低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构制造技术

本发明专利技术公开了一种低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构，芯线结构包括：绝缘导体，包括导电芯以及包覆所述导电芯的绝缘层；以第一种成型工艺形成的第一导电层，包覆于所述绝缘导体；以及，以第二种成型工艺形成的第二导电层，包覆于所述第一导电层。本发明专利技术的芯线结构通过在绝缘导体外依序以不同工艺形成第一导电层及第二导电层，可以降低芯线自身的噪音，达到提升信号传递质量的效果。达到提升信号传递质量的效果。达到提升信号传递质量的效果。

【技术实现步骤摘要】
低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构


[0001]本专利技术涉及一种线缆中的芯线结构，尤其是涉及一种具有低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构。

技术介绍

[0002]随着各种领域的监控及检测技术的发展，现今的测控技术已经达到了较高的水平，可检测信号种类之多、数量之大，超乎常人之想象。现代测控技术主要由传感器、电缆、信号放大器等组成，在实际应用中同步协调发展，相互促进以及整体提高检测质量。在航天航空、核电、导航制导、医疗、工业自动化等军民领域已是无处不在，无时不需。
[0003]尤其是在医疗领域中，例如检测或监控病患心电图的应用上，讯号的质量更是关乎检测是否正确的关键之一，更与病患生命安全息息相关，对于检测仪器所采用的线缆也有很高的噪音比的要求。
[0004]因此，如何能够很好的降低线缆的噪音干扰，是目前需要被克服的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构，利用不同的成型工艺来形成第一导电层及第二导电层，有效降低线缆本身的噪音，达到提升信号传递质量的效果。
[0006]本专利技术的低噪音的芯线结构，其特征在于，包括：绝缘导体，包括导电芯以及包覆所述导电芯的绝缘层；以第一种成型工艺形成的第一导电层，包覆于所述绝缘导体；以及，以第二种成型工艺形成的第二导电层，包覆于所述第一导电层。
[0007]本专利技术的低噪音的芯线结构的制作工艺，其特征在于，包括：提供绝缘导体，包括导电芯以及包覆所述导电芯的绝缘层；以第一种成型工艺形成第一导电层，其包覆于所述绝缘导体；以及，以第二种成型工艺形成第二导电层，其包覆于所述第一导电层。
[0008]本专利技术的低噪音的线缆结构，其特征在于，包括：至少三股芯线结构，所述芯线结构之间至少两两相互接触，各股所述芯线结构包括：绝缘导体，包括导电芯以及包覆所述导电芯的绝缘层；以第一种成型方式形成的第一导电层，包覆于所述绝缘导体；及，以第二种成型方式形成的第二导电层，包覆于所述第一导电层；以及，外被覆层，包覆于所述至少三股芯线结构。
[0009]本专利技术的低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构具有以下有益的效果：
[0010]本专利技术的芯线结构利用不同的成型工艺形成第一导电层及第二导电层，通过在绝缘导体外依序以不同工艺形成第一导电层及第二导电层，可以降低芯线自身的噪音，达到提升信号传递质量的效果。
【附图说明】
[0011]图1是本专利技术第一实施例的低噪音的芯线结构的示意图。
[0012]图2是本专利技术第二实施例的低噪音的芯线结构的示意图。
[0013]图3是本专利技术第三实施例的低噪音的芯线结构的示意图。
[0014]图4是本专利技术第四实施例的低噪音的芯线结构的示意图。
[0015]图5是本专利技术第五实施例的线缆结构的示意图。
[0016]图6是本专利技术第六实施例的线缆结构的示意图。
[0017]图7是本专利技术第七实施例的线缆结构的示意图。
[0018]图8是本专利技术第八实施例的线缆结构的示意图。
[0019]图9是本专利技术第九实施例的线缆结构的示意图。
[0020]图10是本专利技术实施例的低噪音的芯线结构的制作工艺的流程图。
[0021]图11是本专利技术一实施例的第二种成型工艺的详细流程图。
[0022]图12是本专利技术另一实施例的第一种成型工艺的详细流程图。
[0023]附图标号说明
[0024]芯线结构1绝缘导体10
[0025]导电芯101绝缘层102
[0026]第一导电层11第二导电层12
[0027]芯线结构2绝缘导体20
[0028]导电芯201绝缘层202
[0029]第一导电层21第二导电层22
[0030]金属屏蔽层23芯线结构3
[0031]绝缘导体30导电芯301
[0032]绝缘层302第一导电层31
[0033]第二导电层32芯线结构4
[0034]绝缘导体40导电芯401
[0035]绝缘层402第一导电层41
