【技术实现步骤摘要】
一种高价态RbSbICl
X
晶体及其制备方法和光电探测器件
[0001]本专利技术属于光电探测器
，具体涉及一种高价态RbSbICl
X
晶体及其制备方法和光电探测器件。
技术介绍
[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]光电探测器是目前光电信息产业中重要的光电子元器件，常常被用于传感、探测和成像等领域。目前传统的光电探测器材料如Si，Ge和InGaAs等存在制备工艺复杂，成本高，不可柔性化等缺点。
[0004]近年来，钙钛矿材料由于其具有较高的吸收系数、从紫外到近红外的宽波段覆盖范围，较高的载流子迁移率、微米尺度的扩散长度使其在光电子器件领域得到广泛的应用。迄今为止，利用钙钛矿材料实现了不同类型的光电探测器，光电探测器具有将光转换成电信号的能力，是光电子系统的关键组成部分，在图像传感，光通信和环境监测中得到了广泛的应用。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高价态RbSbICl
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晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将氢碘酸缓慢滴入碘化铷和三氯化锑的混合物中，再加入DMSO，加热搅拌获得紫黑色溶液，溶液水热反应后冷却，去除杂质，减压过滤，得到高价态RbSbICl
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晶体。2.如权利要求1所述的高价态RbSbICl
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晶体的制备方法，其特征在于，所述碘化铷的物质的量为3
‑
5mmol，所述三氯化锑的物质的量为1
‑
3mmol，所述氢碘酸的体积为8
‑
20mL，所述DMSO的体积为0.1
‑
0.5mL。3.如权利要求1所述的高价态RbSbICl
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晶体的制备方法，其特征在于，所述加热搅拌的温度为150
‑
170℃，时间为5
‑
30min；所述水热反应的温度为150
‑
170℃，时间为24
‑
48h。4.一种高价态RbSbICl
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晶体，其特征在于，通过权利要求1
‑
3任一项所述的高价态RbSbICl
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晶体的制备方法获得。5.一种光电探测器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将权利要求4所述的高价态RbSbICl
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晶体完全溶解于DMF中，过滤，得到钙钛矿前驱体溶液；S2、在FTO导电玻璃上采用多步旋涂法旋涂得到TiO2薄膜，形成致密层；S3、在TiO2薄膜致密层上滴加钙钛矿前驱体溶液，旋涂，在旋涂结束前滴加氯苯溶液，旋...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭婧萱，裴孟仪，付学玮，侯美云，岳思源，胡煜卓，周华伟，尹杰，张宪玺，
申请(专利权)人：聊城大学，
类型：发明
国别省市：
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