半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物技术

本发明专利技术提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能通过简便的操作从其表面具有使用例如硅氧烷系粘接剂得到的粘接层的半导体基板上在更短时间内且更干净地去除(清洗)该粘接层。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，其包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：[I]成分：季铵盐、[II]成分：酰胺系溶剂、以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。)L1‑

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物


[0001]本专利技术涉及一种半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物。

技术介绍

[0002]就以往在二维平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步还在三维方向上集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶片的与所形成的电路面相反的一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
[0003]薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此被称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当为了拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切割或变形，为了不产生这样的情况而容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，由于研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：I成分：季铵盐、II成分：酰胺系溶剂、以及III成分：下述式(L)所示的溶剂，L1‑
L3‑
L2ꢀꢀꢀꢀ
(L)式(L)中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述剥离和溶解用组合物还包含IV成分：下述式(T)或下述式(G)所示的溶剂，式(T)中，X1和X3各自独立地表示烷基、或酰基X4－C(＝O)－，X2表示亚烷基，n表示2或3，X4表示烷基，式(G)中，L
11
和L
12
各自独立地表示碳原子数1～6的烷基，L
11
的烷基的碳原子数与L
12
的烷基的碳原子数的合计为7以下。3.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述季铵盐为含卤素季铵盐。4.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述酰胺系溶剂为下述式(Z)所示的酸酰胺衍生物、或下述式(Y)所示的化合物，式(Z)中，R0表示乙基、丙基或异丙基，R
A
和R
B
各自独立地表示碳原子数1～4的烷基，式(Y)中，R
101
表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，R
102
表示碳原子数1～6的亚烷基或下述式(Y1)所示的基团，
式(Y1)中，R
103
表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，R
104
表示碳原子数1～5的亚烷基，＊1表示与式(Y)中的碳原子键合的键合键，＊2表示与式(Y)中的氮原子键合的键合键。5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述L1和L2为相同基团。6.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接层是使用包含粘接剂成分S的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分S包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接剂成分S包含硅氧烷系粘接剂。8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分A
’
。9.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述剥离和溶解的工序包括去掉已剥离的粘接层的工序。10.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，将半导体基板和粘接层从支承基板分离；以及第四工序，使用剥离和溶解用组合物剥离并溶解来去除半导体基板上的粘接层，所述剥离和溶解用组合物包含：I成分：季铵盐、II成分：酰胺系溶剂、以及III成分：下述式(L)所示的溶剂，L1‑
L3‑
L2ꢀꢀꢀꢀ
(L)式(L)中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述剥离和溶解用组合物还包含IV成分：下述式(T)或下述式(G)所示的溶剂，式(T)中，X1和X3各自独立地表示烷基、或酰基X4－C(＝O)－，X2表示亚烷基，n表示2或3，X4表示烷基，式(G)中，L
11
和L
12
各自独立地表示碳原子数1～6的烷基，L
11
的烷基的碳原子数与L
12
的烷基的碳原子数的合计为7以下。12.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述季铵盐为含卤素季铵盐。
13.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述酰胺系溶剂为下述式(Z)所示的酸酰胺衍生物、或下述式(Y)所示的化合物，式(Z)中，R0表示乙基、丙基...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳生雅文，奥野贵久，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：