具有较低烧结温度的微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为（Ｍｇ↓［１－ｘ］Ｓｎ↓［ｘ］）ＴｉＯ↓［３］，其中ｘ＝０．０３－０．０８，其原料摩尔百分比含量为ＴｉＯ↓［２］　５０％、ＭｇＯ　４０－５０％、ＳｎＯ↓［２］　０－１０％。采用固相合成工艺，制备步骤为：（１）配料；（２）于１１００℃煅烧，合成前驱体、球磨、烘干；（３）制坯、于１１５０－１２５０℃烧结。本发明专利技术通过Ｓｎ↑［２＋］离子部分取代Ｍｇ↑［２＋］离子，改善了ＭｇＴｉＯ↓［３］基陶瓷的微波介电性能，降低了该体系的烧结温度（１１５０－１２５０℃），实现了在较低温度下的致密烧结，制备工艺简单、制备过程无污染。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为（Ｍｇ↓［１－ｘ］Ｓｎ↓［ｘ］）ＴｉＯ↓［３］，其中ｘ＝０．０３－０．１，其原料摩尔百分比含量为ＴｉＯ↓［２］５０％、ＭｇＯ　４５－４８．５％、ＳｎＯ↓［２］１．５－５％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，李国超，张平，王洪茹，崔晨，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]