加电时的媒体管理制造技术

一种方法包含：检测与包括具有与其相关联的存储器单元块的多个存储器单元块的存储器子系统相关联的加电事件；响应于检测到所述加电事件且在接收指示主机启动序列的信令之前，确定与所述多个存储器单元块当中的相应块相关联的存储器单元块是开放虚拟存储器单元块；确定与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应块展现大于阈值的健康特性值；以及响应于所述相应块展现大于所述阈值的健康特性值的所述确定而选择性地执行与所述开放虚拟存储器单元块相关联的相应存储器单元块的媒体管理操作。管理操作。管理操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加电时的媒体管理


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更明确来说，涉及加电时的媒体管理。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。
附图说明
[0003]从下文给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图将更加完全地理解本公开。
[0004]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0005]图2说明根据本公开的一些实施例的包含具有存储器单元块的存储器子系统的实例计算系统。
[0006]图3是根据本公开的一些实施例的对应于加电时的媒体管理的流程图。
[0007]图4是根据本公开的一些实施例的对应于用于加电时的媒体管理的方法的流程图。
[0008]图5是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0009]本公开的方面涉及加电时的媒体管理，特定来说，涉及包含加电时的媒体管理组件的存储器子系统。存储器子系统可为存储系统、存储装置、存储器模块或此类的组合。存储器子系统的实例是存储系统，例如固态驱动器(SSD)。下文结合图1以及其它描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含例如存储数据的存储器装置的一或多个组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储于存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。
[0010]存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例是“与非”(NAND)存储器装置(还称为快闪技术)。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可分组为逻辑单位(LUN)。针对一些类型的非易失性存储器装置(例如NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页面组成。每一页面由一组存储器单元(“若干单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。块在下文指代用于存储数据的存储器装置的单位且可包含一群组存储器单元、字线群组、字线或个别存储器单元。针对一些存储器装置，块(在下文还称为“存储器块”)是可被擦除的最小区域。页面无法被个别地擦除，且仅可擦除整个块。
[0011]存储器装置中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列。取决于单元类型，单元
可被写入以便存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储位的数目相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”及“1”或此类值的组合的二进制值表示。存在各种类型的单元，例如单电平单元(SLC)、多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)及四电平单元(QLC)。举例来说，SLC可存储一个信息位且具有两种逻辑状态。
[0012]一些NAND存储器装置采用浮动栅极架构，其中基于位线与字线之间的相对电压变化来控制存储器存取。NAND存储器装置的其它实例可采用替换栅极架构，其可包含使用可允许基于用于构造字线的材料的性质将对应于数据值的电荷俘获于存储器单元内的字线布局。
[0013]存储器块的存储器单元(例如上页面或下页面中的存储器单元，如本文中描述)可经编程到目标(例如，所期望)数据状态。例如，电荷可经放置在存储器单元的电荷存储结构(例如，与存储器结构相关联的晶体管或“栅极”，其可包含浮动栅极及/或替换栅极架构)上或从所述电荷存储结构移除以将存储器单元编程到特定数据状态。举例来说，电荷可经施加以将下页面编程到目标数据状态。后续电荷可经施加以将上页面编程到目标数据状态。然而，时间可在对下页面与上页面的编程之间流逝。因此，可形成开放存储器块(即，部分编程的存储器块)。如本文中使用，术语“开放块”(例如，开放虚拟块、物理块及/或逻辑块)通常是指其中存储器块的一些但并非全部页面都被编程的存储器块。
[0014]此外，如本文中使用，术语“虚拟块”、“物理块”及“逻辑块”通常是指可按物理位置或逻辑位置分类的存储器块的各种特性描述，其中物理位置是此类存储器块被存储于存储器子系统内的位置，而逻辑位置是对应于此类存储器块被存储于存储器子系统内的物理位置的地址。举例来说，“物理块”通常是指存储对应于数据值的电荷的一组存储器单元。物理块具有与其相关联的地址(例如，物理块地址)。“逻辑块”通常是指含有对应于物理块内的存储器位置的物理地址的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址)的数据结构。“虚拟块”通常是指逻辑块地址的一或多个构成部分。举例来说，虚拟块可含有对应于与逻辑块(或逻辑块地址)相关联的逻辑偏移的逻辑块地址及/或信息的一部分。在一些实施例中，与虚拟块相关联的逻辑地址的部分可含有逻辑块地址的最高有效位，且偏移信息可含有逻辑块地址的最低有效位。
