【技术实现步骤摘要】
陷波滤波器
[0001]本公开涉及陷波滤波器。
技术介绍
[0002]在电子电路等中,为了使在信号线中流动的噪声衰减而设置LC滤波器(例如,参照日本特开平9
‑
186050号公报)。
技术实现思路
[0003]在电子电路等中,除了用于使噪声衰减的上述LC滤波器之外,为了保护半导体元件等免受静电放电(ESD:Electrostatic Discharge)等各种浪涌(瞬态电压)影响,设置有保护元件(varistor压敏电阻器)。因此,在电子电路中,需要安装用于衰减噪声的LC滤波器和用于浪涌(surge)保护的保护元件。在此,如果使设置有电子电路的产品小型化,则部件的安装面积被限制。因此,谋求结构的简化。
[0004]本公开的一方面的目的在于,提供能够实现结构的简化的陷波滤波器。
[0005]本公开的一方面提供一种陷波滤波器具备连接在信号线和地线之间的保护元件,保护元件具有电容成分,并且将在信号线中流动的、与第一频率的信号不同的第二频率的信号即重叠于信号线的第二频率的信号输出至地 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种陷波滤波器,其中,具备:连接在信号线和地线之间的保护元件,所述保护元件具有电容成分,并且将重叠于信号线的第二频率的信号输出至地线,所述第二频率的信号为在所述信号线中流动的、与第一频率的信号不同的第二频率的信号。2.根据权利要求1所述的陷波滤波器,其中,所述第二频率的信号的插入损耗为10dB以上。3.根据权利要求1或2所述的陷波滤波器,其中,所述保护元件的共振频率和所述第二频率同等。4.根据权利要求1~3中任一项所述的陷波滤波器,其中,所述保护元件的共振频率为2.4GHz或5.3GHz。5.根据权利要求1~3中任一项所述的陷波滤波器,其中,所述保护元件的所述电容成分的静电电容为20pF以下。6.根据权利要求1~5中任一项所述的陷波滤波器,其中,所述保护元件具备:素体,其具有:在第一方向上相互相对的一对端面、在第二方向上相互相对的一对主面、以及在第三方向上相互相对的一对侧面;第一内部电极及第二内部电极,它们配置在所述素体内,以在所述第二方向上彼此的一部分重叠的方式配置;以及第一外部电极及第二外部电极,所述第一外部电极连接有所述第一内部电极,并且配置于一所述端面侧,所述第二外部电极连接有所述第二内部电极,并且配置于另一所述端面侧,一所述端面与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:森合克成,小椋俊介,小柳健,森田龙,今井悠介,
申请(专利权)人:TDK株式会社,
类型:发明
国别省市:
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