温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质。温度传感器设置于一芯片内，温度传感器的校准方法包括以下步骤：设置所述芯片分别处于多个工作模式；获取每一所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值；计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差；对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理，并得到一拟合曲线；根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。通过本发明专利技术的校准方法，能到消除芯片功耗对温度传感器校准精度的影响，得到精确的校准结果。得到精确的校准结果。得到精确的校准结果。

【技术实现步骤摘要】
温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质


[0001]本专利技术是有关于一种温度传感器的校准方法，且特别是有关于一种对芯片内温度传感器提升校准精度的校准方法、装置、计算设备以及存储介质。

技术介绍

[0002]在现有的大规模集成电路，例如处理器(CPU、GPU、RISC
‑
V)中，通常会集成有温度传感器以检测处理器的发热、散热等性能参数。
[0003]温度传感器性能的评估必须使处理器进入超低功耗工作模式，不然自身发热会影响温度校准结果。现有的处理器中均含有大量的数字电路，处理器芯片上电后，哪怕进入低功耗，尚存在一定功耗，导致内部发热较严重，无法评估温度传感器的真实性能，使得校准存在一定误差，影响了测试/校准结果。
[0004]而且，现有芯片的设计、生产过程中，大多会采用多项目晶圆(MPW：multi project wafer)的模式，多项目晶圆通常应用于集成电路内核(IP)、模块或单元等在设计阶段的实验、测试，能够减少成本，降低开发风险。因此，在MPW阶段难以做到芯片的极低功耗(50mW以内)，导致MPW阶段无法评估温度传感器的真实性能。
[0005]因此，如何提供一种能够消除自身功耗的影响，提升温度传感器校准精度的方法，实为需要解决的问题之一。

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施例提供一种温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质，可以消除自身功耗的影响，提升温度传感器的校准精度。
[0007]本专利技术一实施方式的温度传感器的校准方法，所述温度传感器设置于一芯片内，其特征在于，包括以下步骤：设置所述芯片分别处于多个工作模式；获取每一所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值；计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差；对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理，并得到一拟合曲线；根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。
[0008]上述的校准方法，其中，所述拟合曲线呈一线性关系，所述线性关系为：Terr＝a*P+b，其中，Terr为所述温度误差，P为所述芯片的所述功耗值，a、b为常数。
[0009]上述的校准方法，其中，所述校准所述温度传感器的步骤进一步包括：
[0010]根据所述常数b对所述温度传感器进行校准。
[0011]上述的校准方法，其中，所述校准方法进一步包括：
[0012]根据所述拟合曲线，对所述温度传感器的所述温度测量值进行补偿。
[0013]上述的校准方法，其中，所述外部参考温度为一恒定温度，所述恒定温度通过将芯片设置于温箱或油箱中所提供。
[0014]上述的校准方法，其中，所述多个工作模式包括多个功耗模式，每一所述功耗模式为所述芯片工作于一设定的功耗。
[0015]本专利技术一实施方式的温度传感器的校准装置，所述温度传感器设置于一芯片内，包括：模式设置单元，用于将所述芯片设置为分别处于多个工作模式；数据获取单元，用于获取每一所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值；运算单元，用于计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差；拟合单元，用于对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理，并得到一拟合曲线；校准单元，用于根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。
[0016]上述的校准装置，其中，所述拟合曲线呈一线性关系，所述线性关系为：Terr＝a*P+b，其中，Terr为所述温度误差，P为所述芯片的所述功耗值，a、b为常数。
[0017]上述的校准装置，其中，所述校准所述温度传感器的步骤进一步包括：
[0018]根据所述常数b对所述温度传感器进行校准。
[0019]上述的校准装置，其中，所述校准装置进一步包括：
[0020]补偿单元，用于根据所述拟合曲线对所述温度传感器的所述温度测量值进行补偿。
[0021]上述的校准装置，其中，所述外部参考温度为一恒定温度，所述恒定温度通过将芯片设置于温箱或油箱中所提供。
[0022]上述的校准装置，其中，所述多个工作模式包括多个功耗模式，每一所述功耗模式为所述芯片工作于一设定的功耗。
[0023]本专利技术一实施方式的计算设备，包括至少一个上述的任意一种温度传感器的校准装置。
[0024]本专利技术一实施方式的存储介质，用于存储计算机程序，所述计算机程序用于执行上述的任意一种温度传感器的校准方法。
[0025]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0026]图1A是本专利技术一实施例多项目晶圆的结构示意图。
[0027]图1B是本专利技术一实施例芯片的结构示意图。
[0028]图2是本专利技术一实施例温度传感器的校准方法的流程示意图。
[0029]图3是本专利技术一实施例拟合曲线的示意图。
[0030]图4是本专利技术另一实施例温度传感器的校准方法的流程示意图。
[0031]图5是本专利技术一实施例温度传感器的校准装置的结构示意图。
[0032]图6是本专利技术另一实施例温度传感器的校准装置的结构示意图。
[0033]其中，附图标记：
[0034]10：多项目晶圆
[0035]A
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E：芯片
[0036]A1
‑
A5：模块
[0037]100：校准方法
[0038]S101
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S105：步骤
[0039]200：校准装置
[0040]201：模式设置单元
[0041]202：数据获取单元
[0042]203：运算单元
[0043]204：拟合单元
[0044]205：校准单元
[0045]300：校准装置
[0046]301：模式设置单元
[0047]302：数据获取单元
[0048]303：运算单元
[0049]304：拟合单元
[0050]305：校准单元
[0051]306：补偿单元
具体实施方式
[0052]下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：
[0053]为了更好地理解本专利技术，特将本专利技术使用的部分术语解释如下。
[0054]芯片可以是处理器芯片，例如微处理器、计算处理单元、数字信号处理单元、复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集(RISC)微处理器、图形处理单元(GPU)、神经网络处理单元(NPU)、专用的数据处理单元(DPU)或集成电路可以实现的任何其他类型的处理器或处理电路等，也可以是其他类型集成有温度传感器的芯片。
[0055]多项目晶圆(MPW)指的是在同一晶圆中制造不同设计、不同工艺和/或不同尺寸的芯片。
[0056]温度传感器指的是能够将传感器所处环境的温度转换成可用输出信号的传感器，既可以是热电阻温度传感器，也可以是热电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度传感器的校准方法，所述温度传感器设置于一芯片内，其特征在于，包括以下步骤：设置所述芯片分别处于多个工作模式；获取至少部分所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值；计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差；对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理，并得到一拟合曲线；根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。2.如权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述拟合曲线呈一线性关系，所述线性关系为：Terr＝a*P+b，其中，Terr为所述温度误差，P为所述芯片的所述功耗值，a、b为常数。3.如权利要求2所述的校准方法，其特征在于，所述校准所述温度传感器的步骤进一步包括：根据所述常数b对所述温度传感器进行校准。4.如权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述校准方法进一步包括：根据所述拟合曲线，对所述温度传感器的所述温度测量值进行补偿。5.如权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述外部参考温度为一恒定温度，所述恒定温度通过将芯片设置于温箱或油箱中所提供。6.如权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述多个工作模式包括多个功耗模式，每一所述功耗模式为所述芯片工作于一设定的功耗。7.一种温度传感器的校准装置，所述温度传感器设置于一芯片内，其特征在于，包括：模式设置单元，用于将所述芯片设置为分别处于多个工作模式；数据获取单元，用于获取至少部分所述工作模式下的外部参考...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍晨，王洁，黄欢欢，李成昆，周明忠，
申请(专利权)人：阿里巴巴中国有限公司，
类型：发明
国别省市：