【技术实现步骤摘要】
一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器
[0001]本专利技术属于电子
,具体涉及一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器。
技术介绍
[0002]共源共栅运算放大器又称级联放大器,是共源级和共栅级的级联,由于共源放大级把电压信号转换为电流信号,共栅放大级的输入信号为电流信号,所以共源与共栅放大电路级联就形成共源共栅运输放大器。
[0003]现有套筒式共源运输放大器的动态电流需要依靠静态电流来决定,导致运算放大器放大效果不明显、存在失调风险和动态电流小的问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于现有技术的上述缺陷,本专利技术提出一种高增益的套筒式共源共栅运算放大器,本专利技术的技术方案包括:
[0005]翻转电压跟随器电流源结构、套筒式共源共栅结构、电流复用结构和共模反馈结构;
[0006]所述翻转电压跟随器电流源结构包括M1、M2、M3和M4;所述套筒式共源共栅结构包括M5、M6、M7、M8、M9、M
10
、M
11
、M />12
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器,其特征在于,包括:翻转电压跟随器电流源结构、套筒式共源共栅结构、电流复用结构和共模反馈结构;所述翻转电压跟随器电流源结构包括M1、M2、M3和M4;所述套筒式共源共栅结构包括M5、M6、M7、M8、M9、M
10
、M
11
、M
12
、M
13
、V
OUTN
和V
OUTP
;所述电流复用结构包括M5、M6、M
11
和M
12
;所述共模反馈结构为M
14
、M
15
、M
16
、M
17
、M
18
、M
19
、M
20
、M
21
和V
CMFB
;所述M1与M3、M5、M7、M9、M
11
、M
13
连接;所述M2与M4、M6、M8、M
10
、M
12
、M
13
连接;所述M
13
接地;所述M1与M2均连接至电源V
DD
;所述M7与M8接偏置电压V
BP1
;所述M9与M
10
接偏置电压V
BN
;所述M
13
接偏置电压V
CMFB
。2.根据权利要求1所述的一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器,其特征在于:所述M1‑
M4为NMOS管;其中,所述M3‑
M4用于输入电压;所述翻转电压跟随器结构的M1或M2电流由各自的偏置电流固定,偏置电流先通过M1或M2,然后输出M1或M2电压。3.根据权利要求1所述的一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器,其特征在于:所述M5‑
M8为PMOS管;其中,所述M5和M6用于输入电压,所述M7‑
M8用于负载;所述M9‑
M
12
为NMOS管;其中,所述M
11
和M
12
用于输入电压,所述M9‑
M
10<...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾衍瀚,陈泳森,李志贤,鲍宇琛,张妤婷,
申请(专利权)人:广州大学,
类型:发明
国别省市:
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