聚醚醚酮成型体及其制造方法技术

提供能够实现进一步提高聚醚醚酮成型体的性能的技术。聚醚醚酮成型体具有主体部和表层部。上述主体部的DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰为两个：第一放热峰，以及处于比上述第一放热峰更靠高温侧的第二放热峰。上述表层部覆盖上述主体部，上述表层部的DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰仅为处于比上述第一放热峰更靠高温侧的第三放热峰。峰。峰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚醚醚酮成型体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及能够用于各种构件的聚醚醚酮成型体及其制造方法。

技术介绍

[0002]在工业机械领域中，从轻量化的观点等出发，要求由树脂成型体代替金属构件。在这样的树脂成型体的制造中，例如，使用以聚醚醚酮(PEEK)为代表的，具有特别优异的耐热性和机械强度的超级工程塑料(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
111091号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]但是，在滑动构件、齿轮构件等这样的在特别严苛的工作环境中使用的构件中，即使是聚醚醚酮成型体也难以得到稳定且充分的性能。因此，为了使聚醚醚酮成型体在工业机械领域中能够更广泛地利用，期望进一步提高聚醚醚酮成型体的性能。
[0008]鉴于如上所述的情况，本专利技术的目的在于，提供一种能够实现进一步提高聚醚醚酮成型体的性能的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]为了达成上述目的，本专利技术的一个方式的聚醚醚酮成型体具有主体部和表层部。
[0011]所述主体部的DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰为两个：第一放热峰，以及处于比所述第一放热峰更靠高温侧的第二放热峰。
[0012]所述表层部覆盖所述主体部，所述表层部的DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰仅为处于比所述第一放热峰更靠高温侧的第三放热峰。<br/>[0013]在该聚醚醚酮成型体中，在构成表面的表层部中，与表层部的内侧的主体部相比，分子量低的聚醚醚酮的量减少。由此，在该聚醚醚酮成型体中，由于在表层部得到高的机械强度，因此能够抑制磨损的进展和缺损的产生。
[0014]另一方面，在该聚醚醚酮成型体中，由于在残留有分子量低的聚醚醚酮的主体部中维持了冲击吸收性，因此施加于表层部的冲击被主体部吸收。由此，在该聚醚醚酮成型体中，由于不易在表层部局部施加大的应力，因此能够进一步抑制损伤的产生。
[0015]所述表层部的厚度也可以为50μm以上。
[0016]所述聚醚醚酮成型体也可以构成为滑动构件。
[0017]所述聚醚醚酮成型体也可以构成为齿轮构件。
[0018]本专利技术的一个方式的聚醚醚酮成型体的制造方法包括：制作DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰为两个的成型体的工序；以及向所述成型体的表面照射电子束的工序。
[0019]在该结构中，通过电子束的照射，能够在构成表面的表层部使平均分子量低的聚醚醚酮的量减少。
[0020]也可以在所述照射电子束的工序中形成表层部，所述表层部的DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰仅为一个。
[0021]也可以在所述照射电子束的工序中对所述成型体进行加热。
[0022]专利技术效果
[0023]如上所述，在本专利技术中，能够提供一种能够实现进一步提高聚醚醚酮成型体的性能的技术。
附图说明
[0024]图1是示出本专利技术的一个实施方式的聚醚醚酮成型体的制造方法的流程图。
[0025]图2是示出将上述聚醚醚酮成型体构成为齿轮构件的例子的俯视图。
[0026]图3是示出实施例和比较例涉及的聚醚醚酮成型体的表层部的DSC曲线的图表。
[0027]图4是示出实施例和比较例涉及的聚醚醚酮成型体的表层部的DDSC曲线的图表。
