氧化硅膜用研磨液组合物制造技术

本发明专利技术的一个方式提供一种可提升氧化硅膜研磨中的研磨选择性的氧化硅膜用研磨液组合物。本发明专利技术的一个方式涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性阴离子性缩合物(成分B)、及水系介质，且成分B是包含下述式(I)所表示的单体(结构单体b1)及下述式(II)所表示的单体(结构单体b2)的单体的共缩合物，成分B中的结构单体b1相对于结构单体b1与结构单体b2的合计的摩尔比(％)大于30％。30％。30％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化硅膜用研磨液组合物


[0001]本专利技术涉及一种含有氧化铈粒子的氧化硅膜用研磨液组合物、使用其的半导体基板的制造方法及基板的研磨方法。

技术介绍

[0002]化学机械研磨(CMP)技术是指如下所述的技术，即，在使想要加工的被研磨基板的表面与研磨垫接触的状态下，一面将研磨液供给至这些接触部位，一面使被研磨基板及研磨垫进行相对移动，由此使被研磨基板的表面凹凸部分进行化学反应，并且将其机械性地去除而进行平坦化。
[0003]现在，在半导体元件的制造工序中进行层间绝缘膜的平坦化、浅沟槽元件隔离结构(以下也称为“元件隔离结构”)的形成、插塞及嵌入式金属布线的形成等时，该CMP技术为必需的技术。近年来，半导体元件的多层化、高精细化取得飞跃性进展，期望在平坦性更加良好的同时，可以高速进行研磨。例如，在浅沟槽元件隔离结构的形成工序中，在要求具备高研磨速度的同时，还要求提升研磨停止膜(例如氮化硅膜)相对于被研磨膜(例如氧化硅膜)的研磨选择性(换言之，研磨停止膜比被研磨膜更难以被研磨的研磨选择性)。
[0004]国际公开第99/43761号(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子即成分A、水溶性阴离子性缩合物即成分B、及水系介质，且成分B是包含下述式(I)所表示的单体即结构单体b1、及下述式(II)所表示的单体即结构单体b2的单体的共缩合物，成分B中的结构单体b1相对于结构单体b1与结构单体b2的合计的摩尔比以％计大于30％，在式(I)中，R1及R2相同或不同且表示氢原子、碳数1以上且4以下的烃基、或
‑
OM2，M1及M2相同或不同且表示碱金属离子、碱土金属离子、有机阳离子、铵(NH
4+
)或氢原子，在式(II)中，R3及R4相同或不同且表示氢原子、碳数1以上且4以下的烃基、或
‑
OM3，X表示
‑
SO3M4或
‑
PO3M5M6，M3、M4、M5及M6相同或不同且表示碱金属离子、碱土金属离子、有机阳离子、铵(NH
4+
)或氢原子。2.根据权利要求1所述的氧化硅膜用研磨液组合物，其中，成分B是包含下述式(III)所表示的结构的阴离子性缩合物，在式(III)中，R5及R6相同或不同且表示氢原子、碳数1以上且4以下的烃基、或
‑
OM8，X表示
‑
SO3M9或
‑
PO3M
10
M
11
，M7、M8、M9、M
10
及M
11
相同或不同且表示碱金属离子、碱土金属离子、有机阳离子、铵(NH
4+
)或氢原子，m及n是设m+n＝1时的摩尔分率，m大于0.3...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原将人，山口哲史，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：