射频（RF）放大器偏置电路制造技术

一种放大器电路，包括：放大器，被配置为从输入节点接收射频(RF)输入信号；偏置电路，包括参考晶体管和偏置晶体管，该参考晶体管耦合在参考电流源和地之间，该偏置晶体管耦合到参考晶体管并且被配置为生成主偏置电流以对放大器进行偏置的偏置晶体管；耦合到输入节点的输入功率感测电路；以及耦合到输入功率感测电路和偏置晶体管的附加晶体管，该附加晶体管被配置为生成附加偏置电流以对放大器进行偏置，该附加偏置电流对RF输入信号的功率电平进行响应。响应。响应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】射频(RF)放大器偏置电路


[0001]本公开一般涉及电子设备，并且更具体地涉及用于功率放大器的偏置电路。

技术介绍

[0002]在射频(RF)收发器中，通信信号通常由发射部分放大和发射。发射部分可以包括放大和发射通信信号的一个或多个电路。一个或多个放大器电路可以包括具有一个或多个级的一个或多个放大器路径，该一个或多个级可以包括一个或多个驱动器级、一个或多个功率放大器级和一个或多个阻抗匹配电路。一个或多个驱动器级和一个或多个功率放大器级可以使用一个或多个偏置电路而被偏置以用于期望操作。通常可以要求一个或多个放大器电路在宽带宽上提供不同级别的功率放大，同时尝试为各种不同的发射信号提供效率和线性度。通常，提供线性功率输出是以牺牲效率为代价的，而高效率的功率输出是以牺牲线性度为代价的。

技术实现思路

[0003]在所附权利要求范围内的系统、方法和设备的各种实现各自具有若干方面，其中没有任何一个方面单独负责本文所描述的期望属性。在不限制所附权利要求的范围的情况下，本文描述了一些显著特征。
[0004]在本说明书中描述的主题的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种放大器电路，包括：放大器，被配置为从输入节点接收射频(RF)输入信号；偏置电路，包括参考晶体管和偏置晶体管，所述参考晶体管耦合在参考电流源和地之间，所述偏置晶体管耦合到所述参考晶体管并且被配置为生成主偏置电流以对所述放大器进行偏置；输入功率感测电路，耦合到所述输入节点；以及附加晶体管，耦合到所述输入功率感测电路和所述偏置晶体管，所述附加晶体管被配置为生成附加偏置电流以对所述放大器进行偏置，所述附加偏置电流对所述RF输入信号的功率电平进行响应。2.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括耦合在所述参考晶体管和地之间的第二参考晶体管，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到所述第二参考晶体管的基极，并且所述输入功率感测电路包括耦合在所述附加晶体管的所述基极和所述输入节点之间的电容。3.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和所述输入节点之间的RF耦合路径。4.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，并且所述附加晶体管的基极直接耦合到所述输入节点。5.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述附加晶体管的集电极通过第一阻抗电路而耦合到电池电压，所述附加晶体管的发射极通过第二阻抗电路而耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和所述输入节点之间的RF耦合路径。6.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到电池电压，所述附加晶体管的发射极通过镇流电容而耦合到所述输入节点，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和所述输入节点之间的RF耦合路径。7.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括所述输入节点和所述放大器之间的匹配电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和所述输入节点之间的RF耦合路径。8.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括在所述输入节点和所述功率放大器之间的匹配电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和所述匹配电路的内部节点之间的RF耦合路径。9.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括在所述输入节点和所述功率放大器之间
的匹配电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和所述匹配电路的输出之间的RF耦合路径。10.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述附加晶体管的集电极耦合到所述偏置晶体管的集电极，所述附加晶体管的发射极耦合到所述偏置晶体管的发射极，所述附加晶体管的基极耦合到电压源，并且所述输入功率感测电路包括在所述附加晶体管的所述基极和一个或多个输入节点之间的多个RF耦合路径。11.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳智善，Y，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：