一种加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线制造技术

本发明专利技术提供的一种加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线；包括谐振腔和EBG阵列，EBG阵列设在谐振腔上端边缘，谐振腔设有若干缝隙，EBG阵列通过多个EBG单元呈矩阵排列形成。本发明专利技术通过在谐振腔缝隙阵中加载EBG阵列，EBG材料对表面波带隙的耦合和抑制特性，能够有效抑制表面波，降低了天线的高度，同时改善了天线的辐射特性。辐射特性。辐射特性。

【技术实现步骤摘要】
一种加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线


[0001]本专利技术涉及一种加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线。

技术介绍

[0002]现有的波导平板缝隙阵列天线是通过多根波导组阵形成，并通过端馈或者中间耦合斜缝进行馈电，传统的波导平板缝隙阵列天线结构复杂，馈电网络设计过程繁琐，导致剖面高度较高，制作成本大。而EBG结构和波导平板阵列天线相结合能提升天线的性能。如公开号为CN115693117A公开的基于SIW喇叭和EBG加载振子天线的极化分集天线，将EBG结构设在SIW喇叭和印对称振子之间，改变对称振子的边界条件，进而实现天线的低剖面效果，通过加载EBG结构，有效减少二者之间的距离，压缩了天线的高度，但其并未将EBG材料应离缝隙口径一定距离，保证“金属
‑
EBG
‑
金属”的结构，不能够有效抑制表面波，从而改善天线辐射特性。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线。
[0004]本专利技术通过以下技术方案得以实现。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线，其特征在于：包括谐振腔和EBG阵列，EBG阵列设在谐振腔上端边缘，谐振腔设有若干缝隙，EBG阵列通过多个EBG单元呈矩阵排列形成。2.如权利要求1所述的加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线，其特征在于：所述谐振腔为正方形，长宽均为340～350mm，厚度为20.5～21.2mm。3.如权利要求1所述的加载EBG结构的谐振腔平板缝隙阵列天线，其特征在于：所述缝隙宽7
‑
9mm，长22
‑
25...

【专利技术属性】
技术研发人员：林琦，王娟，黄虎城，
申请(专利权)人：贵州航天南海科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：