[0015]由于NAND存储器装置中固有的特性，数据质量可随时间而降级。例如，随着存储器单元块(其在本文中可简称为“块”)的编程
‑
擦除循环(PEC)计数增加，块中的数据质量可能降低。数据质量的降级可能会使存储器单元易受故障影响。例如，随着时间的推移，可能发生阈值电压(V
T
)电平移位。作为V
T
电平移位的结果，对经历V
T
电平移位的存储器单元执行的读取操作可能会发生故障或返回受损或不正确的数据值。
[0016]为了缓解这些问题，一些方法尝试进行块(例如，虚拟块)的周期性随机化选择以缓解数据降级。例如，此类方法可采用块的周期性随机化选择(例如，虚拟块的选择)，且接着，执行与随机选择的虚拟块相关联的物理及/或逻辑块的扫描操作及后续块刷新。此类扫描及/或块刷新可在后台中执行(即，在主机的空闲时间期间)。然而，虚拟块的随机选择可导致在选择及扫描另一虚拟块之前重复地选择及扫描给定虚拟块多次。因此，未被选择的虚拟块将不会被刷新，且因此，未被选择的虚拟块中的数据将继续降级。
[0017]此外，据发现，开放块可能易受错误影响。例如，当开放块展现大于阈值的健康特性值时及/或在与包含开放块的存储器子系统相关联的断电事件之后，开放块可能特别易
受错误影响。举例来说，开放块在扩展的断电事件及/或异步电力丢失(APL)之后可能易受错误影响。如本文中使用，APL是指事先没有来自主机的关闭通知的情况下的突然且出乎意料的电力丢失。
[0018]例如，开放块可能易受误放错误影响。如本文中使用，“误放错误”通常是指涉及页面的存储器单元的、致使数据随后被误放的失败/不正确读取操作的发生。举例来说，误放错误可在数据被编程到块中的最下页面而非将数据编程到块中的其它页面之后(即，在开放块形成之后)发生。在此类实例中，额外数据可被编程到开放块。例如，与开放虚拟块相关联的存储器块相关联的页面的最高页面及/或额外页面可经编程以形成完整的块(例如，完整虚拟块、完整物理块及/或完整逻辑块)。如本文中使用，“完整块”通常是指其中所有页面都被编程(例如，包含数据)的块。然而，由于现在完整块展现大于阈值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：检测与包括具有与其相关联的虚拟存储器单元块的多个存储器单元块的存储器子系统相关联的加电事件的发生；响应于检测到所述加电事件的所述发生且在接收指示主机启动序列的信令之前，确定与所述多个存储器单元块当中的相应块相关联的存储器单元块是开放虚拟存储器单元块；确定与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应块展现大于阈值的健康特性值；以及响应于与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应块展现大于所述阈值的健康特性值的所述确定对与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应存储器单元块选择性地执行媒体管理操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括执行存储于与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应存储器单元块中的数据的块刷新。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在执行所述多个存储器单元块的任何主机存取之前执行所述块刷新。4.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中确定与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应块展现大于阈值的健康特性值进一步包括确定与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应存储器单元块的编程
‑
擦除循环(PEC)计数。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括将所述PEC计数与PEC阈值作比较。6.根据权利要求5所述的方法，其中选择性地执行所述媒体管理操作进一步包括：确定所述PEC计数小于所述PEC阈值；及响应于确定所述PEC计数小于所述PEC阈值，避免执行所述媒体管理操作。7.根据权利要求5所述的方法，其中选择性地执行所述媒体管理操作进一步包括：确定所述PEC计数大于所述PEC阈值；及响应于确定所述PEC计数大于所述PEC阈值，执行所述媒体管理操作。8.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中相应存储器单元块被分组成多个页面，且其中一些但并非全部页面都具有存储于所述页面中的数据。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述数据存储于所述多个页面中的至少一下页面中。10.一种设备，其包括：加电时的媒体管理组件，其经配置以：检测与多个NAND存储器单元块相关联的加电事件的启动；响应于检测到所述加电事件，从与所述多个NAND存储器单元块中的相应块相关联的多个虚拟块选择开放虚拟块；确定与所述开放虚拟块相关联的相应NAND存储器单元块的编程
‑
擦除循环(PEC)计数；将所述PEC计数与PEC阈值作比较；确定所述PEC计数大于所述PEC阈值；以及基于所述PEC计数大于所述PEC阈值，执行涉及与所述开放虚拟块相关联的所述多个NAND存储器单元的所述相应块中的至少一者的媒体管理操作。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述加电时的媒体管理组件进一步经配置以在
所述加电事...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：