[0036]第二导电层42金属屏蔽层43
[0037]线缆结构500外被覆层501
[0038]线缆结构600外被覆层601
[0039]线缆结构700外被覆层701
[0040]异质芯线702线缆结构800
[0041]外被覆层801线缆结构900
[0042]外被覆层901辅助结构902
[0043]步骤S110步骤S120
[0044]步骤S121步骤S122
[0045]步骤S130步骤S131
[0046]步骤S132
【具体实施方式】
[0047]以下配合附图和专利技术的具体实施例，进一步阐述专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段。本领域的技术人员可以理解到的是，专利技术的具体实施例所提供的方向用语，诸如上、下、左、右、前或后等，仅用于参照随附图式的方向以利说明而非用于限制专利技术。除此之外，在未背离专利技术的精神和范围内，专利技术所属
中具有通常知识者可实行为数众多的变更及修改，如此衍生出的实作范例也会落入专利技术范畴中。
[0048]本专利技术实施例提出了一种低噪音的芯线结构和制作工艺以及低噪音的线缆结构，通过在绝缘导体外依次形成不同成型工艺形成的导电层，使采用此种技术特征的芯线结构具有低噪音，也就是可以降低自身的噪音干扰，提高信号传递的质量，更有益于应用在高精密度的信号检测的
中。
[0049]首先参照图1，是本专利技术第一实施例的低噪音的芯线结构的示意图。本实施例的芯线结构1包括：绝缘导体10、第一导电层11，以及第二导电层12。绝缘导体10包括导电芯101以及包覆所述导电芯101的绝缘层102。第一导电层11以第一种成型工艺形成，并且包覆于所述绝缘导体10。第二导电层12以第二种成型工艺形成，并且包覆于所述第一导电层11。
[0050]导电芯101可以例如是裸铜导体、镀锡铜导体、镀银铜导体、纯银导体、锡铜合金导体或者银铜合金导体，另外包覆导电芯101的绝缘层可以例如是聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、氟塑料等材料，从而形成绝缘导体10。
[0051]在一种实施例中，芯线结构1的第一导电层11是通过挤出成型的工艺形成，第二导电层12是通过溶液涂覆于第一导电层11外的工艺形成。在本实施例中，第一导电层11是在绝缘导体10外，更严格来说是在绝缘导体10的绝缘层102外，挤出成型一层导电PVC层、挤出成型一层导电PE层，或是挤出成型一层导电TPE层而形成。在本实施例中，第二导电层12是在第一导电层外11涂覆一层包含有石墨或石墨烯导电材料的溶液，并将所述溶液烘干后形成。涂覆形成第二导电层12的所述溶液包括聚酯類樹脂、醋酸乙酯或N，N－二甲基甲醯胺或環己酮或乙二醇乙醚醋酸酯、石墨或石墨烯，和助劑，石墨或石墨烯的體積占比不低於3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪音的芯线结构，其特征在于，包括：绝缘导体，包括导电芯以及包覆所述导电芯的绝缘层；以第一种成型工艺形成的第一导电层，包覆于所述绝缘导体；以及以第二种成型工艺形成的第二导电层，包覆于所述第一导电层。2.如权利要求1所述的芯线结构，其特征在于：所述第一导电层是以挤出成型，所述第二导电层是以溶液涂覆于所述第一导电层外成型。3.如权利要求2所述的芯线结构，其特征在于：所述第一导电层是一层挤出成型导电PVC层、挤出成型导电PE层，或挤出成型导电TPE层。4.如权利要求2所述的芯线结构，其特征在于：涂覆形成所述第二导电层的所述溶液包括聚酯類樹脂、醋酸乙酯或N，N－二甲基甲醯胺或環己酮或乙二醇乙醚醋酸酯、石墨或石墨烯，和助劑，所述石墨或石墨烯的體積占比不低於3％，其中所述醋酸乙酯或N，N－二甲基甲醯胺或環己酮或乙二醇乙醚醋酸酯的體積占比不低於20％。5.如权利要求1所述的芯线结构，其特征在于：所述第一导电层是以溶液涂覆于所述绝缘导体外成型，所述第二导电层是以挤出成型。6.如权利要求5所述的芯线结构，其特征在于：涂覆形成所述第一导电层的所述溶液包括聚酯類樹脂、醋酸乙酯或N，N－二甲基甲醯胺或環己酮或乙二醇乙醚醋酸酯、石墨或石墨烯，和助劑，其中所述石墨或石墨烯的體積占比不低於3％，所述醋酸乙酯或N，N－二甲基甲醯胺或環己酮或乙二醇乙醚醋酸酯的體積占比不低於20％。7.如权利要求5所述的芯线结构，其特征在于：所述第二导电层是一层挤出成型导电PVC层、挤出成型导电PE层，或挤出成型导电TPE层。8.如权利要求1所述的芯线结构，其特征在于：进一步包括金属屏蔽层，包覆于所述第二导电层。9.一种低噪音的芯线结构的制作工艺，其特征在于，包括：提供绝缘导体，包括导电芯以及包覆所述导电芯的绝缘层；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洋，吴文诚，黄世文，
申请(专利权)人：东莞庆泰电线电缆有限公司，
类型：发明
国别省市：