一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体及其制备方法技术

一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，由纯度为９９．９９％的Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］、ＺｒＯ↓［２］、ＣｕＯ和Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］制成，其制备方法是采用提拉法，１）将粉料按用料比混合，烘干后在混料机上搅拌，使Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］充分分解；２）将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法沿ｃ轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体。本发明专利技术的优点及效果：锆铜铈三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铜铈三掺铌酸锂晶体中能很好的实现了非挥发存储，灵敏度比铜铈双掺铌酸锂晶体提高了１０倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种鄉铈三繊,晶体及其制备方法駄领域本专利技术属于非线性光学晶体及其制紐术，特别是一种糊铈三!緣酸锂晶体 及其制备方法。背景駄铌,晶体是一种集电光、声光、压电、非线性、光折变等 赃于一身的AX 晶体，尤其是鄉不同掺杂后倉程现出不同的物理性能，超今人们所发现的光子 学性能最多、餘指标最好的晶体，被认为是"光学硅"的主要fi^材料之一。铌 ,晶体由于其良好的光折变性能，被认为是体全息存储技术的理想材料， 一鼓 国内外的研究热点。M在铌酸锂晶体中掺入不同的杂质离子可以实现晶体光折变 性能(响应时间、灵驗、衍射效率等)的调控。在铌,晶体中同附参入一种抗 光折顿子和一种光折变离子，會,显著縮短响应时间，提高晶体光折变灵驗，特别是同HW入^^素，倉辦使铌M晶体光折变响应时间达到1.8s，但是皿 双惨晶体体全息存储中，读取过禾就已存储信息具有擦除作用，不能实现非挥发全 息存储。在铌,晶体中同时掺入两种不同的光折变逝度金属离子，例如Fe2+/3+、 Mn2+/3+、 Qi+/2+、 Ce淮等，能够实舰色非挥发全息存储，而铜铈双掺铌,由于具 撤高的饱和衍射效率和樹氐的光娜，被作为非挥发全息存储的理想材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，其特征在于：由纯度为９９．９９％的Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］、ＺｒＯ↓［２］、ＣｕＯ和Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］制成，其中Ｌｉ与Ｎｂ的摩尔比为０．９２～１．４４，ＺｒＯ↓［２］的掺杂量为０．３ｍｏｌ％～１２．０ｍｏｌ％，ＣｕＯ的掺杂量为０．００５ｗｔ％～０．２ｗｔ％，Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］的掺杂量为０．００５ｗｔ％～０．２ｗｔ％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔勇发，刘富才，刘士国，黄自恒，陈绍林，张玲，许京军，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]