术

技术编号:38391714 阅读:9 留言:0更新日期:2023-08-05 17:44
本发明专利技术公开了一种纳米薄膜应变片、轮辐力传感器及其制备方法,属于传感器技术领域;该应变片由下至上包括以下各层:钢片,钢片表面设有过渡层;过渡层表面设有绝缘层;绝缘层的部分表面设有应变层;绝缘层的剩余部分表面设有保护层;应变层的部分表面设有焊盘;应变层的剩余部分表面设有保护层;应变层由NiCrAlFeMnNbSi层和NiCr层组成。本发明专利技术通过对NiCrAlFeMnNbSi层中各组成元素进行调整,从而制得了稳定性能好的纳米薄膜应变片。制得了稳定性能好的纳米薄膜应变片。制得了稳定性能好的纳米薄膜应变片。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米薄膜应变片、轮辐力传感器及其制备方法


[0001]本专利技术属于传感器
,具体是一种纳米薄膜应变片、轮辐力传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]轮辐式拉压力传感器,采用十字剪切梁结构,具有良好的自然线性、抗偏载能力强、精度高、外形高度低、安装方便稳定,在料斗称、汽车衡、轨道衡等电子称中广泛应用,在各种工业称重系统中做力的分析与测量。
[0003]相关技术中的轮辐力传感器的结构大多为弹性体内部镂空,加工出轮辐条,在轮辐条侧面粘贴应变片。由于应变片为侧面粘贴方式,导致上述轮辐力传感器存在如下缺点:1、粘胶易老化,长时间使用可能会导致应变片松动或脱落,影响测量。
[0004]2、粘胶和封胶随着使用时间的延长,会存在老化的问题,导致传感器长期稳定性差。
[0005]3、在加工过程中,贴片后需要施加一定的力,使胶水固化;而由于传感器的内部空间狭小,贴片困难较大,且工艺精度和稳定性较差,在大规模生产过程中难以保证批量质量,精度较低。
[0006]4、在长期震动的环境,容易造成精度下降,甚至失效。
[0007]5、在测试过程中,弹性体通过胶水将外界变化传递到应变电阻丝,而胶水传递信号的能力较差,造成准确性较差。
[0008]综上所述,在弹性体上安装粘贴应变片检测力值的结构,受材料一致性、环境温湿度变化、粘胶厚度、粘胶类型、设备强烈震动等诸多因素影响,导致产品的精度、重复性差、故障率高。