具体实施方式
[0028][对聚醚醚酮成型体的说明][0029]本专利技术涉及聚醚醚酮成型体，该聚醚醚酮成型体是聚醚醚酮(PEEK)的成型体。在本专利技术中，通过对构成聚醚醚酮成型体的聚醚醚酮的分子量进行控制，来实现聚醚醚酮成型体的性能的提高。在本专利技术的一个实施方式中，通过差示扫描量热测量(DSC)来掌握聚醚醚酮的平均分子量。
[0030]具体而言，在从350℃以上的熔融状态起的降温过程的DSC曲线中，对250～300℃的温度区域显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰进行检测。由此可知，显现出的放热峰的晶化温度越高的聚醚醚酮其平均分子量越大，显现出的放热峰的晶化温度越低的聚醚醚酮其平均分子量越小。
[0031]图1是示出本实施方式的聚醚醚酮成型体的制造方法的流程图。首先，在本实施方式的步骤S01中，准备原料聚醚醚酮。在步骤S01中准备的原料聚醚醚酮是在DSC曲线中显现出两个表示聚醚醚酮晶化的放热峰的聚醚醚酮。
[0032]在本实施方式中，将这样的原料聚醚醚酮看作是平均分子量相对大的聚醚醚酮和平均分子量相对小的聚醚醚酮的两种聚醚醚酮的混合物。作为原料聚醚醚酮，可以混合两种聚醚醚酮来生成，也可以使用预先构成为混合物的市售品。
[0033]接下来，在步骤S02中，将在步骤S01中准备的原料聚醚醚酮进行成型。在原料聚醚醚酮的成型中，能够利用例如注射成型、挤出成型等公知的成型方法。由此，在步骤S02中，与原料聚醚醚酮相同，得到由两种聚醚醚酮的混合物形成的成型体。
[0034]即，在由步骤S02得到的原料聚醚醚酮的成型体的DSC曲线中，显现出表示聚醚醚酮晶化的两个放热峰：低温侧的第一放热峰和高温侧的第二放热峰。另外，DSC曲线显现出的两个放热峰的位置和形状也可以在原料聚醚醚酮的成型前后相互不同。
[0035]然后，在步骤S03中，向在步骤S02中得到的原料聚醚醚酮的成型体的表面照射电子束。由此，在原料聚醚醚酮的成型体中，通过射入表面的电子束，选择性地促进低分子量
的聚醚醚酮分子的交联，形成使分子量小的聚醚醚酮的量减少的表层部。
[0036]步骤S03中的电子束的照射条件能够适当决定。例如，电子束的照射剂量优选为50kGy以上，以使得容易得到像上述那样的促进交联的效果。此外，为了防止聚醚醚酮的分子链分解的进展，电子束的照射剂量优选控制在200kGy以下。
[0037]通过步骤S03，得到本实施方式的聚醚醚酮成型体，其具有：主体部，其不受电子束的照射的影响；以及表层部，其通过电子束的照射使分子量小的聚醚醚酮的量减少。在本实施方式的聚醚醚酮成型体的主体部和表层部的DSC曲线中，显现出相互不同的放热峰。
[0038]具体而言，在主体部的DSC曲线中，与照射电子束前的原料聚醚醚酮的成型体相同地显现出表示聚醚醚酮晶化的第一放热峰和第二放热峰。与此相对，在表层部中，通过电子束的照射使与第一放热峰所对应的分子量小的聚醚醚酮减少，与此相应地DSC曲线显现出的第一放热峰降低。
[0039]在聚醚醚酮成型体中，为了更有效地得到照射电子束的效果，优选降低至可以认为表层部的DSC曲线中第一放热峰消失的程度。即，优选在表层部的DSC曲线中仅显现出处于比第一放热峰更靠高温侧的单独的第三放热峰。
[0040]这里，在本实施方式中，根据对DSC曲线微分而得到的DDSC曲线显现出的斜率在降温过程中是否有从减少转变为增加的向下凸的峰来判断有无放热峰。即，在本实施方式中，DSC曲线的放热峰与DDSC曲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚醚醚酮成型体，其具有：主体部，其DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰为两个：第一放热峰，以及处于比所述第一放热峰更靠高温侧的第二放热峰；以及表层部，其覆盖所述主体部，所述表层部的DSC曲线显现出的表示聚醚醚酮晶化的放热峰仅为处于比所述第一放热峰更靠高温侧的第三放热峰。2.根据权利要求1所述的聚醚醚酮成型体，其中，所述表层部的厚度为50μm以上。3.根据权利要求1或2所述的聚醚醚酮成型体，其构成为滑动构件。4.根据权利要求1或2所述的聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：真壁岳史，赤冈太一，
申请(专利权)人：株式会社理研，
类型：发明
国别省市：