将图案转移到发光器件的外延层的方法技术

具有集成在其外延层中的光提取或导向结构的发光器件，其中使用横向外延生长技术制造光提取和导向结构，该技术将图案从生长限制掩模和/或主衬底转移到外延层。模和/或主衬底转移到外延层。模和/或主衬底转移到外延层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将图案转移到发光器件的外延层的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.Section 119(e)要求以下共同未决和共同转让申请的权益：
[0003]Srinivas Gandrothula和Takeshi Kamikawa于2020年10月28日提交的题为“METHOD OF TRANSFERRING A PATTERN TO AN EPITAXIAL LAYER OF A LIGHT EMITTING DEVICE”(代理人案卷号G&C30794.0786USP1(UC 2021
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565
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1))的美国临时申请序列号63/106,444；
[0004]该申请在此引入作为参考。
[0005]本申请与以下共同未决和共同转让的申请相关：
[0006]Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2019年10月24日提交的题为“METHOD OF REMOVING A 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：在主衬底上形成生长限制掩模，其中在生长限制掩模和/或主衬底上形成一个或多个图案；并且使用生长限制掩模在主衬底上生长一个或多个外延横向过生长(ELO)层和器件层，其中ELO层和器件层包括图案的副本。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案在所述ELO层和主衬底之间的界面处产生光控制结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个随机谷
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峰图案。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个二维(2D)周期性晶格阵列，其尺寸等于从活性区发射的光的波长。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述2D周期性晶格阵列包括光子晶体。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个曲面。7.根据权利要求6所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：