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的在于提供一种纳米薄膜应变片,以解决上述
技术介绍
中提出的问题和缺陷的至少一个方面。
[0010]本专利技术还提供了一种轮辐力传感器。
[0011]本专利技术还提供了上述轮辐力传感器的制备方法。
[0012]具体如下,本专利技术第一方面公开了一种纳米薄膜应变片,由下至上包括以下各层:钢片,所述钢片表面设有过渡层;所述过渡层表面设有绝缘层;所述绝缘层的部分表面设有应变层;所述绝缘层的剩余部分表面设有保护层;所述应变层的部分表面设有焊盘;所述应变层的剩余部分表面设有保护层;所述应变层由NiCr层和NiCrAlFeMnNbSi层组成;
所述NiCr层与所述绝缘层相接触;所述NiCrAlFeMnNbSi层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~75%、Cr 12%~15%、Al 4%~5%、Fe 2%~3%、Mn 2%~3%、Nb 5%~7%和Si 0.5%~0.8%。
[0013]根据本专利技术纳米薄膜应变片技术方案中的一种技术方案,至少具备如下有益效果:本专利技术中应变层由NiCr层和NiCrAlFeMnNbSi层组成;NiCrAlFeMnNbSi层中含有Cr元素和Al元素,两者与氧作用形成完整致密的Cr2O3和Al2O3保护膜,有利于提升应变层的抗氧化性能;Nb元素具有一定的抗氧化能力,有利于进一步提升应变层的抗氧化性能,从而进一步提升应变层的稳定性;适量的Fe元素有利于降低应变层的成本及提升应变层的结构稳定性。本专利技术通过对NiCrAlFeMnNbSi层中各组成元素进行调整,从而制得了稳定性能好的纳米薄膜应变片。
[0014]根据本专利技术的一些实施方式,所述过渡层为氧化铌层。
[0015]根据本专利技术的一些实施方式,所述氧化铌层(五氧化二铌层)的厚度为100nm~800nm。
[0016]根据本专利技术的一些实施方式,所述氧化铌层(五氧化二铌层)的厚度为400nm~600nm。
[0017]本专利技术的氧化铌过渡层,利用氧化铌来缓解绝缘层和钢片之间的失配导致的应力,从而提升钢片与绝缘层之间的结合强度;从而提升纳米薄膜复合应变片的稳定性和寿命。
[0018]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCr层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~80%和Cr 20%~30%。
[0019]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCr层由以下重量分数的元素组成:Ni 75%~80%和Cr 20%~25%。
[0020]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCr层的厚度为100nm~200nm。
[0021]根据本专利技术的一些实施方式,所述钢片的厚度在0.5mm以下。
[0022]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCrAlFeMnNbSi层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~75%、Cr 13%~15%、Al 4%~5%、Fe 2%~3%、Mn 2%~3%、Nb 5%~7%和Si 0.5%~0.8%。
[0023]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCrAlFeMnNbSi层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~75%、Cr 13%~15%、Al 4%~5%、Fe 2.5%~3%、Mn 2%~3%、Nb 5%~7%和Si 0.5%~0.8%。
[0024]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCrAlFeMnNbSi层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~75%、Cr 13%~15%、Al 4%~5%、Fe 2.5%~3%、Mn 2%~3%、Nb 5%~6%和Si 0.5%~0.8%。
[0025]根据本专利技术的一些实施方式,所述NiCrAlFeMnNbSi层的厚度为100nm~200nm。
[0026]根据本专利技术的一些实施方式,所述保护层由氧化铝层和二氧化硅层组成。
[0027]该层的厚度过薄,则会导致应力的不能充分缓解,从而影响到传感器稳定性;而厚度过厚,则会导致传感器中膜层厚度的增加,从而限制传感器的应用场景。
[0028]根据本专利技术的一些实施方式,所述绝缘层为二氧化硅层。
[0029]根据本专利技术的一些实施方式,所述绝缘层的厚度为2.5μm~3μm。
[0030]根据本专利技术的一些实施方式,所述保护层由氧化铝层和二氧化硅层组成。
[0031]本专利技术中保护层采用复合防护层。利用其层之间的界面势垒阻断单层保护层的氧离子渗透通道,进而增强保护层的抗氧化能力。
[0032]根据本专利技术的一些实施方式,所述氧化铝层的厚度为100nm~300nm。
[0033]根据本专利技术的一些实施方式,所述二氧化硅层的厚度为200nm~400nm。
[0034]根据本专利技术的一些实施方式,所述焊盘为金焊盘。
[0035]根据本专利技术的一些实施方式,所述焊盘的厚度为500nm~1500nm。
[0036]本专利技术第二方面提供了一种轮辐力传感器,包括上述的纳米薄膜应变片。
[0037]根据本专利技术的一些实施方式,所述轮辐力传感器还包括弹性体;所述纳米薄膜应变片设置于所述弹性体表面;所述纳米薄膜应变片的数目为4个以上。
[0038]根据本专利技术的一些实施方式,所述纳米薄膜应变片设置于所述弹性体的应力最大区域。
[0039]根据本专利技术的一些实施方式,所述纳米薄膜应变片的数目为4个。
[0040]根据本专利技术的一些实施方式,所述纳米薄膜应变片均匀分布在所述弹性体表面。
[0041]根据本专利技术的一些实施方式,所述纳米薄本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米薄膜应变片,其特征在于,由下至上包括以下各层:钢片,所述钢片表面设有过渡层;所述过渡层表面设有绝缘层;所述绝缘层的部分表面设有应变层;所述绝缘层的剩余部分表面设有保护层;所述应变层的部分表面设有焊盘;所述应变层的剩余部分表面设有保护层;所述应变层由NiCr层和NiCrAlFeMnNbSi层组成;所述NiCr层与所述绝缘层相接触;所述NiCrAlFeMnNbSi层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~75%、Cr 12%~15%、Al 4%~5%、Fe 2%~3%、Mn 2%~3%、Nb 5%~7%和Si 0.5%~0.8%。2.根据权利要求1所述的纳米薄膜应变片,其特征在于,所述过渡层为氧化铌层。3.根据权利要求1所述的纳米薄膜应变片,其特征在于,所述NiCr层由以下重量分数的元素组成:Ni 70%~80%和Cr 20%~30%。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐运军
申请(专利权)人:松诺盟科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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